現(xiàn)代材料分析測(cè)試技術(shù)第02章3倒易點(diǎn)陣愛瓦爾德作圖法(編輯修改稿)
2024-11-14 17:37 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 = ha* + kb* + l c* 兩個(gè)基本性質(zhì) 7 兩個(gè)基本性質(zhì) ： 1) Hhkl垂直于正點(diǎn)陣中的 hkl晶面 2) Hhkl長度等于 hkl晶面的晶面間距 dhkl的倒數(shù) 從性質(zhì)可看出，如果正點(diǎn)陣與倒易點(diǎn)陣具有同一坐標(biāo)原點(diǎn)，則 ? 正點(diǎn)陣中的每組平行晶面（ hkl)在倒易點(diǎn)陣中只須一個(gè)陣點(diǎn)就可以表示，此點(diǎn)處于 hkl的公共法線（倒易矢量方向上） ? 倒易陣點(diǎn)用它所代表的晶面指數(shù)標(biāo)定， ? 正點(diǎn)陣中晶面取向和面間距只須倒易矢量一個(gè)參量
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