[ppt模板]第二章精細(xì)有機(jī)合成的理論基礎(chǔ)(編輯修改稿)
2025-02-15 09:07 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 的因素v底物結(jié)構(gòu)v離去基v親核試劑v反應(yīng)介質(zhì)有利于 C+，有利于 SN1不利于 C+ ，有利于 SN2 總而言之:① 底物結(jié)構(gòu)的影響CH3X RCH2X R2CHX R3CXSN2 SN1推電子基有利于形成 C+，有利于 SN1反應(yīng)；吸電子基不利于形成 C+，有利于 SN2反應(yīng) .SN1SN2吸電子基不利于 C+ 穩(wěn)定，同時使電子云密度降低。圖 鹵代烷烷基對水解速度的影響② 離去基的影響離去基的離去難易對 SN1 和 SN2都有影響。部分離去基的離去難易順序 :RSO3 I ClBr RCOO OH NH2 ③ 親核試劑的影響只對 SN2反應(yīng)有影響 .親核性： 堿性大小比較例 C2H5O OH PhO CH3CH2S H2O例 F Cl Br I and PhS PhO ④ 溶劑的影響（書中不嚴(yán)密）形成新的 CO鍵形成新的 CS鍵形成新的 CC鍵形成新的 CN鍵RX ：烷基化試劑脂肪族親和取代反應(yīng)3. 芳香環(huán)上 H的親核取代氧化劑可加快反應(yīng)反應(yīng)太難4. 芳環(huán)上取代基的親核取代芳環(huán)上的親電取代可引入 :SO3H, NO2, NO, X, R, COR, CH2COOH, NHNH2芳環(huán)上的親核取代可引入 :OH, OR, OAr, NH2, NHR, NRR39。, NHAr, CN, SH①① 重要性重要性雙分子歷程雙分子歷程底 物： 芳香性、穩(wěn)定；試 劑： 親核性、正離子；中間體： σ絡(luò)合物、碳正離子；產(chǎn) 物： 芳香性、穩(wěn)定反應(yīng)速率與二種反應(yīng)物濃度有關(guān)雙分子二步反應(yīng)第一步為決速步② 反應(yīng)歷程ArSN2單分子歷程單分子歷程反應(yīng)速率只與重氮鹽濃度有關(guān)。反應(yīng)速率只與重氮鹽濃度有關(guān)。反應(yīng)底物活性差，反應(yīng)試劑活性強(qiáng)證據(jù) : 同位素效應(yīng)苯炔歷程苯炔歷程 (消除消除 加成機(jī)理加成機(jī)理 )v離去基團(tuán)共軛位有 供電子取代基，對反應(yīng)不利。v芳環(huán)上同時有多個離去基團(tuán)（ Cl， SO3H, NO2， CN， N=N等 )同時存在時， Cl優(yōu)先被置換。 ③③ 其它基團(tuán)的影響其它基團(tuán)的影響注意：吸電子基有利于反應(yīng)吸電子基有利于反應(yīng)重氮基易于分解重氮基易于分解 .CN 易于水解易于水解X 是最好的離去基團(tuán)是最好的離去基團(tuán)更穩(wěn)定 反應(yīng)更容易④ 離去基團(tuán)的影響β消除消除α消除消除其它消除其它消除 環(huán)合環(huán)合 1,1 消除1,2 消除 消除反應(yīng)消除反應(yīng)一個分子同時失去二個原子或基團(tuán)形成新化合物的反應(yīng)。1. β消除可能的路徑 E2E1炔 碳雜雙鍵E1cbB: 堿性強(qiáng) .ν=k[B] [RX] 反位消除一步①① 雙分子消除雙分子消除 (E2)E2重排 碳正離子ν=k[R3CX]②② 單分子歷程單分子歷程 (E1)E1反位消除vSaytzeff 規(guī)則
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