哈工大近代光學實驗報告(編輯修改稿)
2025-02-13 12:17 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 曝光光路。用平行光照射物體，其透射光與參考光干涉產(chǎn)生全息圖。一次曝光是初始狀態(tài)的樣品（或不放樣品），另一次曝光時樣品已發(fā)生變化（或放入樣品）。圖2 透明物體的雙曝光光路參考光R用平面光波或球面波均可。物體用平行光照明時，可以得到像面全息圖，即全息干板上記錄的是兩個波面干涉的像圖全息圖。再現(xiàn)時，有兩種觀察方式，一種如圖2（b）所示，用原來的參考光R照明再現(xiàn)，在小孔E處可觀察到整個物面上的條紋；另一種是根據(jù)像面全息的特點，可以用白光直接觀察，在合適的方向上可以看到干涉條紋。暗紋是黑色的，亮紋是彩色的，角度改變時，條紋的彩色也在變化，但條紋的位置不變。圖3給出了另一種典型的雙曝光光路，即漫射光照明的雙曝光光路。通常用一塊很薄的毛玻璃產(chǎn)生散射光，這樣物體可以獲得各種方向的照明。對于參考光同樣可以用平面或球面光波。用這種方式所記錄的雙曝光全息圖，再現(xiàn)時，可在原來記錄光路中（擋住物光）再現(xiàn)，也可以用一細激光束從與參考光相反的方向照明，再現(xiàn)的原始像光波是發(fā)散的，可投射到屏上觀察。圖3 漫射光照明的雙曝光光路2 雙曝光全息照相技術應用1） 雙曝光法在平面物體的位移和變形測試方面的應用用全息干涉法測量不透明物體表面的變化和位移時，可采用如圖4所示光路。圖4 平面物體位移和變形的雙曝光光路對于平面物體的位移和形變測量可采用平行光垂直照明的方式，如圖4（a）所示，第一次曝光時，物體處于自由狀態(tài)；第雙曝光時，物體處于受力的狀態(tài)，物體的位移是的函數(shù)，記作；再現(xiàn)像的干涉條紋如圖4（b）所示，N為條紋數(shù)目。2） 雙曝光技術在光刻術方面的應用光刻術是把超小線條刻印到半導體薄片上來制作復雜電路的技術，目前這些半導體電路正促使信息爆炸。這一技術是今天經(jīng)典光學設計和制造的需求量最大的應用之一。光刻技術的進展對半導體工業(yè)的顯著增長也有一定的貢獻。半導體技術從粗糙的單個晶體管到由百萬個晶體管很快將是十億個晶體管組成的微處理器和記憶芯片非同尋常的發(fā)展是一段令人神往的歷史。19
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