【文章內(nèi)容簡介】 ? 透射波： x = t 面上： 反射波： 2 2 323 21 23 12 21 12 23[ ( e ) ] et t te? ? ?? ? ? ? ? ? ?? ? ??2323 21 23 12 12 23 21 23[ ( e ) e ] et t t? ? ?? ? ? ? ? ? ? ?? ? ??透射波： x = t 面上： 反射波： t x 2 1 3 電磁屏蔽技術(shù) ? ? ? ?1 211 2 2 3 2 1 2 3 en ntn ?? ? ? ? ? ? ???n 次透射： 3 1 ( 2 1 )12 23 12 23 21 23 12 23 21 23e e ( ) et t n n tT ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ?? ? ? ? ?2 2 112 23 21 23 21 23e [ 1 e ( ) ]t t t ne? ? ?? ? ? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ? ?…… 1 2 2 3 22 1 2 31e1ett???? ?????? ?21 2 2 31 2 2 3112 0 l g 2 0 l g 2 0 l g e 2 0 l g 1 ettTSE ?? ??? ? ? ?? ? ? ? ?總 透 射 場 強 2212 0 l g 1 ( ) e1tKBK??????1 2 2 3420 l g 20 l g( 1 )KRK??? ? ? ? ?20 l g e tA ??31ZZ?故： 即： 21/K Z Z?電磁屏蔽技術(shù) 2 0 l g e 2 0 l g er t tA ???2 0 l g e 8 . 9 8 0 . 1 3 1 (d B )rrt t t f? ? ? ?? ? ?—— 相對于銅的電導率，銅： r?75 . 8 2 1 0 S / m? ??t —— 厚度（ mm）。 ① 吸收損耗 A (dB) ① 屏蔽材料越厚，吸收損耗越大，厚度增一個趨膚深度， 吸收損耗增加得 9dB； ② 磁導率越高，吸收損耗越大； ③ 電導率越高，吸收損耗越大； ④ 頻率越高，吸收損耗越大。 r?—— 相對磁導率； 良導體 結(jié)論： 電磁屏蔽技術(shù) 22 ()( 1 )2 0 l g 2 0 l g 2 0 l g4 4 4 wwmw m mZZZKRK Z Z Z??? ? ?② 反射損耗 R (dB) 72 / 3 . 6 9 1 0 /m r rZ f f? ? ? ? ??? ? ?波阻抗 良導體： ??wmZZw 120 π 3 7 7ΩZ ??a. 遠場 ： 012weZ fr??? ：電場源 02wmZ f r???233 2 1 . 7 1 0 l g ( )rerR r f????1 6 8 . 1 1 0 l g ( / )w r rRf ????媒質(zhì)本征阻抗 頻率升高，反射損耗減小 ：磁場源 21 4 . 5 6 1 0 l g ( )rmrR r f????頻率升高，反射損耗增加 電磁屏蔽技術(shù) ③ 多次反射修正 B（ dB） ? ?212 2 2e e e ejtt t j t?? ? ???? ? ???2 0 .1e 1 0tA????而 / 2 0( 2 0 l g e e 1 0 )t t AA ?????0 . 12 l n 1 0 0 . 2 3AtA? ???2( ) 1mwmwZZZZ? ??故： 2 0 . 1 0 . 2 32 0 l g 1 ( ) 1 0 eA j AmwmwZZBZZ??????wmZZ??當 時， 則 0 . 1 0 . 2 30 . 1 0 . 22 0 l g 1 1 0 e2 0 l g [ 1 2 1 0 c o s ( 0 . 2 3 ) 1 0 ]A j AAABA??????? ? ? ?10dBA ?當 時，通常可忽略 B。 2 0 . 1 0 . 2 3e 1 0 et A j A?? ? ??11mwmwZZKK Z Z?? ???電磁屏蔽技術(shù) 反射損耗： 1 6 8 . 1 1 0 l g ( / )w r rRf ???? 10 l g( / )e r rR r f????電場源 10 l g( / )m r rR r f????磁場源 2 0 . 1 0 . 2 30 . 1 0 . 22 0 l g 1 ( ) 1 0 e2 0 l g [ 1 2 1 0 c o s (0 . 2 3 ) 1 0 ]A j AmwmwAAZZBZZA????????? ? ? ?wmZZ??（ ） 8 . 9 8 0 . 1 3 1 (d B )rrA t t f? ? ???( d B )S E R A B? ? ?屏蔽效能 ： 吸收損耗： 平面波源 多次反射修正： 小結(jié) 電磁屏蔽技術(shù) 屏蔽效能的頻率特性 磁場波 平面波 電場波 f 屏蔽效能 高頻時電磁波的種類影響很小 電磁屏蔽技術(shù) 41 .5 1 0 mcf? ? ? ?例 1 有一個大功率線圈的工作頻率為 20kHz ，在離線圈 置一鋁板 以屏蔽線圈對設(shè)備的影響。設(shè)鋁板厚度 為 。試計算其屏蔽效能。 ( 0 .6 1)r? ?解 ： 屏蔽體處于哪個場區(qū)： 1 , 0 . 6 1 ,rr????—— 近場 大功率線圈 —— 強磁場，主要為磁屏蔽 . 故 21 4 . 5 6 1 0 l g ( ) 1 4 . 5 6 3 4 . 8 4 4 9 . 4 (d B )rmrR r f??? ? ? ? ?0 . 1 3 1 7 . 2 4 (d B )rrA t f ????電磁屏蔽技術(shù) 02 π 0 .0 8 Ωw m mZ f r Z?? ? ? ?+ + 4 9 . 4+7 . 2 4 1 . 8 1 5 4 . 8 3 d BmS E R A B? ? ? ?又 0 . 1 0 . 21 0 l g 1 2 1 0 c o s ( 0 .2 3 ) 1 0 1 .8 1 d BAABA ????? ? ? ? ? ? ???故 753 . 6 9 1 0 / 6 . 6 8 1 0 Ωm r rZf ????? ? ? ?電磁屏蔽技術(shù) 2++S E A R B?式中： 2. 雙層屏蔽體的屏蔽效能 121 1 1 2 2 1 1r r r rA A At f t f? ? ? ???12221212( 1 ) ( 1 )2 0 l g 2 0 l g44R R Rkkkk??????總反射