[工學(xué)]浙江大學(xué)模電課件(編輯修改稿)
2025-02-15 11:37 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 II ????直流共射電流放大系數(shù)： 200~20, ???? ??BCII交流共射電流放大系數(shù)： ECII??直流共基電流放大系數(shù)： ~, ???? ??ECII交流共基電流放大系數(shù)： 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ?極間反向電流 ?集電結(jié)反向飽和電流 ICBO ?穿透電流 ICEO ?取決于溫度和少子濃度。 小功率硅管， ICBO小于 ； 鍺管 ICBO在幾 μA至十幾 μA 。 ?發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極間的反向飽和電流。 ?基極開路，集射間加上一定反向電壓時(shí)， 從集電極穿過基區(qū)流入發(fā)射極的反向飽和電流。 ?ICEO是衡量三極管性能穩(wěn)定與否的重要參數(shù)之一 ， 值愈小愈好 。 小功率硅管在幾微安以下 ， 小功率鍺管約在幾十至幾百微安 。 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ? 極限參數(shù) ?集電極最大允許電流 ICM ?電流放大系數(shù) β下降至正常值 2/3時(shí)的 IC值 ?集電極最大允許功率損耗 PCM ?PCM = IC VCE PCM取決于管子所允許的溫升。 硅管最高結(jié)溫為 150℃ ，鍺管為 75℃ 。 超過這個(gè)數(shù)值將導(dǎo)致管子性能迅速變壞，以至燒毀。 PCM與散熱條件有關(guān)。 ?反向擊穿電壓 ?V(BR)EBO ：集電極開路， Je結(jié)的反向擊穿電壓，值幾伏～十幾伏 。 ?V(BR)CBO ：發(fā)射極開路， Jc結(jié)的反向擊穿電壓，值通常為幾十伏， 高反壓管可高達(dá)上千伏 。 ?V(BR)CEO ：基極開路， JCJE間的反向擊穿電壓，通常比 V(BR)CBO小。 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ? 三極管的安全工作范圍和溫度穩(wěn)定性 ?三極管的安全工作范圍 三極管的下列三個(gè)極限參數(shù)： PCM、 ICM和 V(BR)CEO 在輸出特性曲線上畫出安全工作區(qū) 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ?三極管的溫度穩(wěn)定性 ?輸入特性與溫度的關(guān)系 溫度升高 ， 發(fā)射結(jié)正向壓降 VBE減小 ， 溫度系數(shù)約 ℃ ICBO 、 ICEO 、 β均隨溫度升高迅速增大， 溫度升高，整族輸出特性曲線都上移，曲線間距拉大 。 ?輸出特性與溫度的關(guān)系 集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) 場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管的伏安特性及其模型 ?一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)介 ?簡(jiǎn)稱：場(chǎng)效應(yīng)管 ?利用極間電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流。 ?輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、噪聲低、抗輻射能力強(qiáng)、 體積小、功耗低、制造工藝簡(jiǎn)單、易于大規(guī)模集成。 ?分類： ?工作電流主要由多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)形成。 ???????????????????????????溝道溝道結(jié)型耗盡型增強(qiáng)型溝道耗盡型增強(qiáng)型溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管PNPN集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 —— 電子器件基礎(chǔ) ?二、 N溝道增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 ?基本結(jié)構(gòu)與電路符號(hào) ?2個(gè) N+加襯底 P， 加 SiO2， 再加鋁極。 MOS(MetalOxideSemiconductor)
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