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正文內(nèi)容

rf預(yù)失真技術(shù)應(yīng)用培訓(xùn)講座ppt(編輯修改稿)

2025-03-20 13:21 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 A G CA L CS W一、線性化技術(shù)分類 ?傳統(tǒng)的模擬預(yù)失真線性化技術(shù) 技術(shù)闡述: 預(yù)失真器: 即互調(diào)產(chǎn)生單元的基本結(jié)構(gòu) 。 預(yù)失真技術(shù)的基本思想是在 PA前面產(chǎn)生一個(gè)失真特性與主功放特性相近的失真信號(hào) , 將其反相后對(duì)主功放的非線性做補(bǔ)償 。 預(yù)失真信號(hào)產(chǎn)生于一個(gè)工作在非線性區(qū)的小信號(hào)管子 , 此小信號(hào)管子的非線性特性應(yīng)該和后面主功放的特性相一致 。 預(yù)失真技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)有:結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單 , 易于實(shí)現(xiàn) , 成本低廉 , 可生產(chǎn)性強(qiáng) 。 其主要缺陷在于:預(yù)失真器的失真特性很難和主功放完全一致 , 所以其誤差對(duì)消效果要稍差;預(yù)失真器和主功放的多載波特性 、 寬帶特性會(huì)有更大不同 , 所以其無(wú)法支持多載波 , 使用帶寬也較窄 。 ? Sintera IC模擬預(yù)失真技術(shù)特點(diǎn) ? 技術(shù)優(yōu)勢(shì)和技術(shù)局限性 ? RF IC預(yù)失真技術(shù)應(yīng)用設(shè)計(jì)原理介紹 ? 目前, RF IC預(yù)失真發(fā)展?fàn)顩r ? RF IC預(yù)失真技術(shù)產(chǎn)品化規(guī)劃 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) Sinter IC模擬預(yù)失真技術(shù)特點(diǎn) RF AP 預(yù)失真技術(shù) IC型號(hào) 適用制式 適用功率 模塊效率 瞬時(shí)帶寬,對(duì)消 技術(shù)應(yīng)用現(xiàn)狀 SC1887 CDMA\WCDMA\LTE 12W/25W 27% 20MHz, 16dB SC1887已量產(chǎn)。 SC1889 CDMA\WCDMA\LTE 50W 25% 20MHz, 20dB GSM 80W 45% 20MHz, 26dB SC1889應(yīng)用于 GSM未投放市場(chǎng); SC1869意義不大。 SC1869 CDMA\WCDMA\LTE 5W / 20MHz, 15dB 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) ? 反饋信號(hào)下變頻處理; ? 頻域內(nèi)實(shí)現(xiàn)預(yù)失真; ? 采用 Volterra函數(shù)級(jí)數(shù)迭代運(yùn)算法實(shí)現(xiàn)預(yù)失真矯正。 ? 大動(dòng)態(tài)和線性處理; ? 直流分量的處理; ? 程序處理和溫度變化的穩(wěn)定性; RF IC預(yù)失真技術(shù)優(yōu)勢(shì) ? 預(yù)失真高度集成 IC,外圍電路簡(jiǎn)單; ? WCDMA, WiMax, TDSCDMA, CDMA2022, DVBH, LTE、 GSM ? 多載波、高線性、高效率、低成本、小型化 ; ? 可生產(chǎn)性好 。 ? VBW達(dá)到 20MHz。工作帶寬達(dá)到 250MHz;( 廠家 VBW標(biāo)稱 60MHz) ? 對(duì)消能力達(dá)到 20—26dB。 ? 由于電流小,功耗僅有 。適合中小功率功放,比 DPD有優(yōu)勢(shì); 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) RF IC預(yù)失真技術(shù)缺點(diǎn) ? 由于對(duì)消能力有限,對(duì)于初始線性好的,對(duì)消能力反而差; ? 目前 GSM暫時(shí)不成熟 ; ? 目前暫時(shí)不支持混模制式;擴(kuò)頻類可以支持多制式; ? 由于矯正對(duì)消能力局限性和對(duì) LDMOS電路 P1的要求,應(yīng)用受限于50W一下; RF IC預(yù)失真技術(shù)應(yīng)用設(shè)計(jì)原理介紹 ? 