太陽能電池基本參數(shù)的影響因素分析(編輯修改稿)
2025-06-17 10:50 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 η 的主要因素為串聯(lián)電阻和 并聯(lián)電阻。 綜上所述，影響 Voc、 Isc、 Vm、 Im、 FF和 η 的主要因素就是串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻。 二、串聯(lián)電阻 Rs和并聯(lián)電阻 Rsh ? 串聯(lián)電阻 Rs 一般小于 1Ω， 主要包括金屬電極與半導(dǎo)體材料的 接觸電阻、半導(dǎo)體材料的體電阻和電極電阻三部分。 ? 并聯(lián)電阻 Rsh 一般為幾千 歐姆， 主要是電池邊緣漏電、電池表 面污濁或耗盡區(qū)內(nèi)的復(fù)合電流引起的，這幾種電流構(gòu) 成了漏電流。而且并聯(lián)電阻越大，漏電流也就越小。 三、前段工藝對 Rs和 Rsh的影響 ?CVD ?PVD ?Laser ?P層： P層如果太厚，造成了 P層對光的吸收增 加，從而減少了 i層對光的吸收，而且由于空穴 的擴(kuò)散速率較低，使得空穴的壽命降低；但是 P層太薄，在界面層產(chǎn)生的電子 空穴對還沒有 擴(kuò)散出去就會由于復(fù)合而消失，不利于載流子 的收集，增加能量損失。 ? Buffer層： 當(dāng)緩沖層厚度較薄時，晶格失配問題得到初步改 善，從而減少了載流子在界面的復(fù)合，因而隨著沉積 時間的增加，電池的開路電壓增加，填充因子也得到 較大的改善，電池效率增加。但是，隨著沉積時間繼 續(xù)增長，由于沒有摻硼，摻碳的緩沖層電阻升高，較 厚的緩沖層雖然解決了晶格失配的問題，但是高阻層 成為主要矛盾，所以隨著摻碳緩沖層厚度的繼續(xù)增 加，填充因子下降，電池性能變差。
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