專題之三帶電粒子在復合場中的運動(編輯修改稿)
2025-04-20 05:53 本頁面
【文章內容簡介】 bd cLr例5正方形abcd內有方向如圖的場強為E的勻強電場和磁感應強度為B的勻強磁場。質子流從ad邊的中點O以初速度v0，沿著與ab平行的方向射入正方形區(qū)域。若撤去勻強磁場，質子將達到b點；若撤去勻強電場，質子將打到c點。求：⑴E∶B ⑵當勻強電場和勻強磁場同時存在時，為使質子沿原方向射入后能做直線運動而打到bc邊的中點O/，其初速度應調整為v0的多少倍？[解：⑴只有勻強電場時，由圖知質子打到b點時速度的偏轉角為α=45176。，可得：；只有勻強磁場時，由圖可求得質子做圓周運動的半徑r=5L/4，可得：；由以上兩式可得E∶B=5v0∶4 ⑵為了使質子做直線運動，必須滿足Eq=Bqv， ]例（1991年上海高考題）如圖所示質量為m、帶電量為+q的粒子，從兩平行電極板正中央垂直電場線和磁感線方向以速度V飛入。已知兩板間距為d，磁感強度為B，這時粒子恰好能沿直線穿過電場和磁場區(qū)域（重力不計）現將磁感應強度增大到某值，則粒子將落到板上，粒子落到極板上時的動能為多大？[答案：]S1S2S3BAQUdP例（2001年全國高考理綜題）如圖所示是測量帶電粒子質量的儀器工作原理示意圖。設法使某有機化合物的氣態(tài)分子導入圖中所示的容器A中，使它受到電子束轟擊，失去一個電子變成為正一價的分子離子，分子離子從狹縫S1以很小的速度進入電壓為U的加速電場區(qū)（初速不計），加速后，再通過狹縫SS3射入磁感應強度為B的勻強磁場，方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ，最后，分子離子打到感光片上，形成垂直于紙面且平行于狹縫S3的細線，若測得細線到狹縫S3的距離為d。導出分子離子的質量m的表達式。質譜儀主要是分析同位素、測定其質量、荷質比和含量比的現代科學儀器。m=qB2d2/8U例（1993年上海高考題）如圖所示為一種獲得高能粒子的裝置。環(huán)形區(qū)域內存在垂直紙面向外、大小可調節(jié)的均勻磁場。質量為m、電量為+q的粒子在環(huán)中做半徑為R的圓周運動。A、B為兩塊中心開有小孔的極板，原來電勢都為零，每當粒子飛經A板時，A板電勢升高為+U，B板電勢仍為零，粒子在兩
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