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正文內(nèi)容

數(shù)字電子基礎(chǔ)康華光(編輯修改稿)

2025-05-26 08:28 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 0V 4 . 3 V 4 . 3 V 4 . 3 V 截止 截止 截止 導(dǎo)通 導(dǎo)通 截止 導(dǎo)通 導(dǎo)通 A B L 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 BAL ?? A β =40 +5 V L 電路圖 1 邏輯符號 A L 1k Ω Ω 非門電路 —— BJT反相器 ① uA= 0V時,三極管截止 , iB= 0,iC= 0,輸出電壓 uY= VCC= 5V ② uA= 5V時 , 三極管導(dǎo)通 。 基極電流 : iB> IBS,三極管工作在飽和狀態(tài)。輸出電壓 uL= UCES= 。 ???Bi三極管臨界飽和時的基極電流為: ????BSIA L 0 1 1 0 AL ?輸出級 T D、 T4和 Rc4構(gòu)成推拉式的輸出級。用于提高開關(guān)速度和帶負載能力。 中間級 T2和電阻Rc Re2組成,從T2的集電極和發(fā)射極同時輸出兩個相位相反的信號,作為 T3和 T4輸出級的驅(qū)動信號; R b1 4k W R c 2 W R c 4 130 W T 4 D T 2 T 1 + – v I T 3 + – v O 負載 R e2 1K W V CC (5V) 輸入級 中間級 輸出級 TTL反相器的基本電路 1. 電路組成 輸入級 T1和電阻Rb1組成。用于提高電路的開關(guān)速度 2. TTL反相器的工作原理(邏輯關(guān)系、性能改善) ( 1)當輸入為低電平( ?I = V) mA 0251 1B1CCB1 .RvVi ???B S 1B1 Ii ??T1 深度飽和 V 3 . 6V 70705DB E 4B4O???????)..(vvvvT2 、 T3截止, T4 、 D導(dǎo)通 輸入 T1 T2 T3 D4 T4 輸出 低電平 飽和 截止 截止 導(dǎo)通 導(dǎo)通 高電平 ( 2)當輸入為高電平( ?I = V) T T3飽和導(dǎo)通 T1:倒置的放大狀態(tài)。 T4和 D截止。 使輸出為低電平 . vO=vC3=VCES3= 輸入 A 輸出 L 0 1 1 0 邏輯真值表 邏輯表達式 L = A 飽和 截止 T4 低電平 截止 截止 飽和 倒置工作 高電平 高電平 導(dǎo)通 導(dǎo)通 截止 飽和 低電平 輸出 D4 T3 T2 T1 輸入 ( 3 )采用輸入級以提高工作速度 當 TTL反相器 ?I由 ?T T3管的狀態(tài)變化滯后于 T1管,仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。 ?T1管 Je正偏、 Jc反偏, T1工作在放大狀態(tài)。 T1管射極電流( 1+?1 ) iB1很快地從 T2的基區(qū)抽走多余的存儲電荷 ,從而加速了輸出由低電平到高電平的轉(zhuǎn)換。 ( 4)采用推拉式輸出級以提高開關(guān)速度和帶負載能力 當 ?O= 當輸出為低電平時
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