電工學(xué)第14章半導(dǎo)體器(編輯修改稿)
2025-05-27 01:47 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 V陽(yáng) V陰 二極管導(dǎo)通 若忽略管壓降，二極管可看作短路， UAB =－ 6V 否則， UAB低于－ 6V一個(gè)管壓降，為－ － 例 1： 取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開(kāi)二極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極的電位。 在這里，二極管起鉗位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – 下一頁(yè) 返回 上一頁(yè) 退出 章目錄 兩個(gè)二極管的陰極接在一起 取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開(kāi)二極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極的電位。 V1陽(yáng) =－ 6 V， V2陽(yáng) =0 V， V1陰 = V2陰 = － 12 V UD1 = 6V， UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 優(yōu)先導(dǎo)通， D1截止。 若忽略管壓降，二極管可看作短路， UAB = 0 V 例 2: D1承受反向電壓為 － 6 V 流過(guò) D2 的電流為 mA43122D ??I求： UAB 在這里， D2 起鉗位作用， D1起隔離作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – 下一頁(yè) 返回 上一頁(yè) 退出 章目錄 ui 8V，二極管導(dǎo)通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二極管截止，可看作開(kāi)路 uo = ui 已知： 二極管是理想的，試畫(huà)出 uo 波形。 V s i n18i tu ??8V 例 3： 二極管的用途： 整流、檢波、 限幅、鉗位、開(kāi) 關(guān)、元件保護(hù)、 溫度補(bǔ)償?shù)取? ui t ?18V 參考點(diǎn) 二極管陰極電位為 8 V D 8V R uo ui + + – – 下一頁(yè) 返回 上一頁(yè) 退出 章目錄 穩(wěn)壓二極管 1. 符號(hào) UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 穩(wěn)壓管正常工作時(shí)加反向電壓 使用時(shí)要加限流電阻 穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。 _ + U I O 下一頁(yè) 返回 上一頁(yè) 退出 章目錄 3. 主要參數(shù) (1) 穩(wěn)定電壓 UZ 穩(wěn)壓管正常工作 (反向擊穿 )時(shí)管子兩端的電壓。 (2) 電壓溫度系數(shù) ?ｕ 環(huán)境溫度每變化 1?C引起 穩(wěn)壓值變化的 百分?jǐn)?shù) 。 (3) 動(dòng)態(tài)電阻 ZZ Z IUr???(4) 穩(wěn)定電流 IZ 、最大穩(wěn)定電流 IZM (5) 最大允許耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好。 下一頁(yè) 返回 上一頁(yè) 退出 章目錄 雙極型晶體管 (三極管 ) 基本結(jié)構(gòu) 晶體管的結(jié)構(gòu) (a)平面型； (b)合金型 B E P型硅 N型硅 二氧化碳保護(hù)膜 銦球 N型鍺 N型硅 C B E C P P 銦球 (a) (b) 下一頁(yè) 返回 上一頁(yè) 退出 章目錄 晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖和表示符號(hào) (a)NPN型晶體管； (a) N N C E B P C E T B IB IE IC (b) B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶體管 C E 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 集電結(jié) 發(fā)射結(jié) N N P 基極 發(fā)射極 集電極 B C E 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) P 發(fā)射結(jié) P 集電結(jié) N 集電極 發(fā)射極 基極 B 下一頁(yè) 返回 上一頁(yè) 退出 章目錄 基區(qū)：最薄， 摻雜濃度最低 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度最高 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)： 集電區(qū)： 面積最大 下一頁(yè) 返回 上一頁(yè) 退出 章目錄 14. 5. 2 電流分配和放大原理 1. 三極管放大的外部條件 B E C N N P 發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏 PNP 發(fā)射結(jié)正偏 VBVE 集電結(jié)反偏 VCVB 從電位的角度看： NPN 發(fā)射結(jié)正偏 VBVE 集電結(jié)反偏 VCVB EB RB EC RC 下一頁(yè) 返回 上一頁(yè) 退出 章目錄 晶體管電流放大的實(shí)驗(yàn)電路 設(shè) EC = 6 V， 改變可變電阻 RB, 則基極電流 IB、集電極電流 IC 和發(fā)射極電流 IE 都發(fā)生變化 ， 測(cè)量結(jié)果如下表： 2. 各電極電流關(guān)系及電流放大作用 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 下一頁(yè) 返回 上一頁(yè) 退出 章目錄 晶體管電流測(cè)量數(shù)據(jù) IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 結(jié)論 : (1) IE = IB + IC 符合基爾霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大 變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。 實(shí)質(zhì) : 用一個(gè)微小電流的變化去控
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