西安交通大學微電子制造技術第六章硅片制造中的沾污控制(編輯修改稿)
2025-06-19 06:09 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 Figure 電信學院 微電子學系 16 微電子制造技術 污染源與控制 硅片生產(chǎn)廠房的 7種污染源為 : ?空氣 ?人 ?廠房 ?水 ?工藝用的化學品 ?工藝用的氣體 ?生產(chǎn)設備 Table 電信學院 微電子學系 17 微電子制造技術 空 氣 凈化間最基本的要求是硅片加工廠空氣中顆粒的控制 。 我們通常所呼吸的空氣是不能用于半導體制造的 ， 因為它包含了太多的漂浮沾污 。 這些微小的浮質(zhì)在空氣中漂浮并停留很長時間 ， 淀積在硅片表面引起沾污并帶來致命缺陷 。 凈化級別標定了凈化間的空氣質(zhì)量級別 ， 由凈化室空氣中的 顆粒尺寸 和 密度 來表征 。 這一數(shù)字描繪了要怎樣控制顆粒以減小顆粒污染 。 凈化級別起源于美國聯(lián)邦標準 209， 經(jīng)過多次修改形成了最終的 209E版本 。 表 化級別每立方英尺可以接受的顆粒數(shù)和顆粒尺寸 。 電信學院 微電子學系 18 微電子制造技術 美國聯(lián)邦標準 209E中各凈化間級別 對空氣漂浮顆粒的限制 Table 顆粒 /立方英尺 級別 m m m m m m m m 5 m m 1 3 . 5 0 x 1 0 7 . 7 0 3 . 0 0 1 . 0 0 10 3 . 5 0 x 1 02 7 . 5 0 x 1 0 3 . 0 0 x 1 0 1 . 0 0 x 1 01 100 7 . 5 0 x 1 02 3 . 0 0 x 1 02 1 . 0 0 x 1 02 1,000 1 . 0 0 x 1 03 7 . 0 0 10,000 1 . 0 0 x 1 04 7 . 0 0 x 1 0 100,000 1 . 0 0 x 1 05 7 . 0 0 x 1 02 電信學院 微電子學系 19 微電子制造技術 人類活動釋放的顆粒 Table 顆粒來源 每分鐘 m m 的平均顆粒數(shù) 靜止 ( sit ti ng or sta ndin g ) 100,000 移動手、臂、軀干、脖子和頭 500,000 每小時步行 2 公里 5,000,000 每小時步行 公里 7,500,000 最潔凈的皮膚 ( pe r squa re f oot) 10,000,000 人是顆粒的產(chǎn)生者。人員持續(xù)不斷地進出凈 化間，是凈化間沾污的最大來源。顆粒主要來自 于頭發(fā)和頭發(fā)用品、衣物纖微、皮屑等。 電信學院 微電子學系 20 微電子制造技術 Photo 穿超凈服的技術人員 超凈服 超凈服系統(tǒng)的目標是滿足以下職能標準： ?對身體產(chǎn)生的顆粒和浮質(zhì)的總體抑制； ?超凈服系統(tǒng)顆粒零釋放； ?對 ESD的零靜電積累； ?無化學和生物殘余物的釋放。 電信學院 微電子學系 21 微電子制造技術 硅片制造廠中的水 在芯片生產(chǎn)整個過程中 ， 要經(jīng)過多次的化學刻蝕與清洗 ， 每步刻蝕后都要經(jīng)過清水沖洗 。 由于半導體器件非常容易受到污染 ， 所以所有工藝用水必須經(jīng)過嚴格處理 ， 達到非常嚴格潔凈度的要求 。 普通城市用的水中包含大量潔凈室不能接受的污染物 ， 主要有：
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