基于單片機(jī)控制的變頻器設(shè)計(jì)電子專業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)畢業(yè)論文(編輯修改稿)
2025-02-14 14:23 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 XB841參數(shù)指標(biāo) 輸入電壓20V，可驅(qū)動(dòng)IGBT數(shù)量為2路，可驅(qū)動(dòng)上下橋臂隔離電壓2kV以上，驅(qū)動(dòng)能力：結(jié)電容， 1uf工作頻率：100kHz（最高）；三、 硬件設(shè)計(jì)1. 主電路方案主電路采用交 直 交電壓型逆變電路, 具有接線簡單、輸出頻率任意可調(diào)、功率因數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)。原理圖如下圖1所示圖主電路整流電路中, V1~V4 采用普通整流管, 結(jié)構(gòu)簡單無需控制, 成本低廉。逆變電路由VT1~VT4 4 個(gè)IGBT( 2 個(gè)雙單元模塊) 組成, 便于實(shí)現(xiàn)變壓變頻(VVVF)控制。電容C( 其值取3 000 μF / 450V 即可) 作為儲能元件, 構(gòu)成電壓型逆變器。與電流型逆變器相比,其中間直流環(huán)節(jié)電壓值不受負(fù)載影響。IGBT 模塊的柵極信號來自單片機(jī)AT89C 51, 采用PWM技術(shù),由軟件很容易實(shí)現(xiàn)既變壓又變頻。2. IGBT的驅(qū)動(dòng) IGBT 屬電壓驅(qū)動(dòng)元件, 有一個(gè)容性輸入阻抗, 因此對IGBT 驅(qū)動(dòng)電路有較高的要求。a驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻小, 柵極電壓UGE 有足夠陡的前后沿, 使IGBT 的開關(guān)損耗盡量小。b增加UGE, IGBT 的通態(tài)壓降和開關(guān)損耗降低,但對負(fù)載短路的保護(hù)和安全不利, 實(shí)際選取UGE=15V。c關(guān)斷時(shí), 應(yīng)使柵極電容迅速放電, 給UGE 加一負(fù)偏壓, 使UGE= 5 V。根據(jù)以上要求, 采用EXB841 厚膜IGBT 高速型專用驅(qū)動(dòng)電路。EXB 841 的內(nèi)部框圖如下圖2 所示：圖EXB 841 內(nèi)部框圖EXB 841 的引腳說明: P1 接IGBT 的發(fā)射級。 P2接+20 V 直流工作電源；P3 通過150 Ω電阻接IGBT的柵極。 P4 外接電容, 防止過流保護(hù)誤動(dòng)作, 大多數(shù)情況下可不接；P5 為過流保護(hù)輸出信號, 正常時(shí)輸出高電平, 當(dāng)IGBT 過流時(shí)輸出低電平, 因此該引腳可通過光電耦合器接外電源；P6 通過快速二極管接IGBT 集電極, 快速二極管的陽
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