【文章內容簡介】 常用擴展時芯片沒有使用的高位地址線直接選擇芯片。 （ 2）譯碼器譯碼法：用擴展時芯片沒有使用的高位地址線作為譯碼器的輸入，譯碼產生片選信號。 程序存儲器擴展 2022/2/16 單片機原理及其應用 42 （ 1） 2片外部程序存儲器的擴展 用 2片 2764為 80C51單片機擴展 16K的外部程序存儲器。 程序存儲器擴展 80C 51P0P ~ P AL EP S E NEAD7~ D0A7~ A0A12~ A8OECEP G MVppVc cD7~ D0A7~ A0A12~ A8OECEP G MVppVc cP GD7|D0Q7|Q0E2764 2764Vc c88 8888855 574L S373RI C 0I C 1I C 2 I C 380C51單片機擴展 16K的外部程序存儲器 2022/2/16 單片機原理及其應用 43 為了使擴展的程序存儲器空間與 80C51片內的 4KROM不沖突（地址范圍： 0000~0FFFH），令 ＝ 1，擴展16K的外部程序存儲器地址分配如下（ 默認為 0）： 程序存儲器擴展 系統(tǒng)的程序存儲器空間分配為： 片內 ROM： 0000~0FFFH； IC2： 2022~3FFFH； IC3： 6000~7FFFH。 2022/2/16 單片機原理及其應用 44 （ 2）多片外部程序存儲器的擴展 譯碼器譯碼方法是使用譯碼器對 MCS51單片機的高位地址進行譯碼，用譯碼器的輸出作為存儲器芯片片選，以實現各擴展芯片片選不會同時有效，避免 CPU訪問沖突事件的發(fā)生。 譯碼器譯碼方法是單片機擴展時常用的一種方法。常用的譯碼器芯片有 2－ 4譯碼器（ 74LS139）、 3－ 8譯碼器（ 74LS138）和 4－ 16譯碼器（ 74LS154）。 程序存儲器擴展 2022/2/16 單片機原理及其應用 45 1） 2－ 4譯碼器 74LS13912345671A1BG NDG18161514131211109Vc c0Y11Y12Y13Y12A2BG20Y21Y22Y23Y274LS139引腳圖 74LS139真值表 程序存儲器擴展 2022/2/16 單片機原理及其應用 46 （ 2） 3－ 8譯碼器 程序存儲器擴展 74LS1381234567ABCG NDG 2A8161514131211109Vc c0Y7YB2GG11Y2Y3Y4Y5Y6Y2022/2/16 單片機原理及其應用 47 74LS138的功能表 程序存儲器擴展 2022/2/16 單片機原理及其應用 48 （ 3）采用譯碼器譯碼產生片選的程序存儲器擴展 程序存儲器擴展 80C 51P0P ~ P AL EP S E NEAP GD7|D0Q7|Q0E88574L S 373I C 1I C 074L S 139P D7~ D0A7~ A0A12~ A8OECE2764885I C 4D7~ D0A7~ A0A12~ A8OECE2764885I C 5D7~ D0A7~ A0A12~ A8OECE2764885I C 6D7~ D0A7~ A0A12~ A8OECE27648885I C 30Y1Y2Y3YBAGI C 2采用 4片 2764為 80C51擴展 32K的外部程序存儲器 2022/2/16 單片機原理及其應用 49 擴展 32K的外部程序存儲器地址分配如下（ 默認為 0）： 程序存儲器擴展 2022/2/16 單片機原理及其應用 50 系統(tǒng)中各個芯片的地址范圍如下 IC3地址范圍： 0000~1FFFH； IC4地址范圍： 2022~3FFFH； IC5地址范圍： 4000~5FFFH； IC6地址范圍： 6000~7FFFH； 程序存儲器擴展 2022/2/16 單片機原理及其應用 51 擴展 32K的外部程序存儲器采用全譯碼方式產生片選信號的電路： 程序存儲器擴展 采用譯碼器譯碼的方法產生片選時，如果全部的高位地址線都參加譯碼，稱為全譯碼；如果僅有部分高位地址線參與譯碼，稱為部分譯碼。 2022/2/16 單片機原理及其應用 52 擴展程序存儲器應注意： （ 1） 根據應用系統(tǒng)容量要求選擇 EPROM 芯片時，應使應用系統(tǒng)電路盡量簡化，在滿足容量要求時盡可能選擇大容量芯片，以減少芯片組合數量。 （ 2）擇好 EPROM容量后，要選擇好能滿足應用系統(tǒng)應用環(huán)境要求的芯片型號。如最大讀取時間、電源容差、工作溫度以及老化時間等。 （ 3）通用 EPROM 芯片管腳有一定的兼容性，在電路設計時應充分考慮其兼容特點。如 276 271227256 ，可將第 2 27 管腳的印刷電路連線設計成易于改接的形式。 程序存儲器擴展 2022/2/16 單片機原理及其應用 53 常用靜態(tài)數據存儲器芯片 單片機擴展外部數據存儲器時，大都采用靜態(tài) RAM，使用較為方便，不需要考慮刷新的問題。