非金屬材料專(zhuān)業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）外文翻譯-太陽(yáng)能級(jí)多晶硅長(zhǎng)晶速率和雜質(zhì)分布（中文）-文庫(kù)吧
2025-04-16 14:28 本頁(yè)面
【正文】 曼熔爐中定向凝固 法鑄造 多晶硅的長(zhǎng)晶速率，并且確立 冷卻速率對(duì) 由 位錯(cuò)密度影響的少數(shù)載流子壽命的影響。長(zhǎng)晶速率也可以由坩堝下方 熱電偶 的溫度測(cè)量值去計(jì)算。 對(duì) 這兩項(xiàng)實(shí)驗(yàn)的 多晶硅錠 進(jìn)行了表征 以 確定多晶硅錠 生長(zhǎng) 方向上的碳氧 分布。 2 實(shí)驗(yàn)流程 凝固過(guò)程 實(shí)驗(yàn)是在挪威理工大學(xué)的一爐鑄造 12 千克多晶硅感應(yīng) 電磁 爐中進(jìn)行的。鑄造出的多晶硅 錠 加工成 直徑 25 厘米，高度 10 厘米的圓柱體。在一個(gè)用氮化硅涂層的石英坩堝內(nèi) 加入硼獲得 p 型的 多晶硅。氮化硅涂層的主要目的是防止在凝固過(guò)程中熔硅粘 到石英坩堝上，并且使從坩堝向熔硅中的氧擴(kuò)散最小 化 。硅是從底部以接進(jìn)平 直 的固液界面 生長(zhǎng) 的。熔化多晶硅和 控制結(jié)晶的溫度是由位于底部和四周的加熱器提供的。 多晶硅的結(jié)晶是溫度降低的同時(shí)伴隨著石英坩堝底部的散熱 器 的緩慢打開(kāi)。散熱器是由在隔熱筒里面的 水冷回路構(gòu)成的。 從而增加從多晶硅熔體的熱量散失。 生長(zhǎng)過(guò)程中 每 間隔 20 分鐘 3 個(gè)石英棒 被插入 熔體的不同的位置，以識(shí)別固液界面的位置。這使控制 多晶硅 凝固速率 和 固液界面的曲率成為了可能。在第一項(xiàng)研究中，定向凝固完成后迅速關(guān)閉電源，導(dǎo)致在 小時(shí)內(nèi)使加熱器的溫度 由 1713K 到 1373K 的迅速降低。 在第二項(xiàng)實(shí)驗(yàn)中，凝固完成后控制冷卻速率為 323K/h 進(jìn)行冷卻。在溫度為 1373K 時(shí)關(guān)閉電源。 特征描述 對(duì)從每一爐取出的樣品進(jìn)行 進(jìn)一步 的分析。多晶硅中心部分保留用作試樣的加工（ 10cm 10cm） ，并且對(duì)多晶硅中心外的 5cm 進(jìn)行進(jìn)一步的檢測(cè)。圖片 1 顯示的是 檢測(cè)的 樣品。 首先將一個(gè)兩厘米厚的樣品切割然后經(jīng)過(guò) 進(jìn)一3 步 的加工 成 厚度約為 2 毫米 的樣品 。 樣品的高度和 多晶硅錠 的高度是等價(jià)的，因此對(duì)多晶硅錠的性能隨生長(zhǎng)方向的變化進(jìn)行了研究。 切割過(guò)程中去除樣品底部的部分 。 傅立葉變換紅外光譜儀 用來(lái)測(cè)量多晶硅錠中的碳氧含量。 傅立葉變換紅外光譜 儀可測(cè)量替代 位 氧濃度和間隙 氧 濃度分別從 和 到它們?cè)诠柚械淖畲笕芙舛取? 這些測(cè)量是在個(gè)表面 拋光 的 2mm 厚的樣品上進(jìn)行的，并用標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量在 來(lái)兩個(gè)多晶硅錠的 生長(zhǎng) 方向 進(jìn)行碳氧含量的測(cè)量 。準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減儀 被用來(lái)測(cè)量 多晶硅錠 中的
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