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2025-02-26 03:13本頁面

　　

【正文】 ve Regionstop nitrideS DGsilicon nitrideNitrideDepositionContact holesS DGContactEtchIon Implantationresistox DGScanning ion beamSMetal Deposition and EtchdrainS DGMetal contacts PolysiliconDepositionpolysiliconSilane gasDopant gasOxidation(Gate oxide)gate oxideoxygenPhotoresistStripoxideRF PowerIonized oxygen gasOxideEtchphotoresistoxideRF Power Ionized CF4 gasPolysiliconMask and EtchRF PoweroxideIonized CCl4 gaspoly gateFigure 7 1. 雙井工藝2. 淺槽隔離工藝 3. 多晶硅柵結(jié)構(gòu)工藝4. 輕摻雜漏 (LDD)注入工藝5. 側(cè)墻的形成 6. 源 /漏（ S/D）注入工藝7. 接觸孔的形成8. 局部互連工藝9. 通孔 1和金屬塞 1的形成 1互連的形成 2和金屬 2的形成 2互連的形成壓點(diǎn)及合金Passivation layer Bonding pad metalp+ Silicon substrateLI oxideSTInwell pwellILD1ILD2ILD3ILD4ILD5M1M2M3 M4Poly gatep Epitaxial layerp+ILD6LI metalViap+ p+ n+n+n+ 2314567891011121314CMOS 制作步驟 Figure 7 一、雙井工藝nwell Formation 1）外延生長2）厚氧化生長保護(hù)外延層免受污染；阻止了在注入過程中對硅片的過渡損傷；作為氧化物屏蔽層，有助于控制注入過程中雜質(zhì)的注入深度。）Figure 7 STI Oxide Fill1）溝槽襯墊氧化硅2）溝槽 CVD氧化物填充Figure 7 STI Formation1）淺槽氧化物拋光（化學(xué)機(jī)械拋光）2）氮化物去除Figure 7 三、 Poly Gate Structure Process 晶體管中柵結(jié)構(gòu)的制作

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