【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)報(bào)告專業(yè):電子信息工程班級(jí):姓名:學(xué)號(hào):電子與信息工程學(xué)院實(shí)驗(yàn)一Tanner軟件的安裝和使用一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握Tanner的安裝過(guò)程。2.了解Tanne
2025-03-23 12:40
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來(lái)表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來(lái)表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門的功能會(huì)因制造過(guò)程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-15 18:10
【總結(jié)】Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹2023/3/241共88頁(yè)模擬集成電路的設(shè)計(jì)流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(calibre)(spectre)(gdsii)全定制2023/3/
2025-03-05 06:15
【總結(jié)】第九章版圖設(shè)計(jì)實(shí)例主要內(nèi)容1.CMOS門電路2.CMOSRAM單元及陣列3.CMOSD觸發(fā)器4.CMOS放大器5.雙極集成電路1.CMOS門電路(1)反相器電路圖
2025-01-07 01:53
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)北京大學(xué)?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過(guò)程封裝測(cè)試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過(guò)程:設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過(guò)程框架
2025-01-07 01:55
【總結(jié)】?MichaelLiu?總編輯?《電子工程專輯》中國(guó)版2023年中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)公司調(diào)查議程?調(diào)查方面?回復(fù)者資料?業(yè)務(wù)運(yùn)作?設(shè)計(jì)過(guò)程?地區(qū)比較調(diào)查方法調(diào)查方法《電子工程專輯》中國(guó)版于2023年7月進(jìn)行了一個(gè)調(diào)查,問(wèn)卷傳真到中國(guó)169家從事集成電路設(shè)計(jì)或銷售的公司。
2025-01-14 09:17
【總結(jié)】模擬集成電路原理與設(shè)計(jì)劉海濤重慶大學(xué)模擬集成電路設(shè)計(jì)課程目的:使學(xué)生掌握CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)模擬集成電路設(shè)計(jì)方法途經(jīng):1.拓展技術(shù)背景和建摸知識(shí)2.介紹模擬集成電路分層次設(shè)計(jì)方式3.強(qiáng)調(diào)概念的理解和分析方法
2025-05-12 12:14
【總結(jié)】模擬集成電路設(shè)計(jì)訓(xùn)練報(bào)告題目:用運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)的振蕩器院系:信息學(xué)院電子工程系專業(yè):集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)學(xué)號(hào):姓名:……指導(dǎo)教師:…..模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)2目錄一、實(shí)驗(yàn)環(huán)境..........................................
2025-08-17 12:07
【總結(jié)】大連東軟信息學(xué)院1專用集成電路設(shè)計(jì)——項(xiàng)目實(shí)訓(xùn)2022年8月22日嵌入式系統(tǒng)工程系張永鋒大連東軟信息學(xué)院2內(nèi)容提綱?項(xiàng)目概況?項(xiàng)目設(shè)計(jì)?項(xiàng)目成果?項(xiàng)目考核?小結(jié)大連東軟信息學(xué)院3
2025-01-04 19:25
【總結(jié)】第七章集成電路版圖設(shè)計(jì)版圖設(shè)計(jì)概述?版圖(Layout)是集成電路設(shè)計(jì)者將設(shè)計(jì)并模擬優(yōu)化后的電路轉(zhuǎn)化成的一系列幾何圖形,包含了集成電路尺寸大小、各層拓?fù)涠x等有關(guān)器件的所有物理信息。?集成電路制造廠家根據(jù)版圖來(lái)制造掩膜。版圖的設(shè)計(jì)有特定的規(guī)則,這些規(guī)則是集成電路制造廠家根據(jù)自己的工藝特點(diǎn)而制定的。不同的工藝,有不同的設(shè)計(jì)規(guī)則。
2025-01-07 01:54
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)上機(jī)實(shí)驗(yàn)報(bào)告班級(jí):13020188姓名:樊雪偉學(xué)號(hào):130201880222016年4月21日目錄……………………………………..3(1)D觸發(fā)器設(shè)計(jì)……………………
【總結(jié)】1第7章組合邏輯電路P90集成電路設(shè)計(jì)系列2本章概要?概述?靜態(tài)CMOS電路?鏡像電路?C2MOS?準(zhǔn)nMOS電路?動(dòng)態(tài)CMOS電路?多米諾邏輯?雙軌邏輯電路?CMOS邏輯電路的比較?多路選擇器?二進(jìn)制譯碼器?優(yōu)先權(quán)譯碼器3
2025-08-15 23:59
【總結(jié)】廣東省軟件和集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)100強(qiáng)培育企業(yè)評(píng)選申報(bào)書申報(bào)單位(蓋章):企業(yè)法定代表人簽字:推薦單位(蓋章):
2025-06-30 03:34
【總結(jié)】第三章、器件一、超深亞微米工藝條件下MOS管主要二階效應(yīng):1、速度飽和效應(yīng):主要出現(xiàn)在短溝道NMOS管,PMOS速度飽和效應(yīng)不顯著。主要原因是太大。在溝道電場(chǎng)強(qiáng)度不高時(shí)載流子速度正比于電場(chǎng)強(qiáng)度(),即載流子遷移率是常數(shù)。但在電場(chǎng)強(qiáng)度很高時(shí)載流子的速度將由于散射效應(yīng)而趨于飽和,不再隨電場(chǎng)強(qiáng)度的增加而線性增加。此時(shí)近似表達(dá)式為:(),(),出現(xiàn)飽和速度時(shí)的漏源電壓是一個(gè)常數(shù)。線性區(qū)的電流公式
2025-06-25 07:21
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)認(rèn)定申請(qǐng)表申報(bào)企業(yè)(蓋章)所在地區(qū)申報(bào)日期年月日
2025-07-01 00:42