內(nèi)存組織、原理與接口(編輯修改稿)
2025-02-02 00:16 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 線 I/O4～I/O1 – 片選 CS* – 讀寫 WE* 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 1716 15 14 13 12 11 10 Vcc A7 A8 A9 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 WE* A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS* GND 功能 18 SRAM 2114的讀周期 返回本章目錄 ? TA讀取時間 從讀取命令發(fā)出到數(shù)據(jù)穩(wěn)定出現(xiàn)的時間 給出地址到數(shù)據(jù)出現(xiàn)在外部總線上 ? TRC讀取周期 兩次讀取存儲器所允許的最小時間間隔 有效地址維持的時間 19 SRAM 2114的寫周期 返回本章目錄 ? TW寫入時間 從寫入命令發(fā)出到數(shù)據(jù)進入存儲單元的時間 寫信號有效時間 ? TWC寫入周期 兩次寫入存儲器所允許的最小時間間隔 有效地址維持的時間 20 EPROM ? 頂部開有一個圓形的石英窗口，用于紫外線透過擦除原有信息 ? 一般使用專門的編程器（燒寫器）進行編程 ? 編程后，應該貼上不透光封條 ? 出廠未編程前，每個基本存儲單元都是信息 1 ? 編程就是將某些單元寫入信息 0 21 EPROM芯片 2716 返回本章目錄 ? 存儲容量為 2K 8 ? 24個引腳： –11根地址線 A10～ A0 –8根數(shù)據(jù)線 DO7～DO0 –片選 /編程 CE*/PGM –讀寫 OE* –編程電壓 VPP VDD A8 A9 VPP OE* A10 CE*/PGM DO7 DO6 DO5 DO4 DO3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DO0 DO1 DO2 Vss 22 EPROM芯片 2764 返回本章目錄 ? 存儲容量為 8K 8 ? 28個引腳： – 13根地址線 A12～ A0 – 8根數(shù)據(jù)線 D7～ D0 – 片選 CE* – 編程 PGM* – 讀寫 OE* – 編程電壓 VPP Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND Vcc PGM* NC A8 A9 A11 OE* A10 CE* D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 23 EEPROM
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