光電技術(shù)第七周已授(編輯修改稿)
2025-06-16 20:27 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 征光電導(dǎo) )，從而使電導(dǎo)增加。 ●所激發(fā)的載流子仍保留在材料內(nèi)部，光電導(dǎo)是內(nèi)光電效應(yīng)。 ●本征光電導(dǎo)，光子的能量要超過禁帶寬度，才能激發(fā)出自由電子一空穴對。因此要求 (2)光電導(dǎo)探測器 利用光電導(dǎo)效應(yīng)的探測器 本征光電導(dǎo)體的長波限 非本征光電導(dǎo)的長波限 入射光輻射與晶格原子相互作用， 產(chǎn)生自由電子一空穴對 (本征光電導(dǎo) ) 或與雜質(zhì)原子的束縛電子相互作用 產(chǎn)生自由電子或空穴 (非本征光電導(dǎo) ) 從而使電導(dǎo)增加 本征光電導(dǎo) 非本征光電導(dǎo) 2021.9。28周二 光電導(dǎo)變化的機(jī)理 本征光電導(dǎo) 常用半導(dǎo)體的禁帶寬度和長波限 表 21 CdS, CdSe 可見范圍 鉛鹽：PbS PbSe PbTe紅外 295K 多元本征 HgCdTe PbSnTe 三個大氣窗口 13， 35 814 77K 波長越長，工作溫度越低 非本征光電導(dǎo) 硅、鍺摻各種雜質(zhì)半導(dǎo)體的電離能和長波限 表 22 常用本征光電導(dǎo) 半導(dǎo)體 PbS、 PbSe、 PbTe 多元本征型的 HgCdTe ● 工作在三個大氣窗口： 1~3181。m。 3~5
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