固態(tài)圖像傳感器ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-10 12:13 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 類 北京工業(yè)大學(xué)機電學(xué)院 胥永剛 胥永剛 胥永剛制 2) 面陣 CCD 167。 CCD圖像傳感器的分類 北京工業(yè)大學(xué)機電學(xué)院 胥永剛 胥永剛 胥永剛制 3) 面型固態(tài)圖像傳感器 167。 CCD圖像傳感器的分類 北京工業(yè)大學(xué)機電學(xué)院 胥永剛 胥永剛 胥永剛制 3) 面型固態(tài)圖像傳感器 167。 CCD圖像傳感器的分類 北京工業(yè)大學(xué)機電學(xué)院 胥永剛 胥永剛 胥永剛制 光譜響應(yīng)、動態(tài)范圍、信噪比、 CCD芯片尺寸等 在 CCD像素數(shù)目相同的條件下，像素點大的CCD芯片可以獲得更好的拍攝效果。大的像素點有更好的電荷存儲能力，因此可提高動態(tài)范圍及其他指標。 167。 CCD的基本特性參數(shù) 北京工業(yè)大學(xué)機電學(xué)院 胥永剛 胥永剛 胥永剛制 CCD以電荷作為信號，所以電荷信號的轉(zhuǎn)移效率就成為其最重要的性能之一。把一次轉(zhuǎn)移之后，到達下一個勢阱中的電荷與原來勢阱中的電荷之比稱為電荷轉(zhuǎn)移效率。好的 CCD具有極高的電荷轉(zhuǎn)移效率，一般可達 ，所以電荷在多次轉(zhuǎn)移過程中的損失可以忽略不計。例如，一個有 2048像元的 CCD，其信號電荷的總的電荷轉(zhuǎn)移效率為 ，即 ，損失率只有約 %。 電荷轉(zhuǎn)移效率 (CTE) 167。 CCD的基本特性參數(shù) 北京工業(yè)大學(xué)機電學(xué)院 胥永剛 胥永剛 胥永剛制 量子效率 (QE) 75 50 25 0 200 1000 800 600 400 100 量子效率(%) 波長 (nm) PDA CID PMT CCD 通常造成 QE下降的主要原因是 CCD結(jié)構(gòu)中的多晶硅電極或絕緣層把光子吸收了，尤其是對紫外部分的光吸收較多，這部分光子不產(chǎn)生光生電荷．許多線陣 CCD對紫外光的響應(yīng)較差就是這個原因。采用化學(xué)蝕刻將硅片減薄和背部照射方式，可以減少由吸收導(dǎo)致的量子效率損失。背部照射減薄的 CCD在真空紫外區(qū)的工作極限可達 1000197。 圖中是典型的 PMT(光電倍增管 )、 PDA(光電二極管陣列 )、 CID(電荷注入器件 )和CCD的量子效率?？梢姡?CCD的量子效率大大優(yōu)于 PDA和CID，在 400~700nm波段優(yōu)于PMT。 167。 CCD的基本特性參數(shù) 北京工業(yè)大學(xué)機電學(xué)院 胥永剛 胥永剛 胥永剛制 暗電流 CCD在低溫工作時，暗電流非常低，暗電流是由熱生電荷載流子引起的，冷卻會使熱生
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