哈工大近代光學(xué)實(shí)驗(yàn)報(bào)告(參考版)
2025-01-20 12:17本頁(yè)面
【正文】 [3]3 結(jié)論全息干涉技術(shù)在應(yīng)力分析、位移與振動(dòng)沖擊的測(cè)量，溫度、流量、表面粗糙度的測(cè)量以及工業(yè)無損檢測(cè)等方面有著廣泛的應(yīng)用，其重要特點(diǎn)是非接觸、全場(chǎng)測(cè)量、高的測(cè)量精度等。高壓合成絕緣子在檢測(cè)時(shí)，苦能給予適當(dāng)加載，有內(nèi)部缺陷的表面會(huì)呈現(xiàn)不均勻的變形。 由于試件在變形前后的兩次曝光中，光路系統(tǒng)不變，兩次曝光物光的光程差主要是由試件的變形所引起。由于其內(nèi)部缺陷在外表很難看得出來，其硬度較低，粘合好后為細(xì)長(zhǎng)件，剛性很差，對(duì)其進(jìn)行在線檢測(cè)一直是該行業(yè)面臨的一道難題。雙曝光法通過對(duì)比初始物光波面和變化后的物光波面，觀察二者之間的干涉條紋分布，測(cè)量物光波的變化。對(duì)于漫射體的測(cè)量，反射光太弱，若以此作為物光波，很難滿足干涉中物光強(qiáng)度和參考光強(qiáng)相差不大的條件，即使通過衰減參考光使其滿足，也會(huì)嚴(yán)重影響干涉圖的對(duì)比度和分辨率。因此，每一個(gè)干涉條紋就是一條等溫線，得到的干涉條紋則是一系列等溫線，它反映了溫度場(chǎng)的分布。如果采用像面全息雙曝光法，使物光通過溫度場(chǎng)（參考光不經(jīng)過溫度場(chǎng)），溫度場(chǎng)的變化則會(huì)引起折射率變化，使物光光程發(fā)生變化。采用雙曝光法，將像面全息的記錄方式和雙曝光法結(jié)合起來，具有非接觸、精度高和全場(chǎng)同時(shí)測(cè)量等優(yōu)點(diǎn)，且不會(huì)影響原有溫度場(chǎng)的分布，可廣泛應(yīng)用于溫度場(chǎng)的測(cè)量之中。隨著光纖光柵制作性能的不斷完善，將會(huì)導(dǎo)致光纖技術(shù)及其相關(guān)領(lǐng)域的又一次新的革命。全息曝光法的主要優(yōu)點(diǎn)是光柵制作周期調(diào)諧方便靈活，Bragg波長(zhǎng)可通過改變?nèi)肷涔馐g夾角很容易進(jìn)行調(diào)節(jié)。隨著雙曝光技術(shù)的不斷發(fā)展，這一技術(shù)在改變光學(xué)分辨率上將有一定的應(yīng)用前景。此外，圖像的場(chǎng)尺寸必須很大。光學(xué)投影光刻術(shù)顯示出適于完成這一任務(wù)。今天。半導(dǎo)體技術(shù)從粗糙的單個(gè)晶體管到由百萬個(gè)晶體管很快將是十億個(gè)晶體管組成的微處理器和記憶芯片非同尋常的發(fā)展是一段令人神往的歷史。這一技術(shù)是今天經(jīng)典光學(xué)設(shè)計(jì)和制造的需求量最大的應(yīng)用之一。圖4 平面物體位移和變形的雙曝光光路對(duì)于平面物體的位移和形變測(cè)量可采用平行光垂直照明的方式，如圖4（a）所
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