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正文內(nèi)容

次晶體缺陷ppt課件(編輯修改稿)

2025-05-28 02:47 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 ,體積膨脹,密度減小 離子晶體的導電性改善 過飽和點缺陷 (淬火空位,輻照缺陷 )可提高金屬的屈服強度 點缺陷 晶體性能變化 空位 空位 間隙原子 間隙原子 間隙原子 空位 (復合 ) 原子的自擴散 點缺陷的遷移能 11 晶體缺陷的分類 (幾何特征 ) 點缺陷的概念 點缺陷的平衡濃度及其公式推導 習題集 P14 31~35 39~315 12 位錯 (dislocation) ? 彈性變形 ? 塑性變形 主要方式是滑移 (slip or glide) 在晶體表面有滑移線 位錯理論的產(chǎn)生 理論切變強度 (Theoretical Shear Strength) 的估算 弗蘭克爾假設(shè) :( 1 )完整晶體 ( 2)剛性滑移 13 14 位錯概念的引入 根據(jù)塑性變形的晶體學性、不均勻性和滑移行為是逐漸擴展等特點,人們設(shè)想在晶體中會存在某些缺陷,這些缺陷可以使形變過程在局部地方發(fā)生、滑移區(qū)逐漸擴展,而不需要 2個晶面作整體的相對剛性滑動,這樣就有可能降低晶體滑移所需要的力。 1934年, Taylor Orowan Planyi 位錯 15 位錯的基本類型和特征 刃型位錯 (edge dislocation) 刃型位錯的結(jié)構(gòu)特點 (1)刃型位錯有一個額外的半原子面 (2)位錯線是己滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線 EF,可以是直線、折線或曲線 16 幾種形狀的刃型位錯線 17 刃型位錯的特點 (3)正、負之分(相對的); (4) 位錯周圍的點陣發(fā)生彈性畸變,有切 (正 ) 應(yīng)變,滑移面上下方應(yīng)力符號相反; (5)在位錯線周圍的過渡區(qū) (畸變區(qū) )原子具有較大的平均能量。但該區(qū)只有幾個原子間距寬,畸變區(qū)是狹長的管道 end 18 螺型位錯 (screw dislocation) 螺型位錯的特征 (4)分為右旋和左旋螺型位錯 (左右手法則 ) (1)無額外半原子面,原子錯排是呈軸對稱的 (2)位錯線周圍點陣發(fā)生彈性畸變,只有平行于位錯線的切應(yīng)變,無正應(yīng)變 (3)位錯線一定是直線,是已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線 19 螺型位錯的結(jié)構(gòu)特征 右旋螺位錯 左旋螺位錯 逆時針
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