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正文內(nèi)容

英寸石墨烯透明導(dǎo)電薄膜(編輯修改稿)

2025-05-27 22:50 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 積法( CVD)生長在鎳基底上的石墨烯薄膜的方塊電阻為 280Ω/□左右,且其尺寸最大為厘米級。 ? 此外, CVD法是熱沉積過程,這就不可避免地要求一個堅實的鎳膜作為基底以抵抗接近 1000℃ 的高溫,并且在后期還要通過 化學(xué)刻蝕 除去催化金屬膜。 ? 這同時也是直接用此方法制備石墨烯的阻力所在。因此,必需要想辦法將制備出的石墨薄膜 轉(zhuǎn)移 到其它基底上。 制備工藝流程 這種卷軸式轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的方法主要有三個步驟: ? Ⅰ 、將聚合物膜粘在銅箔上的石墨烯膜上; ? Ⅱ 、化學(xué)刻蝕除去銅箔; ? Ⅲ 、將石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基底上。 設(shè)備裝置圖 ? 將銅箔卷在直徑為 石英管的外側(cè),并裝入 8英寸的石英管式反應(yīng)
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