【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 到理想的效果，微蝕深度，通?？刂圃?微米左右。用硫酸和過(guò)硫酸鈉腐蝕電路板、粗化銅表面。（三）貼膜顯影蝕刻去膜通過(guò)曝光影像轉(zhuǎn)移原理及水平顯影蝕刻線的蝕刻，印制出需求之內(nèi)層線路或 P/G 面。具體工藝見(jiàn)下圖。 1%Na2CO消泡劑 G 3 有機(jī)廢氣（醇類） 濕膜 涂布 烘板 曝光 顯影 水洗 L31 顯影溶液 W31 顯影廢水 CuClHCL、H 2O2 ～%NaOH G4 鹽酸霧蝕刻 水洗 去膜 水洗 烘干 L91 酸性蝕刻溶液 W14 重金屬?gòu)U水 L32 去膜濃液 W32 去膜廢水 S2 干膜渣、烘板對(duì)于高密度精細(xì)線路的制作通常采用液態(tài)光致抗蝕劑，它是由感光性樹脂、配合感光劑、色料、填料及溶劑等成分組成，經(jīng)光照射后產(chǎn)生聚合反應(yīng)而得到線路圖形。與千膜相比：濕膜的涂布厚度較?。ㄒ话?,而干膜厚一般為 ） ，濕膜與基板密貼性好，可消除劃痕和凹坑引起的斷路，物料成本低，同時(shí)不需要載體聚酯薄膜和起保護(hù)作用的聚乙烯保護(hù)膜，不需要處理后續(xù)廢棄的薄膜。只是在烘板的過(guò)程中，濕膜中的溶劑等將會(huì)揮發(fā)出來(lái)。曝光即在紫外光照射下，光引發(fā)劑吸收了光能分解成游離基，游離基再引發(fā)光聚合單體產(chǎn)生聚合交聯(lián)反應(yīng)，反應(yīng)后形成不溶于稀堿溶液的高分子結(jié)構(gòu)。將需要的圖形復(fù)制在電路板上。是感光干膜中未曝光部分的活性基團(tuán)與稀堿溶液反應(yīng)生成可溶性物質(zhì)而溶解下來(lái)，留下已感光交聯(lián)固化的圖形部分。用 1%NazCOa 溶液腐蝕電路板。在印制板的制造過(guò)程中，用化學(xué)方法去除基材上無(wú)用導(dǎo)電材料（銅箔）形成電路圖形的工藝，稱為蝕刻。用 CUClz, HCHZOz 溶液腐蝕電路板表面的銅箔。除油是應(yīng)用 NaOH 溶液膨松剝除已顯影部分的濕膜，露出處于濕膜保護(hù)下的線路圖形的過(guò)程。（四）棕化內(nèi)層電路板以 PE 沖孔機(jī)沖出層間線路對(duì)位的鉚合基準(zhǔn)孔。然后進(jìn)行棕化。棕化具體工藝見(jiàn)下圖。 棕化除油劑 G2 硫酸霧 L82 酸性廢液 W15 重金屬?gòu)U水 L21 有機(jī)濃液 L22 有機(jī)濃液 W21 有機(jī)清洗廢水主要起除油作用。加入化學(xué)清洗劑進(jìn)行除油。主要是表面預(yù)處理，并保護(hù)棕化液免受污染。其目的是使內(nèi)層電路板面上形成一層高抗撕裂強(qiáng)度的棕色氧化銅絨晶，以增加內(nèi)層板與膠片在進(jìn)行壓合時(shí)的結(jié)合能力。（五）壓合、鉆孔具體工藝見(jiàn)下圖。 