rf設(shè)計與應(yīng)用(五)射頻積體電路封裝(編輯修改稿)
2025-02-12 05:24 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 模組剖面示意圖 封裝技術(shù)對射頻積體電路效能的影響封裝對元件的功能主要在於傳遞電源能量及電路訊號、保護元件結(jié)構(gòu)、提供散熱管道，其中又以電能、電訊的傳輸為射頻積體電路相當(dāng)重要的考量。由於射頻電路工作頻率常在300MHz以上，其原有的低頻電路特性則因頻率的增加而有所改變，以簡單的單一導(dǎo)線為例，原為傳輸訊號導(dǎo)通與不導(dǎo)通的判定，隨著工作頻率的提升其寄生電感、肌膚效應(yīng)(Skin Effect)及寄生電阻(Parasitic Resistance)的現(xiàn)象便一一浮現(xiàn)，導(dǎo)致我們對射頻積體電路在封裝中的電性要求較為複雜。在參考資料1中所敘述，就一砷化鎵(GaAs)單晶微波積體電路(Monolithic Microwave Integrated Circuit。 MMIC)的LNA(Low Noise Amplifier)電路，利用覆晶凸塊接合至氧化鋁基板製作成覆晶測試電路，並和其裸晶的電路特性做比較（見圖五）?！鴪D五 覆晶與裸晶S參數(shù)比較圖 ▲圖六 未填膠覆晶與填膠覆晶參數(shù)比較圖兩者在工作頻段S參數(shù)的變化相當(dāng)一致，也就是說受覆晶接合封裝的單晶微波積體電路和裸晶的電性表現(xiàn)近乎相同，且受覆晶凸塊的寄生電感效應(yīng)的影響不大；不過，其中要注意的是覆晶和基板的間距至少要大於20236。m以上，以確保積體電路之原有電性。另外，為延長覆晶接合銲錫凸塊壽命，在覆晶與基板之間灌入填膠材質(zhì)，在量測比較後發(fā)現(xiàn)，S參數(shù)的增益曲線將隨工作頻率的升高，往低頻平移約3GHz（見圖六），而曲線的趨勢仍保持近似，如此電性變化表現(xiàn)和填膠材質(zhì)的介電常數(shù)有很大關(guān)係，所以高頻積體電路的覆晶填膠材質(zhì)應(yīng)以介電常數(shù)越低者為最佳選擇。而在參考資料2中，是用一組VCO電路在一般的薄型四邊平面封裝(Thin Quad Flat Pack。 TQFP)和覆晶模組錫球陣列式封裝( F l i p Module BGA Package)中，以打線連接
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