預(yù)失真技術(shù)原理框圖 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) RF IC預(yù)失真技術(shù)應(yīng)用設(shè)計(jì)原理介紹 ? IC預(yù)失真器內(nèi)部原理框圖 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) RF IC預(yù)失真技術(shù)應(yīng)用設(shè)計(jì)原理介紹 ? IC預(yù)失真器內(nèi)部原理框圖 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) RF IC預(yù)失真技術(shù)應(yīng)用設(shè)計(jì)原理介紹 ? IC預(yù)失真器內(nèi)部原理 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) ? RF信號(hào)處理: I/Q正交調(diào)制;將調(diào)制后的信號(hào)和矯正后的 矢量誤差信號(hào)合成; ? 矯正處理;產(chǎn)生一個(gè) RFin包絡(luò)信號(hào)的寬帶 I/Q調(diào)制 Volterra多項(xiàng)式函數(shù); ? 矢量誤差分析:對(duì)進(jìn)行矢量誤差迭代運(yùn)算,最終在 Volterra函數(shù)級(jí)數(shù)里面找個(gè)一個(gè)最佳的自適應(yīng)系數(shù); ? I/Q誤差信號(hào)產(chǎn)生:將 RFin和 RFFB信號(hào)進(jìn)行比較處理,產(chǎn)生 I/Q誤差信號(hào)。 RF IC預(yù)失真技術(shù)應(yīng)用設(shè)計(jì)原理介紹 ? IC預(yù)失真器 Volterra多項(xiàng)式函數(shù)產(chǎn)生的原理圖(迭代運(yùn)算法) 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) RF IC預(yù)失真技術(shù)應(yīng)用設(shè)計(jì)原理介紹 ? IC預(yù)失真器 Volterra級(jí)數(shù)的產(chǎn)生原理圖(迭代運(yùn)算法) 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) RF IC預(yù)失真技術(shù)應(yīng)用設(shè)計(jì)原理介紹 ? IC預(yù)失真器內(nèi)部原理 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) RF IC預(yù)失真技術(shù)應(yīng)用設(shè)計(jì)原理介紹 ? IC輸入功率、耦合功率、反饋功率要求,駐波要求; ? PCB設(shè)計(jì)要求 ? AGC電路位置確定原則 ? 對(duì)時(shí)延要求 ? 對(duì) Doherty參數(shù)的要求 ? 噪聲系數(shù)設(shè)計(jì)要求 ? 對(duì)預(yù)推動(dòng) IC放大器線性要求 ? 監(jiān)控 MCU和預(yù)失真 IC通信要求 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) RF IC預(yù)失真技術(shù)應(yīng)用設(shè)計(jì)原理介紹 二、 RF AP(IC)預(yù)失真線性化技術(shù) B l o c k D i a g r a m f o r 2 1 0 0 M H z 2 5 W P AR F I nA ? V R E FP W R _ I NA G C 1 d B m1 4 d BA H 1 2 5 4 . 3 d B 1 2 d B m 6 d B mA v g = 7 d B m2 4 . 5 n s+ +J 1V I N _ O V D 1 d B2 0 M H zA D L 5 5 0 0R F O u tA BP W R _ R E VP W R _ O U TC M M 6 0 0 44 4 . 2 d B m4 4 . 3 d B m 2 0 2 5 2 . 7 d B m 1 . 7 d B m 5 74 4 d B m0 d B m 1 d B mJ 2A7 . 3 d B m7 . 3 d B m 5B L F 6 G 2 1 L S 1 03 0 d BA D L 5 5 0 0A D 8 3 6 2 1 0 d B 1 . 7 d B mMatcing NetworkBALUNL i n e a rr e g u l a t o r sP o w e rS u p p l e + 5 VMatcing NetworkBALUNR F I N PR F I N NR F O U T PR F O U T NR F F
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