comsic制造工藝流程-全文預(yù)覽
【正文】 substrateLI oxideSTInwell pwellILD1ILD2ILD3ILD4ILD5M1M2M3 M4Poly gatep Epitaxial layerp+n+ILD6LI metalViap+ p+ n+n+Figure 7 微處理器剖面的 SEM 顯微照片Micrograph courtesy of Integrated Circuit EngineeringMag. 18,250 XFigure 7 ? 靜夜四無 鄰 ，荒居舊 業(yè)貧 。 工藝的最后一步包括再次生長二氧化硅層（第六層層間介質(zhì)）以及隨后生長頂層氮化硅。 LDD工藝就是為了減少這些溝道漏電流的發(fā)生。3）第一層掩膜4） n井注入（高能）5）退火Figure 7 pwell Formation1）第二層掩膜2） P井注入 (高能 )3）退火Figure 7 二、淺曹隔離工藝STI 槽刻蝕1）隔離氧化層2）氮化物淀積3）第三層掩膜，淺曹隔離4） STI槽刻蝕（ 氮化硅的作用：堅固的掩膜材料，有助于在 STI氧化物淀積過程中保護有源區(qū)；在 CMP中充當(dāng)拋光的阻擋材料。 Figure 7 CMOS工藝流程中的主要制造步驟Oxidation(Field oxide)Silicon substrateSilicon dioxideoxygenPhotoresistDevelopoxidePhotoresistCoatingphotoresistMaskWaferAlignment and ExposureMaskUV lightExposed PhotoresistexposedphotoresistGS DActive Regionstop nitrideS DGsilicon nitrideNitrideDepositionContact holesS DGContactEtchIon Implantationresistox DGScanning ion beamSMetal Deposition and EtchdrainS DGMetal contacts PolysiliconDepositionpolysiliconSilane gasDopant gasOxidation(Gate oxide)gate oxideoxygenPhotoresistStripoxideRF PowerIonized oxygen gas
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鄂ICP備17016276號-1