非金屬材料專業(yè)畢業(yè)設計論文外文翻譯-太陽能級多晶硅長晶速率和雜質分布中文(編輯修改稿)
2025-06-25 14:28 本頁面
【文章內容簡介】 少 子壽命，這些測量是在 2cm 厚的樣品上進行的。 圖 試 樣的位置。 表 在 硅 （ Si， s） ，坩堝 （ cr） ，石墨 （ g） 中 的熱傳導 3. 結果 凝固 假設熱量是從坩堝底部輻射出去的，則凝固的界面位置可以通過一個樣品的熱傳導模型計算出來。 當假設所有的界面具有相同的區(qū)域 A（ 圖 2） 在固體 硅，石英坩堝 以及坩堝底部石墨絕緣材料的熱傳導可以用表 1 來表示。 圖 2. 系統(tǒng)的溫度和 厚 度 變化 曲線 圖 3. 凝固高度的 計算值和測量值隨時間的變化 曲線 聯立公式（ 1） — （ 3）并且假設 Qsi,s=Qcr=Qg=Q,可以得出下面的公式 在凝固過程中假定熱傳導系數是不同的，冷卻溫度 Tp 是用熱電偶測量的。經過結晶的固態(tài)硅的熱傳導可以表達為 4 △ H 是硅的熱焓， ρ si 是硅的密度， Msi 是硅的摩爾質量 ,v 是硅的長晶速率， 假設公式 4=公式 5，則 下面的公式可以計算出多晶硅的長晶速率 在假設熔體沒有過熱的情況下公式 6 是忽略第二種情況的簡化， Tsh=0。在公式 6 中。石英坩堝的導熱系數是不定的，并且 Kcr 是不變的。它也表明了熱傳導系數是 由 坩堝涂層厚度和密度決定的事實。因此，在兩種不同的傳導計算中很難量化 Kcr 和長晶速率。當假設坩堝的熱傳導系數是 計算的 晶體生長高度 與凝固過程的測量值是相符合的，如圖 3 所所測得的凝固程度隨時間的變化在兩個實驗中是很相似的，表明 系統(tǒng) 熱力學條件穩(wěn)定、重現性好。平均速率 4 10 6 米 /秒是計算出的測量值。 在這兩項實驗中 多晶硅錠生長 過程的界面曲率都是中心到兩側大約5mm 高度差別的凸形界面。 圖 scheil 公式計算出的在多晶硅錠 生長方向 的碳含量分布 碳氧含量 如圖 4，由 于氧的偏析和在凝固過程超過 它 在硅中的溶解度使氧的含量在 晶體生長方向 上是增加的。這導致 sic 的沉淀，并且使這 兩 個多晶硅錠的碳含量 測量值偏離真實的碳濃度，這是由于傅立葉變換紅外光譜只能測量替代 位 的碳濃度。這兩個多晶硅錠的碳分布是很相似的，在硅錠中心部位的濃度大約都是 4ppma。假定碳的分凝系數是 ，則碳的濃度可以通過 scheil方程 計算出來。 假設 一開
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