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正文內(nèi)容

工業(yè)催化原理第四章第二講(編輯修改稿)

2025-02-16 04:38 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 29 邊位錯及螺旋位錯 ? 圖中, ABCD面是滑動面, EF線是邊位錯,它清楚地指明了滑動與未滑動之間的界限,也清楚地看也在一個完整的晶格上附加了半個原子面。邊位錯線上的每個格子點(分子、原子或離子),面對一個間隙,取代了鄰近的格子點。雜質(zhì)原子就易于在此間隙處富集。對比理想晶格與邊位錯晶格的平移圈(剪頭的方塊線),清楚地看出后者比前者少一個平移單位。 ? 螺旋位錯有一螺旋軸,它與位錯線相平行。設(shè)想圖 3(b)中把一塊晶體割裂,將右邊向下切,直至左邊的 A與右邊的 A′ 差了一個原子距。如此一來,晶體中原來彼此平行的晶面現(xiàn)在變成參差不齊,好像一個螺旋體。滑動面即 AA′ BB′ 。真實晶體中出現(xiàn)的位錯,多是這兩類位錯的混合體,并趨向于形成環(huán)的形式。一種多晶物質(zhì)常由許多種微晶、且以不同的取向組合而成,組合的界面就是位錯。 2. 堆垛層錯和顆粒邊界 ? 圖 33 堆垛層錯 (a)、 (b)、 (c) ? 堆垛層錯是由于晶面的錯配和誤位所造成。對于一面心立方的理想晶體,其晶面應(yīng)為 ABCABC的順序排列。 (a)中少了一個 A面, (b)中多了一個 A ? 面, (c)中多了半個 A面,從而造成位錯。對于六方密堆晶體,原子排列為 ABABAB順序,也可能因缺面而造成位錯。 ? 任何實際晶體,常由多塊小晶粒拼嵌而成,小晶粒中部的格子是完整的,而界區(qū)則是非規(guī)則的,如圖: ?
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