vasp用vasp46計算晶體硅能帶實例用第一原理計算和其它方法研究納米體系(碳納米管等)的電子和自旋結(jié)構(gòu)(編輯修改稿)
2024-11-12 16:49 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 s: ISMEAR = 0 。 SIGMA = broadening in eV 4tet 1fermi 0gaus Electronic relaxation 2 (details) Write flags LWAVE = T write WAVECAR LCHARG = T write CHGCAR P. 8 VASP給 INCAR文件中的很多參數(shù)都設置了默認值，所以如果你對參數(shù)不熟悉，可以直接用默認的參數(shù)值。 SYSTEM = Si Startparameter for this run: PREC = medium medium, high low ISTART = 0 job : 0new 1cont 2samecut ICHARG = 2 charge: 1file 2atom 10const EDIFF = stoppingcriterion for ELM NSW = 0 number of steps for IOM IBRION = 2 ionic relax: 0MD 1quasiNew 2CG ISIF = 2 stress and relaxation P. 9 采用自動的 MonkhorstPack K點撒取方式。對于類似于硅晶體的 半導體材料，通常 4x4x4 的 K點網(wǎng)格就夠了。 P. 10 Monkhorst Pack 0 Monkhorst Pack 4 4 4 0 0 0 ISIF = 2 stress and relaxation KPOINTS 文件： P. 11 POSCAR 文件： 采用 FCC原胞，所以每個原胞包含兩個硅原子 Si 2 Cartesian 000000000000 500000000000 P. 12 POTCAR 文件： 不需要進行任何改動，只
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