tms320c54x與tlc320ad50的通信系統(tǒng)的設(shè)計(jì)(編輯修改稿)
2025-10-08 08:34 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 4x 的外設(shè)包括 (1)l通用 I/O 引腳， XF 和 BIO (2)l定時(shí)器 (3)l PLL 時(shí)鐘產(chǎn)生器 (4)l HPI 口 8 比特或 16 比特 (5)l同步串口 (6)l帶緩存串口 BSP (7)l多路帶緩存串口 McBSP (8)l時(shí)分復(fù)用串口 TDM (9)l可編程等待狀態(tài)產(chǎn)生器 (10)l 可編程 bank switching 模塊 (11)l 外部總線接口 (12)l 標(biāo)準(zhǔn) JTAG 口 依賴(lài)其并行的工藝特性和片上 RAM 雙向訪問(wèn)的性能，在一個(gè)機(jī)器周期內(nèi)， C54x 可以執(zhí)行4 條行并行存儲(chǔ)器操作：取指令，兩操作數(shù)讀，一操作數(shù)寫(xiě)。 使用片內(nèi)存儲(chǔ)器有三個(gè)優(yōu)點(diǎn) :高速執(zhí)行（不需要等待） ,低開(kāi)銷(xiāo) ,低功耗。 C54x 程序存儲(chǔ)區(qū)有片內(nèi) ROM 、 DARAM、 SARAM ，這些區(qū)域可以通過(guò)軟件配置到程序空間。當(dāng)?shù)刂仿湓谶@些區(qū)域內(nèi)，自動(dòng)對(duì)這些區(qū)域進(jìn)行訪問(wèn)，當(dāng)?shù)刂仿湓谶@些區(qū)域以外，自動(dòng)產(chǎn)生對(duì)外部存儲(chǔ)器的訪問(wèn)。 片內(nèi) ROM（ 4K 16K 24K 28K 或 48K 字）可能包括的內(nèi)容有： (1)l引導(dǎo)程序，可以從串口、外部存儲(chǔ)器、 I/O 口或 HPI 口引導(dǎo) (2)l256 字的率 擴(kuò)展表 (3)l256 字的 A 率擴(kuò)展表 6 (4)l 256 字的正弦表 (5)l中斷矢量 TLC320AD50 的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 簡(jiǎn)圖圖 1最上面第一通道為模擬信號(hào)輸入監(jiān)控通道，第二通道為模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)（ A/D）通道，第三通道為數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)化為模擬信號(hào)（ D/A）通道，最下面一路是 AD50 的工作頻率和采樣頻率控制通道。本文所述的輸入時(shí)鐘（ MCLK）為 ， A/D與 D/A 的采樣頻率為 MCLK/（ 128*N） Hz（ N為 AD50C 的第 4 個(gè)寄存器 4~6 位所設(shè)）。 圖 42 TLC320AD50的內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖 7 TLC320AD50 與 DSP 的引腳連接方式 圖 43 AD50 與 DSP 連接方式 復(fù)位電路 在上電或復(fù)位過(guò)程中，控制 CPU 的復(fù)位狀態(tài)：這段時(shí)間內(nèi)讓 CPU 保持復(fù)位狀態(tài)，防止 CPU 發(fā)出錯(cuò)誤的指令、執(zhí)行錯(cuò)誤操作，也可以提高電磁兼容性能。復(fù)位電路如圖 32 所示： TMS320C54x與其他微處理器一樣，在啟動(dòng)時(shí)都需要復(fù)位。使 CPU 及系統(tǒng)各部件處于確定的初始狀態(tài)，并從初始狀態(tài) 開(kāi)始工作。 TMS320C54x 的復(fù)位信號(hào)是從 RST 引腳輸入到芯片內(nèi)的施密特觸發(fā)器中的。當(dāng)系統(tǒng)處于正常的工作狀態(tài)時(shí)，且振蕩器穩(wěn)定后，如 RST 引腳上有一個(gè)高電平并維持 2個(gè)機(jī)器周期（ 24 個(gè)振蕩周期），則 CPU 就可以響應(yīng)并將系統(tǒng)復(fù)位。因外部的復(fù)位信號(hào)與內(nèi)部時(shí)鐘異步的，所以在每個(gè)機(jī)器周期的 S5P2 都對(duì) RST 引腳上的狀態(tài)采樣。當(dāng)在 RST 端采樣到“ 1”信號(hào)且該信號(hào)維持 19 個(gè)振蕩周期以后，將 ALE 和 PSEN 接成高電平，使器件復(fù)位，在 RST 端電壓變低后，經(jīng) 1個(gè)～ 2個(gè)機(jī)器周期后退出。 PSEN 引腳拉成低電平，則會(huì)引起芯片進(jìn)入不定狀態(tài)。 8 +5V
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