常用的靜態(tài)數據存儲器芯片有： 6116（ 2K 8）、 6264（ 8K 8）、62256（ 32K 8）等。 數據存儲器擴展 6116 6264 62256 2022/2/16 單片機原理及其應用 54 6116 是 2Kx8 位靜態(tài)隨機存儲器芯片，采用 CMOS 工藝制作，單一 +5V 電源，額定功耗 160mW，典型存取時間為 200ns， 24個引腳，雙列直插式封裝。 A0— A10 ： 11位地址線；共有 2048個單元。 IO0~IO7： 8位數據線； CE：片選信號，低電平有效； OE：輸出控制。在 CE為低電平時， OE為低電平把A0— A10所指定的單元的內容從數據線 IO0~IO7輸出。 WE：寫入控制。在 CE為低電平時， WE為低電平把數據線 IO0~IO7輸入的數據寫入到 A0— A10指定的單元。 數據存儲器擴展 （ 1） 6116 2022/2/16 單片機原理及其應用 55 6116的工作方式 數據存儲器擴展 2022/2/16 單片機原理及其應用 56 （ 2） 6264 6264是 8K 8 位的靜態(tài)隨機存儲器芯片，單一 +5V 電源，額定功耗 200mW，典型存取時間為 200ns。 28個引腳，雙列直插式封裝。 數據存儲器擴展 6264的工作方式 2022/2/16 單片機原理及其應用 57 （ 3） 62256 62256是 32K 8 位的靜態(tài)隨機存儲器芯片，單一+5V 電源， 28個引腳，雙列直插式封裝。 數據存儲器擴展 62256的工作方式 2022/2/16 單片機原理及其應用 58 外部數據存儲器的擴展方法及時序 數據存儲器擴展 M C S 51P0P2AL E鎖存器GD7~ D0A7~ A0A15~ A8OERDWRWER AM單片機擴展外部 RAM 的原理圖 2022/2/16 單片機原理及其應用 59 數據存儲器擴展 擴展的外部數據存儲器通過地址總線、數據總線和控制總線與 MCS51單片機相連，由 P2口提供存儲單元地址的高八位、 P0口經過鎖存器提供地址的低 8位，P0口也分時提供雙向的數據總線，外部數據存儲器的讀寫由 MCS51單片機的 RD（ ）和 WR（ ）控制。顯然，程序存儲器與外部數據存儲器使用同一地址總線，它們的地址空間是 完全重疊的 ，但由于單片機訪問外部程序存儲器時，使用 PSEN控制對外部程序存儲器單元的讀取操作，即使程序存儲器和數據存儲器的單元地址完全相同，也不會造成訪問沖突。 MCS51單片機的外部數據存儲器的最大尋址空間為 64K，即 0000~0FFFFH。由于 MCS51單片機的外部數據存儲器和外部 I/O口是統(tǒng)一編址的，它們共同占用這一地址空間。 2022/2/16 單片機原理及其應用 60 讀取外部數據存儲器由下列指令實現： MOVX A, @DPTR 或 MOVX A, @Ri。 CPU執(zhí)行這種指令需要 2個機器周期，第 1個機器周期 CPU從程序存儲器中取指令，第 2個機器周期 CPU執(zhí)行指令，讀取數據存儲器的指定單元的內容。在讀取周期中， P2口輸出外部數據存儲器單元地址的高八位（ A15~A8）， P0口輸出單元地址的低八位（ A7~A0）。 數據存儲器擴展 2022/2/16 單片機原理及其應用 61 MCS51單片機讀外部數據存儲器的時序 數據存儲器擴展 2022/2/16 單片機原理及其應用 62 MCS51 單片機寫外部數據操作過程與的讀周期類似。外部數據存儲器寫入操作由下列指令實現：MOVX @DPTR, A 或 MOVX @Ri, A。 數據存儲器擴展 MCS51 單片機寫外部數據存儲器的時序 2022/2/16 單片機原理及其應用 63 靜態(tài) RAM擴展電路 （一） 單片靜態(tài) RAM芯片的擴展 （ 1）采用 6264為 MCS51單片機擴展 8K外部數據存儲器 數據存儲器擴展 P P P P P P P P P P P P P P P P D7D6D5D4D3D2D1D0Q7Q6Q5Q4Q3Q2Q1Q0GED7D6D5D4D3D2D1D0A7A6A5A4A3A2A1A0VCC+ 5VA12A11A10A9A8EA8 0 C5 1 62647 4 L S3 7 3+ 5VRAL ECE 2CE 1WEOEWRRD2022/2/16 單片機原理及其應用 64 數據存儲器擴展 若默認 為 0，用 6264擴展的 8K外部數據存儲器地址 范圍是： 0000~1FFFH。 8K外部數據存儲器地址分析： 2022/2/16 單片機原理及其應用 65 （ 2） 單片機外部 RAM的使用 例 1 把系統(tǒng)中的 0250H單元的內容轉存到單片機內部 RAM的 20H單元。 MOV DPTR,0250H。 MOVX A,@DPTR。 M