基帶基礎(chǔ)知識(shí)培訓(xùn)ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-08 03:52 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 時(shí)鐘（ SIM_CLK）、數(shù)據(jù)（ SIM_IO）、電源（ SIM_VDD）、復(fù)位（ SIM_RST） 35 單元單板 11）聲響振動(dòng) ?麥克風(fēng)（ MIC） ?將 聲 信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)的換能器 ? 交流阻抗： @1kHz ?靈敏度： － 44177。 3dB 和 － 42177。 3dB ?頻率響應(yīng) ?耳機(jī) ?話筒由麥克風(fēng)和麥克風(fēng)音腔組成 ?聽筒由 speaker和 speaker音腔組成 ?震動(dòng)馬達(dá) ?柱形（ Bar Type） ?扁平（ Coin Type） 36 單元單板 11）聲響振動(dòng) ?受話器（ Receiver） ?將 電 信號(hào)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)聲信號(hào)且緊密耦合于人耳的電聲換能器 ?交流阻抗： 32Ω177。 20% @1kHz ?靈敏度 ?頻率響應(yīng)： 100Hz－ 4kHz ?揚(yáng)聲器（ Speaker） ?與受話器的主要區(qū)別在于 功率、頻響范圍、交流阻抗 不同 ?交流阻抗 ?靈敏度 ?頻率響應(yīng) ： 10kHz以上 37 單元單板 12） FLASH ?分類： NOR和 NAND兩大系列 ?作用：程序 /數(shù)據(jù)存儲(chǔ) ?特性 ?閃存（ Flash） ?RAM（ SRAM、 PSRAM、SDRAM） ?參數(shù) ?容量（ NOR： 16+ 32+64+ NAND： 256+25512+512等） 閃存的特點(diǎn)： 容量大、存取速度快、編程方便、多塊結(jié)構(gòu) 38 單元單板 12） FLASH Flash SRAM E2PROM 存取速度 快 快 慢 掉電后數(shù)據(jù)保存 能 不能 能 可否按字節(jié)擦除 不能 能 能 存儲(chǔ)容量 最大 大 小 ?利用閃存的多塊（ BANK）結(jié)構(gòu)或者軟件 E2PROM仿真技術(shù)， 可以用 Flash替代 E2PROM。 39 單元單板 12） FLASH ?兩種方式：編程器（批量生產(chǎn)）、在線下載 ?在線下載的兩種情況 ?第一次下載 ?已下載過程序 ?自引導(dǎo)（ BOOT）程序 ?編程次數(shù)：一般為十萬次循環(huán) 40 單元單板 13）電源時(shí)鐘 ?電源 ?電池：主電池、后備電池（實(shí)時(shí)時(shí)鐘） ?電源管理芯片（ LDO、 POWER IC） ?時(shí)鐘 ?快時(shí)鐘 GSM－ 13MHz、 PHS－ CDMA－ 、 WCDMA－ ?慢時(shí)鐘（ ）：低功耗、實(shí)時(shí)時(shí)鐘 41 單元單板 14）數(shù)據(jù)線 ?作用：程序下載和數(shù)據(jù)通訊 ?分類： ?USB數(shù)據(jù)線 ?串口數(shù)據(jù)線 ?速度： ?USB型支持 12Mbps ?串口支持 460800bps 42 四、原理簡(jiǎn)介 鍵盤掃描 充電管理 音頻子系統(tǒng) 存儲(chǔ)系統(tǒng) DEBUG子系統(tǒng) 顯示子系統(tǒng) 43 鍵盤掃描 ?開關(guān)機(jī) 以 ADI430平臺(tái)為例，采用 5X5矩陣式鍵盤掃描電路，使用中斷方式進(jìn)行按鍵掃描。另有一個(gè)開機(jī)鍵，連接于 ROW0與地之間，并與電源芯片 ADP3408連接。當(dāng)此鍵按下時(shí)， ROW0 會(huì)變成低電平，導(dǎo)致 ADP3408打開各路 LDO，手機(jī)程序開機(jī)運(yùn)行。首先程序檢測(cè) ROW0輸入端保持低電平的時(shí)間是否足夠長(zhǎng)，如果足夠長(zhǎng)則正常運(yùn)行，否則會(huì)關(guān)機(jī)。關(guān)機(jī)時(shí)同樣檢測(cè) ROW0端電平，進(jìn)行類似處理。這樣實(shí)現(xiàn)了按鍵開關(guān)機(jī)功能。 其它平臺(tái)的處理方法沒有太大的差異。 44 鍵盤掃描 ?內(nèi)部邏輯框圖 45 充電管理 ?基本過程 對(duì)于鋰電池，充電方式主要有 涓流充電、恒流充電、恒壓充電和脈沖充電 四種方式。對(duì)于過放電電池，應(yīng)采用涓流充電以提高電池壽命，充電電流較小，當(dāng)電池電壓回升到 ，再增加充電電流進(jìn)入恒流充電方式。當(dāng)電池電壓上升到 ，電量接近充滿，為進(jìn)一步增加電量，此時(shí)進(jìn)入恒壓充電方式，即逐漸減小充電電流，電池電壓緩慢上升，當(dāng)電壓上升到 或者充電電流小于 30mA左右，可以認(rèn)為電池充滿，結(jié)束充電過程。 充電管理方式目前已由硬件充電轉(zhuǎn)化為軟件充電方式。 P100平臺(tái)手機(jī)就采用軟充電方式。 TI、 3G平臺(tái)也基本上是軟充電方式。 46 充電管理 ?典型曲線 47 存儲(chǔ)系統(tǒng) 手機(jī)系統(tǒng)一般均使用 flash做為程序存貯器，使用 SRAM（靜態(tài) RAM）做為隨機(jī)數(shù)據(jù)存貯器。為減小芯片面積，通常手機(jī)中使用的是將flash和 SRAM集成一體的二合一芯片，俗稱“ bo”。隨著生產(chǎn)工藝的發(fā)展，現(xiàn)在 SRAM大有被 PSRAM(偽
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1