半固化片 鏡面鋼板牛皮紙銅箔 G1 粉塵 S3 廢半固化片 G1 粉塵水洗 預(yù)浸 棕化純水洗 烘干熔合疊合 熱壓合 冷壓合 鉆標(biāo)靶、鑼邊 S4 廢牛皮紙 S1廢銅箔 鋁板、紙底板 G1 粉塵 說(shuō)明： 與裁板工藝水洗處采用同一設(shè)備 W11 重金屬?gòu)U水 S5 廢鋁板、S4 廢紙底板圖 516 壓合、鉆孔工藝流程圖壓合將經(jīng)過(guò)內(nèi)層線路、棕化處理后的基板兩側(cè)疊上半固化片，半固化片由玻璃纖維布和環(huán)氧樹脂等制成，當(dāng)溫度為 100℃時(shí)可熔化，具有粘性和絕緣性。并在半固化片外鋪上銅箔作外層。再將銅箔線路層和絕緣層按照電路板層數(shù)需要，熱壓在一起，其熱壓溫度為 200220℃，壓力 兆帕，為時(shí) 2 個(gè)小時(shí)，再經(jīng)冷壓合處理。壓合后形成的多層電路板再進(jìn)行鉆孔處理，一方面將內(nèi)外層的導(dǎo)電層連通，或作為電子元器件的插孔，另一方面可作為內(nèi)導(dǎo)電層的散熱孔。鉆孔時(shí)在電路板上面覆蓋一層鋁板，最下層有下紙基板、墊板（酚醛墊板）保證鉆孔面平整。、鑼邊鉆標(biāo)靶主要為下面工序鉆孔是位，鑼邊是整齊壓合后的板邊。鉆孔多數(shù)采用機(jī)械鉆孔，但隨著密度互聯(lián)技術(shù)的發(fā)展，所需要的孔徑越來(lái)越小，采取激光等方式進(jìn)行鉆孔。（六）化學(xué)沉銅、電鍍銅加厚化學(xué)沉銅使經(jīng)鉆孔后的非導(dǎo)體（除膠渣后通孔內(nèi)有的地方是半固化片（絕緣層） ）通孔壁上沉積一層密實(shí)牢固并具導(dǎo)電性的金屬銅層，作為電鍍銅加厚的底材。具體工藝流程見(jiàn)下圖。膨松劑 高錳酸鉀 水洗 鉆孔除膠H2SO4 G2硫酸霧 L23 有機(jī)濃液 W22 有機(jī)清洗廢水 L71 高錳酸鉀廢液 W23 有機(jī)水洗廢水 L83 酸性廢液 調(diào)整劑 Na2S2O8 G2 硫酸霧 G2 硫酸霧 W16 重金屬?gòu)U水 L24 有機(jī)溶液 W24 有機(jī)清洗廢水 L12 含銅廢液 預(yù)浸鹽 活化劑 加速劑 W17 重金屬?gòu)U水 L84 酸性廢液 W18 重金屬?gòu)U水 L85 酸性溶液 化學(xué)銅液 G5 甲醛廢氣 H2SO4 G2 硫酸霧 W19 重金屬?gòu)U水 L41 化銅廢液 W41 絡(luò)合水廢水 L35 酸性廢液 硫酸、硫酸銅、銅球、鹽 酸、電銅光劑 硝酸膨脹 水洗 水洗 中和水洗 清潔調(diào)整 純水洗 微蝕純水洗 預(yù)浸 活化 純水洗 速化純水洗 化學(xué)沉銅 純水洗 酸洗 G2 硫酸霧 G7 硝酸霧 L13 含銅廢液 W110 重金屬?gòu)U水 L14 含銅廢液 W111重金屬?gòu)U水除膠渣鉆孔時(shí)產(chǎn)生的高溫可使玻纖布等固化片有機(jī)物的鍵斷開氧化，膠渣（即氧化物）流淌在迭層中的導(dǎo)電層表面，必須去除，其原理是膠渣可溶于高錳酸鉀（KMnO 4） 。除膠渣包括膨松、除膠、中和三個(gè)步驟。基板的表面脫脂與孔內(nèi)壁表面調(diào)整同時(shí)進(jìn)行，采用酸性調(diào)整劑使銅的表面氧化物、油污除去，促進(jìn)表面對(duì)金屬鈀的吸附量，同時(shí)增加孔內(nèi)壁潤(rùn)濕性。微蝕的目的是為后續(xù)的化學(xué)沉銅提供一個(gè)微粗糙的活性銅表面，同時(shí)去除銅面殘留的氧化物。為了達(dá)到理想的效果，微蝕深度，通常控制在 1 微米左右。