[工學]浙江大學模電課件(編輯修改稿)
2025-02-15 11:37 本頁面
【文章內容簡介】 II ????直流共射電流放大系數(shù)： 200~20, ???? ??BCII交流共射電流放大系數(shù)： ECII??直流共基電流放大系數(shù)： ~, ???? ??ECII交流共基電流放大系數(shù)： 集成電子技術基礎教程 —— 電子器件基礎 ?極間反向電流 ?集電結反向飽和電流 ICBO ?穿透電流 ICEO ?取決于溫度和少子濃度。 小功率硅管， ICBO小于 ； 鍺管 ICBO在幾 μA至十幾 μA 。 ?發(fā)射極開路時，集電極與基極間的反向飽和電流。 ?基極開路，集射間加上一定反向電壓時， 從集電極穿過基區(qū)流入發(fā)射極的反向飽和電流。 ?ICEO是衡量三極管性能穩(wěn)定與否的重要參數(shù)之一 ， 值愈小愈好 。 小功率硅管在幾微安以下 ， 小功率鍺管約在幾十至幾百微安 。 集成電子技術基礎教程 —— 電子器件基礎 ? 極限參數(shù) ?集電極最大允許電流 ICM ?電流放大系數(shù) β下降至正常值 2/3時的 IC值 ?集電極最大允許功率損耗 PCM ?PCM = IC VCE PCM取決于管子所允許的溫升。 硅管最高結溫為 150℃ ，鍺管為 75℃ 。 超過這個數(shù)值將導致管子性能迅速變壞，以至燒毀。 PCM與散熱條件有關。 ?反向擊穿電壓 ?V(BR)EBO ：集電極開路， Je結的反向擊穿電壓，值幾伏～十幾伏 。 ?V(BR)CBO ：發(fā)射極開路， Jc結的反向擊穿電壓，值通常為幾十伏， 高反壓管可高達上千伏 。 ?V(BR)CEO ：基極開路， JCJE間的反向擊穿電壓，通常比 V(BR)CBO小。 集成電子技術基礎教程 —— 電子器件基礎 ? 三極管的安全工作范圍和溫度穩(wěn)定性 ?三極管的安全工作范圍 三極管的下列三個極限參數(shù)： PCM、 ICM和 V(BR)CEO 在輸出特性曲線上畫出安全工作區(qū) 集成電子技術基礎教程 —— 電子器件基礎 ?三極管的溫度穩(wěn)定性 ?輸入特性與溫度的關系 溫度升高 ， 發(fā)射結正向壓降 VBE減小 ， 溫度系數(shù)約 ℃ ICBO 、 ICEO 、 β均隨溫度升高迅速增大， 溫度升高，整族輸出特性曲線都上移，曲線間距拉大 。 ?輸出特性與溫度的關系 集成電子技術基礎教程 —— 電子器件基礎 場效應管 場效應管的伏安特性及其模型 ?一、場效應晶體管簡介 ?簡稱：場效應管 ?利用極間電壓產生的電場效應來控制電流。 ?輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、噪聲低、抗輻射能力強、 體積小、功耗低、制造工藝簡單、易于大規(guī)模集成。 ?分類： ?工作電流主要由多數(shù)載流子的漂移運動形成。 ???????????????????????????溝道溝道結型耗盡型增強型溝道耗盡型增強型溝道絕緣柵型場效應管PNPN集成電子技術基礎教程 —— 電子器件基礎 ?二、 N溝道增強型絕緣柵型場效應管 ?基本結構與電路符號 ?2個 N+加襯底 P， 加 SiO2， 再加鋁極。 MOS(MetalOxideSemiconductor)
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