[工學(xué)]7第七章mcs—5l單片機(jī)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)(編輯修改稿)
2025-02-15 08:58 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 74LS273 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 G Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 ALE OE （ b）使用 74LS373 二 . 外部地址譯碼器 1． 74LS138 74LS138是一種 3～ 8譯碼器，有 3個(gè)數(shù)據(jù)輸入端，經(jīng)譯碼產(chǎn)生 8種狀態(tài)。 2． 74LS139 74LS139是一種雙 24譯碼器。這兩個(gè)譯碼器完全獨(dú)立，分別有各自的數(shù)據(jù)輸入端、譯碼狀態(tài)輸出端以及數(shù)據(jù)輸入允許端。 A B C G2A G2B G1 Y7 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 Vcc Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 圖 75 74LS138引腳圖 7． 3． 4 典型 EPROM擴(kuò)展電路 一、注意事項(xiàng) 在設(shè)計(jì) EPROM擴(kuò)展電路時(shí)，應(yīng)注意如下幾點(diǎn)： 1．根據(jù)應(yīng)用系統(tǒng)容量要求來(lái)選擇 EPROM芯片的容量。選取原則是盡量選擇大容量芯片，因?yàn)檫x擇大容量芯片不僅可以減少芯片的組合數(shù)量，而且具有價(jià)格相對(duì)便宜，程序量可擴(kuò)展的優(yōu)點(diǎn)。 2．根據(jù) EPROM的最大讀取時(shí)間、電源容差、工作溫度等主要參數(shù)選擇 EPROM的型號(hào)。 3．選擇的地址鎖存器不同，電路連接就不同。目前常用的幾種地址鎖存器，其引腳均兼容。 4． Intel公司的通用 EPROM芯片引腳有一定的兼容性，在電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)充分考慮其兼容特點(diǎn)。 5． 8031使用外擴(kuò)存儲(chǔ)器， EA必須接地。 EA 8031 P P ～ P P ～ 地址 鎖存器 PSEN OE A 15 A 8 ～ CE A 7 A 0 ～ D 7 D 0 ～ 外部 程序 存儲(chǔ)器 0K～ 64K 外部程序存儲(chǔ)器一般連接方法 二、使用單片 EPROM的擴(kuò)展電路 外部程序存儲(chǔ)器一般連接方法 圖 77 MCS51外擴(kuò) 16K字節(jié) EPROM的 27128的線路圖。 圖 77 8031與的 27128的接口電路 地址分析： A15 A14 A13 A12 ,A11 A10 A9 A8 ,A7 A6 A5 A4 ,A3 A2 A1 A0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 …… …… 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 地址范圍 0000H~3FFFH 16KB PSEN A8 A9 A10 A11 A12 OE 8031 27256 （ 32KX8） CE EA ALE A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 QO Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 OE SYB 8282 A13 A14 圖 77 8031與的 27256 的接口電路 PSEN A8 A9 A10 A11 A12 OE 8031 27512 （ 64KX8） CE EA ALE A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 QO Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 CLR CLK 74LS273 A13 +5V A14 A15 圖 77 8031與的 27512 的接口電路 三、使用多片 EPROM的擴(kuò)展電路 與單片 EPROM擴(kuò)展電路相比，多片EPROM的擴(kuò)展除片選線 CE外，其它均與單片擴(kuò)展電路相同。 P0 ~ ALE PSEN EA 8031 Y3 Y2 Y1
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