用過(guò)硫酸鈉／硫酸腐蝕電路板、粗化銅表面。是使用硫酸（24%)、過(guò)硫酸鈉（80120 克／升）溶液輕微溶蝕銅箔基板表面以增加粗糙度，去除銅箔基板表面所帶電荷，使在后續(xù)活化過(guò)程中與觸媒有較佳密著性。操作溫度在 26 士 4 ℃，操作時(shí)間為 1′～2′，當(dāng)槽中 Cu2+達(dá) 25克／升時(shí)更換槽液。為防止水帶到隨后的活化液中，防止貴重的活化液的濃度和 PH 值發(fā)生變化，通常在活化槽前先將生產(chǎn)板件浸入預(yù)浸液處理，預(yù)浸后生產(chǎn)板件直接進(jìn)入活化槽中。因?yàn)榇蟛糠只罨菏锹然?，所以預(yù)浸液也是氯基，這樣對(duì)活化槽不會(huì)造成污染。在低濃度（C1—：～ ）的預(yù)浸催化液中進(jìn)行處理，以防止對(duì)后續(xù)活化液的污染，板子隨后無(wú)需水洗可直接進(jìn)入把槽。操作溫度在 30 士 4 *C，操作時(shí)間為 1—2 秒，當(dāng)槽中 Cu2+達(dá)2022ppm 以上時(shí)更換槽液。活化的作用是在絕緣基體上吸附一層具有催化活動(dòng)的金屬鈀顆粒，使經(jīng)過(guò)活化的基體表具有催化還原金屬銅的能力從而使化學(xué)沉銅反應(yīng)在整個(gè)催化處理過(guò)的基體表面順利進(jìn)行?；罨哪z體鈀微粒主要是通過(guò)粒子的布朗運(yùn)動(dòng)和異性電荷的相互吸附作用分別吸附在微蝕后產(chǎn)生的活性銅面上和電鍍銅加厚 水洗 剝掛架 水洗 烘干經(jīng)清洗調(diào)整處理后的孔壁的非導(dǎo)電基材上，活化槽是沉銅生產(chǎn)線上最貴重的一個(gè)槽。將 PCB 板浸于膠體鈀的酸性溶液（Cl —2N，Pd 2+600～1200ppm）中，此處的膠體鈀溶液主要成分為 SnC12, PdC12,在活化溶液內(nèi) PdSn 呈膠體。使觸媒（鈀）被還原沉積于基板通孔及表面上，并溶解去除過(guò)量的膠體狀錫，使鈀完全地裸露出來(lái)，作為化學(xué)銅沉積的底材。操作溫度在 28 士 2℃，為了保證活化液污染的最小化，操作時(shí)間為 5′—6′，當(dāng)槽中 Cu2+達(dá) 1500ppm 以上時(shí)更換槽液，避免工件提出槽液后再重新浸入槽液。在化學(xué)沉銅前除去一部分在鈀周圍包圍著的堿式錫酸鹽化合物，以使鈀核完全露出來(lái)，增強(qiáng)膠體鈀的活性，稱這一處理為加速處理。Pd 膠體吸附后必須去處 Sn,使 Pd2+暴露，才能在化學(xué)沉銅過(guò)程中產(chǎn)生催化作用形成化學(xué)銅層。經(jīng)過(guò)活化處理后，內(nèi)層與銅的表面吸附的 PdSR 膠體，經(jīng)加速劑處理后內(nèi)壁與銅環(huán)表面把呈金屬狀態(tài)。一般情況下，當(dāng)加速液中的銅含量達(dá)到 800ppm 則需要及時(shí)更換，約一周更換槽液一次。操作溫度在 28 士 2 0C，操作時(shí)間為 3′4′?；瘜W(xué)沉銅是一種催化氧化還原反應(yīng)，因?yàn)榛瘜W(xué)沉銅銅層的機(jī)械性能較差，在經(jīng)受沖擊時(shí)易產(chǎn)生斷裂，所以化學(xué)沉銅宜采用鍍薄銅工藝?