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正文內(nèi)容

數(shù)字電壓表的設(shè)計(編輯修改稿)

2025-07-09 13:31 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 沿啟動 A/ D 轉(zhuǎn)換,之后 EOC輸出信號變低,指示轉(zhuǎn)換正在進行。直到 A/ D轉(zhuǎn)換完成,EOC變?yōu)楦唠娖?,指?A/ D轉(zhuǎn)換結(jié)束,結(jié)果數(shù)據(jù)已存入鎖存器,這個信號可用作中斷申請。當(dāng) OE輸入高電平時,輸出三態(tài)門打開,轉(zhuǎn)換結(jié)果的數(shù)字量輸出到數(shù)據(jù)總線上。 b) 80C51 芯片 芯片的引腳描述 HMOS制造工藝的 MCS51單片機都采用 40 引腳的直 插封裝( DIP 方式),制造工藝為 CHMOS的 80C51/80C31 芯片除采用 DIP 封裝方式外,還采用方型封裝工藝,引腳排列如圖。其中方型封裝的 CHMOS 芯片有 44只引腳,但其中 4只引腳(標有 NC的引腳 1 2 34)是不使用的。在以后的討論中,除有特殊說明以外,所述內(nèi)容皆適用于 CHMOS芯片。 如圖所示,是 MCS51 的邏輯符號圖。在單片機的 40條引腳中有 2條專用于主電源的引腳,2條外接晶體的引腳, 4條控制或與其它電源復(fù)用的引腳, 32條輸入 /輸出( I/O)引腳。 控制或與其它電源復(fù)用 引腳 RST/VPD、 ALE/PROG、 PSEN和 EA/VPP 。 ① RST/VPD( 9腳)當(dāng)振蕩器運行時,在此腳上出現(xiàn)兩個機器周期的高電平將使單片機復(fù)位。推薦在此引腳與 VSS引腳之間連接一個約 ,與 VCC引腳之間連接一個約 10μ F的電容,以保證可靠地復(fù)位。 VCC掉電期間,此引腳可接上備用電源,以保證內(nèi)部 RAM的數(shù)據(jù)不丟失。當(dāng) VCC主電源下掉到低于規(guī)定的電平,而 VPD 在其規(guī)定的電壓范圍( 5177。 )內(nèi), VPD 就向內(nèi)部 RAM 提供備用電源。 ② ALE/PROG( 30腳):當(dāng)訪問外部存 貯器時, ALE(允許地址鎖存)的輸出用于鎖存地址的低位字節(jié)。即使不訪問外部存儲器, ALE端仍以不變的頻率周期性地出現(xiàn)正脈沖信號,此頻率為振蕩器頻率的 1/6。因此,它可用作對外輸出的時鐘,或用于定時目的。然而要注意的是,每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時,將跳過一個 ALE脈沖。 ALE端可以驅(qū)動(吸收或輸出電流)8個 LS型的 TTL輸入電路。 對于 EPROM單片機(如 8751),在 EPROM編程期間,此引腳用于輸入編程脈沖( PROG)。 ③ PSEN( 29 腳):此腳的輸出是外部程序存儲器的讀選通信號。在從外部程序存儲 器取指令(或常數(shù))期間,每個機器周期兩次 PSEN 有效。但在此期間,每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時,這兩次有效的 PSEN信號將不出現(xiàn)。 PSEN同樣可以驅(qū)動(吸收或輸出) 8個 LS型的 TTL輸入。 ④ EA/VPP(引腳):當(dāng) EA端保持高電平時,訪問內(nèi)部程序存儲器,但在 PC(程序計數(shù)器)值超過 0FFFH(對 851/8751/80C51)或 1FFFH(對 8052)時,將自動轉(zhuǎn)向執(zhí)行外部程序存儲器內(nèi)的程序。當(dāng) EA保持低電平時,則只訪問外部程序存儲器,不管是否有內(nèi)部程序存儲器。對于常用的 80C51 來說,無內(nèi)部程序存儲器,所 以 EA 腳必須常接地,這樣才能只選擇外部程序存儲器。 對于 EPROM型的單片機(如 8751),在 EPROM 編程期間,此引腳也用于施加 21V的編程電源( VPP)。
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