產(chǎn)1000噸太陽能多晶硅項目建議書(編輯修改稿)
2025-02-11 00:49 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ；缺點是非環(huán)保、高耗電、且具腐能性爆炸性，以及U型棒還必須經(jīng)過檢測分棟破碎，然后重新熔融鑄造錠才可用于生產(chǎn)太陽能電池片等較復(fù)雜工序。由于上述原因，導(dǎo)致當前國內(nèi)外太陽能電池等級的多晶硅基本采用單晶硅純度稍低的頭尾料或單晶爐的鍋底剩料，進一步熔煉去雜，勾兌并再次熔鑄造錠而成。其產(chǎn)量而受到單晶硅產(chǎn)量的限制，成本相對較高。針對上述缺點，日本很早就開始對太陽能電池等級多晶硅的規(guī)模化、產(chǎn)為化生產(chǎn)進行研究，并于2004年開始啟動使用物理法規(guī)模化、產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)太陽能電池等級多昌硅。與改良西門子法相比，日本開發(fā)的物理法只能提純至7N級純度，但7N的純度完全可以滿足太陽能電池對多晶硅原料的技術(shù)經(jīng)濟指標要求，生產(chǎn)實踐證明：7N純度的多晶硅與11N純度的多晶硅對于太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化率基本相同，并沒有明顯的差別。目前日本規(guī)模化和產(chǎn)業(yè)化使用此工藝技術(shù)的公司有三菱硅、JFE、住友等大型多晶硅生產(chǎn)企業(yè)。工藝技術(shù)流程日本開發(fā)的太陽能級多晶硅生產(chǎn)工藝具體操作程序如下：工序一將金屬硅原材料進行破碎后酸洗（要求20—50mm粒度），投入到加溫的真空熔煉爐中，提高溫度至1450℃—1470℃進行溶煉，抽真空達到要求范圍后，升溫進行真空溶煉。此時嚴格控制溫度，冶煉時間10—15小時，取液體樣分析達到合格要求進行第二工序。工序二⑵將液體硅水注入加溫后的真空熔煉爐，同時加入水離子蒸汽，并使用10%比例的重質(zhì)碳酸鈣進行溶煉，每2小時除渣一次，共計五次工序，取液體樣分析磷含量達到內(nèi)控技術(shù)指標要求后，進入第三工序。工序三⑶將液體硅水注入加溫后的定向凝結(jié)爐溶煉，溫度控制1500℃—1520℃，時間12—15小時，分離金屬雜質(zhì)（鐵、鋁、鈦等），取液體樣分析達到合格要求后進入第四工序。工序四
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