；瘜W(xué)鍍銅的機(jī)理如下：將電路板浸入含氫氧化鈉（ 克／升） 、甲醛（ 克／升） 、絡(luò)合銅(Cu2+: 1. 0v 1. 8g/1)的溶液中，使電路板上覆上一層銅。操作溫度在 32 士 2℃，操作時(shí)間為 9′12′，翻槽頻率為一周。 ．8．電鍍銅加厚電鍍銅是以銅球作陽(yáng)極，CUS04（65^75 克／升）和 H2SO4（180220 克／升）作電解液，還有微量 HC1（4060ppm)和添加劑(14 毫升／升） 。電鍍不僅使通孔內(nèi)的銅層加厚，同時(shí)也可使熱壓在外表面的銅箔加厚。操作溫度在 24 士 2℃，槽液不作更換，當(dāng)生產(chǎn)面積超過(guò) 180 萬(wàn)平方英尺或使用時(shí)間達(dá)半年時(shí)將槽液送入硫酸銅處理區(qū)用活性炭吸附雜質(zhì)，其余溶液繼續(xù)回用到產(chǎn)線上。用 200 的硝酸將電鍍過(guò)程中鍍析在電鍍夾具上的金屬銅予以剝除，以免影響電鍍效率。（七）外層刷磨主要是對(duì)板子表面進(jìn)行清潔、粗化。具體工藝流程見(jiàn)下圖。 水 W112 重金屬?gòu)U水S1 銅粉（八）外層貼膜、曝光、顯影蝕刻 干膜 %Na2CO3 CuCl2 G4 鹽酸霧 L33 顯影濃液 W33 顯影廢水 L92酸性蝕刻廢水 NaOH去液態(tài)阻焊工段Wl13 重金屬?gòu)U水 L34 去膜濃液 W34 去膜廢水 S2 干膜渣外層貼膜、曝光、顯影蝕刻工藝流程圖壓膜采用干膜，干膜又稱光致抗蝕劑，是由聚酯薄膜、光致抗蝕劑薄膜和聚乙烯保護(hù)膜三部分組成。聚酯薄膜是支撐感光膠層的載體，使之涂布成膜。聚乙烯保護(hù)膜是覆蓋在感光膠層上的保護(hù)膜，防止灰塵等污物粘污干膜。在壓膜前先剝?nèi)ミ@層保護(hù)膜。光致抗蝕劑薄膜是干膜的主體，為感光材料。壓膜是以適當(dāng)?shù)臏囟燃皦毫⒏赡っ芎腺N附在上面。該段工藝主要是通過(guò)顯影將未曝光部分干膜完全剝除，將要蝕除的銅刷磨 中壓水洗 循環(huán)水洗 烘干貼膜、壓膜 曝光、顯影 水洗 酸性蝕刻水洗 去膜 水洗 烘干曝露在酸性蝕刻液內(nèi)。經(jīng)過(guò)蝕刻，將整體線路的表面線路呈現(xiàn)出來(lái)。本項(xiàng)目中已由一般傳統(tǒng)堿性蝕刻制程改為與內(nèi)層線路制作相同之酸性蝕刻制程，可完全消除傳統(tǒng)堿性蝕刻衍生之惡臭含氨廢氣、銅氨絡(luò)合廢水及剝錫鉛廢液處理之困難，大幅減少污染物排放種類及濃度。利用干膜溶于強(qiáng)堿的特性，用 NaOH 溶液將基板上已顯影部分的干膜去除。（九）抗焊前刷磨通常先用刷磨、水洗等方法將電路板銅面做適當(dāng)?shù)拇只鍧嵦幚?。具體工藝見(jiàn)下圖。 水 純水 抗焊印刷工段 刷磨 中壓水洗 循環(huán)水洗 純水洗 W114 重金屬?gòu)U水 S1 銅粉 （十一）抗焊印刷用絲網(wǎng)印刷的方式將防焊油墨批覆在板面上，然后送入紫外線曝光機(jī)中曝光，油墨在底片透光區(qū)域（焊接端點(diǎn)以外部分）受紫外線照射后產(chǎn)生聚合反應(yīng)（該區(qū)域的油墨在稍后的顯影步驟中將被保留下來(lái)） ，以碳酸鈉水溶液將涂膜上未受光照的區(qū)域顯影去除，最后加以高溫烘烤使油墨中的