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正文內(nèi)容

word版可編輯-開關(guān)穩(wěn)壓電源e題設(shè)計(jì)報告國賽一等獎大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競賽doc精心整理(編輯修改稿)

2025-04-23 23:45 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 要求:%,欲達(dá)到這一精度,A/D精度要達(dá)到1/500,即至少為9位A/D,MP430內(nèi)置A/D為12位,只要合理設(shè)定測量范圍,完全可以達(dá)到題目的精度要求。 保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與參數(shù)計(jì)算 過流保護(hù) (共三級)1) 輸入過流保護(hù)在直流輸入端串聯(lián)一支保險絲(250V,5A),從而實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)。2) 輸出過流保護(hù) 輸出端串接電流采樣電阻RTEST2,材料選用溫漂小的康銅絲。電壓信號需放大后送給單片機(jī)進(jìn)行A/D采樣。過流故障解除后,系統(tǒng)將自動恢復(fù)正常供電狀態(tài)。3) 逐波過流保護(hù) 逐波過流保護(hù)在每個開關(guān)周期內(nèi)對電流進(jìn)行檢測,過流時強(qiáng)行關(guān)斷,防止場效應(yīng)管燒壞。具體實(shí)現(xiàn)電路見附錄圖5(a)??紤]到MOS管開通時的尖鋒電流可能使逐波過流保護(hù)電路誤動作,加入如附錄圖5(b)所示電路。 反接保護(hù)反接保護(hù)功能由二極管和保險絲實(shí)現(xiàn),電路如附錄圖3(a)。 過熱保護(hù)通過熱敏電阻檢測場效應(yīng)管的溫度,溫度過高時關(guān)斷場效應(yīng)管。 防開機(jī)“浪涌”保護(hù)用NTC電阻實(shí)現(xiàn)了對開機(jī)浪涌電流的抑制,見附錄圖3(a)。 場效應(yīng)管欠壓保護(hù)利用IR2302的欠壓保護(hù)功能,對其電源電壓進(jìn)行檢測,使場效應(yīng)管嚴(yán)格工作在非飽和區(qū)或截止區(qū),防止場效應(yīng)管進(jìn)入飽和區(qū)而損壞。 數(shù)字設(shè)定及顯示電路的設(shè)計(jì)分別通過鍵盤和LCD實(shí)現(xiàn)數(shù)字設(shè)定和顯示。鍵盤用來設(shè)定和調(diào)整輸出電壓;輸出電壓、輸出電流和輸入電壓的量值通過LCD顯示。電路接口見附錄。 效率的分析及計(jì)算 (U2=18V,輸出電壓UO=36V,輸出電流IO=2A) DCDC電路輸入電壓UIN=*U22V=,信號占空比D≈1UIN/UO=,輸入電壓有效值IIN=IO/(1D)=, 輸出功率PO=UO*IO=72 W下面計(jì)算電路中的損耗P損耗:1) Boost電路中電感的損耗: 其中,DCR1為電感的直流電阻,取為50 mΩ,代入可得PDCR1= W2) Boost電路中開關(guān)管的損耗開關(guān)損耗 PSW=*UIN*IIN(tr+tf)*f其中,tr是開關(guān)上升時間,為190ns,tf是開關(guān)下降時間,為110ns,f是開關(guān)頻率,為20 kHz,代入可得 PSW= W導(dǎo)通損耗 其中,導(dǎo)通電阻RDSON=77 mΩ, Ω,代入得PC= W3) 肖特基二極管的損耗 流過二極管的電流值與輸出電流I0相等,則二極管損耗其中,IO=2 A, V,代入可得PD= W4) W (計(jì)算過程見附錄2) W,具體計(jì)算過程見附錄2。綜上,電路中的總損耗功率P損耗=DCDC變換器的效率η= PO /(PO+P損耗)=94% 系統(tǒng)特色:1.輸出電壓反饋采用“同步采樣”方式,有效地避免了電壓尖峰對信號檢測的影響。軟件濾波可降低毛刺干
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