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正文內(nèi)容

芯片功耗與摩爾定律的終結(jié)(編輯修改稿)

2024-11-22 11:08 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 20%30%40%50% 1 T ech n o l o g y ( ? )Leakage Power(% of Total)M u s t s t o pa t 5 0 %A. Grove, IEDM 2020 11/23/2020 EDA Lab., Tsinghua University 12 CMOS電路功耗的優(yōu)化方法 ? 由于功耗已影響到 CMOS電路設(shè)計方法學(xué),所以功耗在電路設(shè)計的各個階段都必須得到優(yōu)化。從程序匯編到電路綜合,再到邏輯級與版圖級都是如此。我的研究集中在低層功耗優(yōu)化,所以從以下兩個方面進行闡述。 ? 動態(tài)功耗優(yōu)化: A、時鐘屏蔽技術(shù); B、測試功耗優(yōu)化; C、競爭冒險消除; D、多輸入邏輯門的低功耗展開; D、分區(qū)供電。 ? 靜態(tài)功耗優(yōu)化: A、多閾值多電壓布放; B、虛擬供電網(wǎng)絡(luò); C、最小漏電流輸入向量; D、浮動襯底電壓; E、絕緣襯底( SOI)。 11/23/2020 EDA Lab., Tsinghua University 13 報告內(nèi)容 ?計算機科學(xué)發(fā)展與摩爾定律 ?集成電路功耗的組成與提高趨勢 ?高功耗對集成電路性能與可靠性的影響 ?供電系統(tǒng)( P/G) ?封裝與散熱裝置 ?可靠性 ?芯片功耗與摩爾定律的終結(jié) ?與芯片功耗相關(guān)的研究熱點 11/23/2020 EDA Lab., Tsinghua University 14 高功耗對供電網(wǎng)絡(luò) (P/G)的影響 ? 以 Intel公司下一代采用 90nm工藝的 Prescott為例,它的 Die面積為 112mm2,共集成 ,功耗為102W,供電電流為 91A,供電電壓為 ,工作頻率為 3GHz以上(網(wǎng)上材料匯總)。 ? 在 *1010S的工作周期內(nèi) ,吸 91A 電流,則充電速度最小為 *1011A/S,要求 P/G網(wǎng)必須占有足夠大的布線面積。 ? 為 , P/G網(wǎng)必然非常復(fù)雜,必須使用頂兩層粗網(wǎng)與低兩層細網(wǎng),共占用 4層布線資源。 ? 3GHz工作頻率要求,在 P/G網(wǎng)分析中,必須采用復(fù)雜的RLC等效電路模型。 11/23/2020 EDA Lab., Tsinghua University 15 P/G網(wǎng)的拓撲形式級等效模型 11/2
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