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正文內(nèi)容

[工學(xué)]第5章光探測(cè)及光接收機(jī)(編輯修改稿)

2024-11-12 18:47 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 含量,可使器件在 ~ 內(nèi)工作 。 通過(guò)適當(dāng)選擇 InGaAs中的摻雜濃度,使耗盡層厚度正好等于波導(dǎo)厚度,并使 InCaAs的橫截面大于波導(dǎo)的橫截面,有可能達(dá)到 100%的量子效率。 (2) 電吸收光波導(dǎo)探測(cè)器 入射光頻姐姐禁帶寬度時(shí),光吸收的大小主要取決于外加電場(chǎng)的大小,電吸收效應(yīng) (3) 離子注入探測(cè)器 在 CaAs襯底中注入高能離子,形成光波導(dǎo)。 AsGaIn xx ?1 光接收機(jī)的性能 信噪比 1. 產(chǎn)生噪聲原因 ? ( 1) 散粒噪聲:由檢測(cè)器本身引起 入射光功率產(chǎn)生的光電流: in2s( ) ( ) ()2 2 2 ( ) : ?? ? ?? ? ? ? ? ??P s PsP d P ddI t I i t I R PitqI f qI f q I I ff q I— 平 均 信 號(hào) 電 流— 散 粒 噪 聲 的 電 流 起 伏 , 滿 足 :=光 接 收 機(jī) 帶 寬 ; : 電 荷 ; : 暗 電 流?熱噪聲 :電子在光電二極管負(fù)載電阻上的隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng),即使外加電壓為零,也產(chǎn)生電流的隨機(jī)起伏。 2n2 2 2()( 4 / ) 4 [ 2 ( ) ]?? ? ?? ? ?? ? ? ? ?? ? ? ?TT B L nLBP s TBs T p d nLitK T R f FFRTKI I I i iKTq I I F fR— — 熱 噪 聲 電 流 ;;: 放 大 器 的 熱 噪 聲 倍 數(shù) ; : 負(fù) 載 電 阻 ; : 絕 對(duì) 溫 度 ; : 玻 耳 曼 常 數(shù) 。 ( 3 ) 總 的 噪 聲 電 流 :+ =?PIN光接收機(jī):只對(duì)信號(hào)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換,而無(wú)放大功能。 222222in n( 2 ( ) 4 )( , //4in ,2inPBin d nLP inTSLBinSTRPISNRKTq R P I F fRI R P R q hf PSNR P R R K T F fPP SNRhf f?????????? ? ???????? ? ??in— 輸 入 功 率 的 響 應(yīng) 度 )當(dāng) 時(shí) , 熱 噪 聲 遠(yuǎn) 大 于 散 粒 噪 聲( )而 當(dāng) 很 大 時(shí) , 此 時(shí)?APD光接收機(jī) APD的內(nèi)部增益使產(chǎn)生的電流擴(kuò)大了 M倍,即: 2?PI M RP inSN R PI N MSN R與 相 比 擴(kuò) 大 了 倍 , 同 時(shí) 噪 聲 也 擴(kuò) 大 ,限 制 了 的 提 高 。?散粒噪聲 222 2P222S2 ( ):1( ) ( 1 ) ( 2 )()S N R 2 ( ) 4S A in dAA A AABTA d nLqM F RP I fF APDF M K M KMKI M RPinKTqM F RPin I f F fR???? ?
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