rf設計與應用(二)射頻內藏式被動元件設計(編輯修改稿)
2025-02-14 12:10 本頁面
【文章內容簡介】 件功能性基板設計射頻內藏被動元件功能性基板的開發(fā)研究分為兩個階段。第一階段建立離散式模組，第二階段建立內藏式模組。首先我們設計出離散式(使用SMT的電容，電感)的Power Amplifier模組，然後將SMT元件利用內藏的技術取代。使用的電晶體資料如表21所示工作直流電壓為Bias VDS = 5V 。 電流為 I = 300 mA， VGS = ， Vcc = 3V 。工作頻率 fc = 。Output P1dB = (量測結果)，增益Gain(S21) = ，詳細量測S參數請見圖22。詳細Output P1dB圖請見圖23。實作結構請見圖24。圖23 離散式功率放大器Output P1dB圖此外因為電容值是正比於兩耦合板間的介質介電常數，所以我們也可以藉由壓合高介電係數的材料來增加電容值。至於電感的架構一般可分為Spiral電感(圖27)以及Solenoid電感(圖28)，這兩種電感各有不同的優(yōu)缺點，Spiral電感製作容易，不過Q值卻太低。而Solenoid電感Q值則比Spiral電感較佳。
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