【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】
怎樣判斷?如何消除?(漢王筆試) 在組合邏輯中,由于門(mén)的輸入信號(hào)通路中經(jīng)過(guò)了不同的延時(shí),導(dǎo)致到達(dá)該門(mén)的時(shí)間不一致叫競(jìng)爭(zhēng)。產(chǎn)生毛刺叫冒險(xiǎn)。如果布爾式中有相反的信號(hào)則可能產(chǎn)生競(jìng)爭(zhēng)和冒險(xiǎn)現(xiàn)象。解決方法:一是添加布爾式的消去項(xiàng),二是在芯片外部加電容。 你知道那些常用邏輯電平? TTL 與 COMS電平可以直接互連嗎?(漢王筆試) 常用邏輯電平: 12V, 5V, ; TTL 和 CMOS 不可以直接互連,由于 TTL是在 之間,而 CMOS則是有在 12V的有在 5V 的。 CMOS 輸出接到 TTL 是可以直接互連。 TTL 接到CMOS 需要在輸出端口加一上拉電阻接到 5V或者 12V。 1如何解決亞穩(wěn)態(tài)。(飛利浦-大唐筆試) 亞穩(wěn)態(tài)是指觸發(fā)器無(wú)法在某個(gè)規(guī)定時(shí)間段內(nèi)達(dá)到一個(gè)可確認(rèn)的狀態(tài)。當(dāng)一個(gè)觸發(fā)器進(jìn)入亞 穩(wěn)態(tài)時(shí),既無(wú)法預(yù)測(cè)該單元的輸出電平,也無(wú)法預(yù)測(cè)何時(shí)輸出才能穩(wěn)定在某個(gè)正確的電平 上。在這個(gè)穩(wěn)定期間,觸發(fā)器輸出一些中間級(jí)電平,或者 可能處于振蕩狀態(tài),并且這種無(wú) 用的輸出電平可以沿信號(hào)通道上的各個(gè)觸發(fā)器級(jí)聯(lián)式傳播下去。 1 IC設(shè)計(jì)中同步復(fù)位與異步復(fù)位的區(qū)別。(南山之橋) 1 MOORE 與 MEELEY 狀態(tài)機(jī)的特征。(南山之橋) 1多時(shí)域設(shè)計(jì)中 ,如何處理信號(hào)跨時(shí)域。(南山之橋) 1給了 reg的 setup,hold 時(shí)間,求中間組合邏輯的 delay范圍。(飛利浦-大唐筆試) Delay period setup – hold 1時(shí)鐘周期為 T,觸發(fā)器 D1 的建立時(shí)間最大為 T1max,最小為 T1min。組合 邏輯電路最大延 遲為 T2max,最小為 T2min。問(wèn),觸發(fā)器 D2 的建立時(shí)間 T3和保持時(shí)間應(yīng)滿足什么條件。(華 為) 1給出某個(gè)一般時(shí)序電路的圖,有 Tsetup,Tdelay,Tckq,還有 clock 的 delay,寫(xiě)出決 定最大時(shí)鐘的因素,同時(shí)給出表達(dá)式。(威盛 VIA 上海筆試試題) 1說(shuō)說(shuō)靜態(tài)、動(dòng)態(tài)時(shí)序模擬的優(yōu)缺點(diǎn)。(威盛 VIA 上海筆試試題) 1一個(gè)四級(jí)的 Mux,其中第二級(jí)信號(hào)為關(guān)鍵信號(hào)如何改善timing。(威盛 VIA 上海筆試試題) 給出一個(gè)門(mén)級(jí)的圖,又給了各個(gè)門(mén)的傳輸延時(shí),問(wèn)關(guān)鍵路徑是什么,還問(wèn)給出輸入, 使得輸出依賴于關(guān)鍵路徑。(未知) 2邏輯方面數(shù)字電路的卡諾圖化簡(jiǎn),時(shí)序(同步異步差異),觸發(fā)器有幾種(區(qū)別,優(yōu) 點(diǎn)),全加器等等。(未知) 2卡諾圖寫(xiě)出邏輯表達(dá)使。(威盛 VIA 上海筆試試題) 2化簡(jiǎn) F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。(威盛) 2 please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P well its transfer curve (VoutVin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? (威 盛筆試題 circuit ) 2 To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain? 2為什么一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的倒相器中 P 管的寬長(zhǎng)比要比 N 管的寬長(zhǎng)比大?(仕蘭微電子) 2用 mos管搭出一個(gè)二輸入與非門(mén)。(揚(yáng)智電子筆試) 2 please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.(less delay time)。(威盛筆試題 circuit ) 2畫(huà)出 NOT,NAND,NOR 的符號(hào),真值表,還有 transistor level 的電路。( Infineon 筆 試) 畫(huà)出 CMOS的圖,畫(huà)出 towtoone mux gate。(威盛 VIA 上海筆試試題) 3 用一個(gè)二選一 mux 和一個(gè) inv 實(shí)現(xiàn)異或。(飛利浦-大唐筆試) 3畫(huà)出 Y=A*B+C 的 cmos電路圖。(科廣試題) 3用邏輯們和 cmos電路實(shí)現(xiàn) ab+cd。(飛利浦-大唐筆試) 3畫(huà)出 CMOS電路的晶體管級(jí)電路圖,實(shí)現(xiàn) Y=A*B+C(D+E)。(仕蘭微電子) 3利用 4 選 1 實(shí)現(xiàn) F(x,y,z)=xz+yz’。(未知) 3給一個(gè)表達(dá)式 f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx 用最少數(shù)量的與非門(mén)實(shí)現(xiàn)(實(shí)際上就是化 簡(jiǎn))。 3給出一個(gè)簡(jiǎn)單的由多個(gè) NOT,NAND,NOR 組成的原 理圖,根據(jù)輸入波形畫(huà)出各點(diǎn)波形。 ( Infineon 筆試) 3為了實(shí)現(xiàn)邏輯( A XOR B) OR ( C AND D),請(qǐng)選用以下邏輯中的一種,并說(shuō)明為什 么? 1) INV 2) AND 3) OR 4) NAND 5) NOR 6) XOR 答案:NAND(未知) 3用與非門(mén)等設(shè)計(jì)全加法器。(華為) 給出兩個(gè)門(mén)電路讓你分析異同。(華為) 4用簡(jiǎn)單電路實(shí)現(xiàn),當(dāng) A 為輸入時(shí),輸出 B 波形為?(仕蘭微電子) 4 A,B,C,D,E 進(jìn)行投票,多數(shù)服從少數(shù),輸出是 F(也就是如果 A,B,C,D,E 中 1 的個(gè)數(shù)比 0 多,那么 F 輸出為 1,否則 F 為 0),用與非門(mén)實(shí)現(xiàn),輸入數(shù)目沒(méi)有限制。(未知) 4用波形表示 D 觸發(fā)器的功能。(揚(yáng)智電子筆試) 4用傳輸門(mén)和倒向器搭一個(gè)邊沿觸發(fā)器。(揚(yáng)智電子筆試) 4用邏輯們畫(huà)出 D 觸發(fā)器。(威盛 VIA 上海筆試試題) 4畫(huà)出 DFF的結(jié)構(gòu)圖 ,用 verilog 實(shí)現(xiàn)之。(威盛) 4畫(huà)出一種 CMOS 的 D 鎖存器的電路圖和版圖。(未知) 4 D 觸發(fā)器和 D 鎖存器的區(qū)別。(新太硬件面試) 4簡(jiǎn)述 latch 和 filp