內(nèi)置振蕩器的失真度計(jì)設(shè)計(jì)報(bào)告(編輯修改稿)
2025-04-19 05:24 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 。在這里的振幅探測(cè)電路采用了簡(jiǎn)單的全波整流電路。可變電阻電路，利用的是結(jié) 型場(chǎng)效應(yīng)管FET1漏源間的電阻rDS。（3） 元件選取與計(jì)算OP放大器的選取因?yàn)榧词乖?0kHz也要能振蕩，所以需要選用帶寬較寬的OP放大器。在此決定選用FET輸入型的低噪聲OP放大器TL072。在本機(jī)的設(shè)計(jì)中，其余的OP放大器也同樣選用TL072。RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)設(shè)定的頻率為100Hz /1kHz /10kHz，取R4=16kΩ，可得： R4=16kΩ C1=C4= C2=C5= C3=C6=VR1 ～VR3是頻率調(diào)整用的半固定電阻，是使頻率與陷波濾波器頻率相一致的半固定電阻，它采用易于調(diào)整的、且穩(wěn)定性良好的多旋轉(zhuǎn)型電位器。考慮到陷波濾波器頻率的分散性，?。? R1=R2=R3=12kΩ VR1=VR2=VR3=10kΩ R4=16kΩ C1=C4= C2=C5= C3=C6= R1=R2=R3=12kΩ VR1=VR2=VR3=10kΩ由于這些元件決定振蕩頻率，所以會(huì)有精度的要求。R1～R4使用精度優(yōu)于177。2％（G檔）的金屬膜電阻，C1～C6使用精度優(yōu)于177。5％（J檔）的聚乙烯薄膜電容。關(guān)于R5和R6在文氏電橋振蕩電路中，RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)作為正反饋網(wǎng)絡(luò)，其反饋系數(shù)為1/3。為此，要滿足振蕩條件，由運(yùn)放和負(fù)反饋環(huán)節(jié)組成的同相比例放大器的增益應(yīng)保持為3。如設(shè) FETl 的漏源間電阻 為rDS，則必然有：R5=2( R6+ rDS)。由于FETl 的漏源間電阻rDS是在易于控制的幾百歐至幾十千歐范圍內(nèi)假設(shè)rDS為1 kΩ左右，則可以?。? R5=10kΩ，R6=振幅探測(cè)電路A1b、DD2和R9～R11，是簡(jiǎn)易全波整流電路，其后接是濾波電路。設(shè)二極管的正向電壓為VF，由于D1和D2的作用，當(dāng)A1a的輸出在VF～+VF的范圍時(shí)A1b的輸出就為0。但是A1a的輸出大于+VF時(shí)，A1b作為增益為R10 /R9的反轉(zhuǎn)放大器；在A1a的輸出小于VF時(shí)，A1b作為增益為1的電壓輸出器。結(jié)果A1b的輸出端出現(xiàn)負(fù)的全波整流波形。對(duì)它作進(jìn)一步負(fù)的峰值檢波，就得到直流電壓。R9，R10和R11 :由于A1a的輸出為負(fù)時(shí)的增益是1，所以必須使此時(shí)增益為1，為此取R9=R10=20kΩ。同時(shí)也取R11=20kΩ。 D1，D2和D3 :由于這里所處理的信號(hào)幅度較大，所以VF沒(méi)有必要特別小，故而采用小信號(hào)二極管1S1588。 R12和C8 :該時(shí)間常數(shù)越大，失真度就越小，但太大也有副作用。里取經(jīng)驗(yàn)值1SEC，所以取R12= 1MΩ，C8=1μF。可變電阻電路 該電路是利用FET的rDS由柵
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