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正文內(nèi)容

數(shù)字電壓表的設(shè)計-閱讀頁

2025-06-23 13:31本頁面
  

【正文】 據(jù)不丟失。 )內(nèi), VPD 就向內(nèi)部 RAM 提供備用電源。即使不訪問外部存儲器, ALE端仍以不變的頻率周期性地出現(xiàn)正脈沖信號,此頻率為振蕩器頻率的 1/6。然而要注意的是,每當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時,將跳過一個 ALE脈沖。 對于 EPROM單片機(如 8751),在 EPROM編程期間,此引腳用于輸入編程脈沖( PROG)。在從外部程序存儲 器取指令(或常數(shù))期間,每個機器周期兩次 PSEN 有效。 PSEN同樣可以驅(qū)動(吸收或輸出) 8個 LS型的 TTL輸入。當 EA保持低電平時,則只訪問外部程序存儲器,不管是否有內(nèi)部程序存儲器。 對于 EPROM型的單片機(如 8751),在 EPROM 編程期間,此引腳也用于施加 21V的編程電源( VPP)。 ② P1口( 1腳至 8腳):是準雙向 8位 I/O口。 P1口 能驅(qū)動(吸收或輸出電流) 4個 LS型的 TTL負載。對 EPROM 編程和程序驗證時,它接收低 8位地址。在訪問外部存儲器時,它可以作為擴展電路高 8位地址總線送出高 8位地址。P2可以驅(qū)動(吸收或輸出電流) 4個 LS型的 TTL負載。 P3能驅(qū)動(吸收或輸出電流) 4個 LS 型的 TTL負載。 作為第二功能使用時,各引腳的定義如表所示。 如表 設(shè)計方案 硬件設(shè)計 上圖為硬件的總體框圖,可分為四個模塊。另外注意 ADC0809芯片輸入電壓不可大于 5V。同時在尋求解決問題,查找資料,向老師請教的同時,提高了自己做設(shè)計實驗的能力,也學 會了如何利用圖書資源和自身知識去轉(zhuǎn)換為實際應(yīng)用,為以后的學習提高奠定了基礎(chǔ),總之這次實驗我受益匪淺。 uchar code LEDData2[]={0xbf,0x86,0xdb,0xcf,0xe6,0xed,0xfd,0x87,0xff,0xef}。 sbit EOC = P1^1。 sbit CLK = P1^3。//數(shù)碼管顯示用 sbit wei2 = P2 ^ 1。 sbit wei4 = P2 ^ 3。 uchar a = 0, b = 0, c = 0,d=0,t = 0。 void Delay(uint ms) { uchar i。i120。 } } void Display(void)//數(shù)碼管顯示 { wei4 = 0。 Delay(4)。 wei3 = 0。 Delay(4)。 wei2 = 0。 Delay(4)。 wei1 = 0 //第 1 個數(shù)碼管顯示 P0 = LEDData2[a]。 wei1 = 1。 ST =1。 while(EOC == 0)。 temp=P3。 x = temp/ //255 轉(zhuǎn)換成 5V 量程 a = x。 c = x*100a*100b*0。 OE = 0。 TH0 = 0x14。 IE = 0x82。 } void main() { T0_csh()。 while(1) { AD0809()。 } } void Timer0_INT() interrupt 1 { CLK =
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