comsic制造工藝流程(存儲版)
【正文】 Passivation layer Bonding pad metalp+ Silicon substrateLI oxideSTInwell pwellILD1ILD2ILD3ILD4ILD5M1M2M3 M4Poly gatep Epitaxial layerp+ILD6LI metalViap+ p+ n+n+n+ 2314567891011121314CMOS 制作步驟 Figure 7 一、雙井工藝nwell Formation 1）外延生長2）厚氧化生長 保護外延層免受污染；阻止了在注入過程中對硅片的過渡損傷；作為氧化物屏蔽層，有助于控制注入過程中雜質(zhì)的注入深度。 LDD工藝就是為了減少這些溝道漏電流的發(fā)生。Figure 7 整個 mm的 CMOS 剖面Passivation layer Bonding pad metalp+ Silicon substrateLI oxideSTInwell pwellILD1ILD2ILD3ILD4ILD5M1M2M3 M4Poly gatep Epitaxial layerp+n+ILD6LI metalViap+ p+ n+n+Figure 7 微處理器剖面的 SEM 顯微照片Micrograph courtesy of Integrated Circuit EngineeringMag. 18,250 XFigure 7 ? 靜夜四無 鄰 ，荒居舊 業(yè)貧 。 一月 216:29 下午 一月 2118:29January 31, 2023? 1行 動 出成果，工作出 財 富。 31 一月 20236:29:25 下午 18:29:25一月 21? 1楚塞三湘接， 荊門 九派通。 18:29:2518:29:2518:29Sunday, January 31, 2023? 1知人者智，自知者明。 6:29:25 下午 6:29 下午 18:29:25一月 21MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感謝您的下載觀看專 家告 訴。 18:29:2518:29:2518:291/31/2023 6:29:25 PM? 1越是沒有本 領(lǐng) 的就越加自命不凡。 1
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