哈工大近代光學(xué)實(shí)驗(yàn)報(bào)告(編輯修改稿)
2025-02-13 12:17 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 曝光光路。用平行光照射物體，其透射光與參考光干涉產(chǎn)生全息圖。一次曝光是初始狀態(tài)的樣品（或不放樣品），另一次曝光時(shí)樣品已發(fā)生變化（或放入樣品）。圖2 透明物體的雙曝光光路參考光R用平面光波或球面波均可。物體用平行光照明時(shí)，可以得到像面全息圖，即全息干板上記錄的是兩個(gè)波面干涉的像圖全息圖。再現(xiàn)時(shí)，有兩種觀察方式，一種如圖2（b）所示，用原來(lái)的參考光R照明再現(xiàn)，在小孔E處可觀察到整個(gè)物面上的條紋；另一種是根據(jù)像面全息的特點(diǎn)，可以用白光直接觀察，在合適的方向上可以看到干涉條紋。暗紋是黑色的，亮紋是彩色的，角度改變時(shí)，條紋的彩色也在變化，但條紋的位置不變。圖3給出了另一種典型的雙曝光光路，即漫射光照明的雙曝光光路。通常用一塊很薄的毛玻璃產(chǎn)生散射光，這樣物體可以獲得各種方向的照明。對(duì)于參考光同樣可以用平面或球面光波。用這種方式所記錄的雙曝光全息圖，再現(xiàn)時(shí)，可在原來(lái)記錄光路中（擋住物光）再現(xiàn)，也可以用一細(xì)激光束從與參考光相反的方向照明，再現(xiàn)的原始像光波是發(fā)散的，可投射到屏上觀察。圖3 漫射光照明的雙曝光光路2 雙曝光全息照相技術(shù)應(yīng)用1） 雙曝光法在平面物體的位移和變形測(cè)試方面的應(yīng)用用全息干涉法測(cè)量不透明物體表面的變化和位移時(shí)，可采用如圖4所示光路。圖4 平面物體位移和變形的雙曝光光路對(duì)于平面物體的位移和形變測(cè)量可采用平行光垂直照明的方式，如圖4（a）所示，第一次曝光時(shí)，物體處于自由狀態(tài)；第雙曝光時(shí)，物體處于受力的狀態(tài)，物體的位移是的函數(shù)，記作；再現(xiàn)像的干涉條紋如圖4（b）所示，N為條紋數(shù)目。2） 雙曝光技術(shù)在光刻術(shù)方面的應(yīng)用光刻術(shù)是把超小線條刻印到半導(dǎo)體薄片上來(lái)制作復(fù)雜電路的技術(shù)，目前這些半導(dǎo)體電路正促使信息爆炸。這一技術(shù)是今天經(jīng)典光學(xué)設(shè)計(jì)和制造的需求量最大的應(yīng)用之一。光刻技術(shù)的進(jìn)展對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)的顯著增長(zhǎng)也有一定的貢獻(xiàn)。半導(dǎo)體技術(shù)從粗糙的單個(gè)晶體管到由百萬(wàn)個(gè)晶體管很快將是十億個(gè)晶體管組成的微處理器和記憶芯片非同尋常的發(fā)展是一段令人神往的歷史。19
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