【正文】 午 18:29:25一月 21? 1最具挑 戰(zhàn) 性的挑 戰(zhàn) 莫 過(guò) 于提升自我。 2023/1/31 18:29:2518:29:2531 January 2023? 1空山新雨后，天氣晚來(lái)秋。 一月 2118:29:2518:29Jan2131Jan21? 1故人江海 別 ，幾度隔山川。 Figure 7 CMOS工藝流程中的主要制造步驟Oxidation(Field oxide)Silicon substrateSilicon dioxideoxygenPhotoresistDevelopoxidePhotoresistCoatingphotoresistMaskWaferAlignment and ExposureMaskUV lightExposed PhotoresistexposedphotoresistGS DActive Regionstop nitrideS DGsilicon nitrideNitrideDepositionContact holesS DGContactEtchIon Implantationresistox DGScanning ion beamSMetal Deposition and EtchdrainS DGMetal contacts PolysiliconDepositionpolysiliconSilane gasDopant gasOxidation(Gate oxide)gate oxideoxygenPhotoresistStripoxideRF PowerIonized oxygen gasOxideEtchphotoresistoxideRF Power Ionized CF4 gasPolysiliconMask and EtchRF PoweroxideIonized CCl4 gaspoly gateFigure 7 1. 雙井工藝2. 淺槽隔離工藝 3. 多晶硅柵結(jié)構(gòu)工藝4. 輕摻雜漏 (LDD)注入工藝5. 側(cè)墻的形成 6. 源 /漏（ S/D）注入工藝7. 接觸孔的形成8. 局部互連工藝9. 通孔 1和金屬塞 1的形成 1互連的形成 2和金屬 2的形成 2互連的形成 壓點(diǎn)及合金Passivation layer Bonding pad metalp+ Silicon substrateLI oxideSTInwell pwellILD1ILD2ILD3ILD4ILD5M1M2