comsic制造工藝流程-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 8:29:2518:29:2518:29Sunday, January 31, 2023? 1不知香 積 寺，數(shù)里入云峰。 31 一月 20236:29:25 下午 18:29:25一月 21? 1比不了得就不比，得不到的就不要。其目的是保護(hù)產(chǎn)品免受潮氣、劃傷以及沾污的影響。1）柵氧化層的生長(zhǎng)2）多晶硅淀積3）第四層掩膜，多晶硅柵4）多晶硅柵刻蝕Figure 7 四、輕摻雜；漏注入工藝 隨著柵的寬度不斷減小，柵下的溝道長(zhǎng)度也不斷減小。）Figure 7 STI Oxide Fill1）溝槽襯墊氧化硅2）溝槽 CVD氧化物填充Figure 7 STI Formation1）淺槽氧化物拋光（化學(xué)機(jī)械拋光）2）氮化物去除Figure 7 三、 Poly Gate Structure Process 晶體管中柵結(jié)構(gòu)的制作是流程當(dāng)中最關(guān)鍵的一步，因?yàn)樗俗畋〉臇叛趸瘜拥臒嵘L(zhǎng)以及多晶硅柵的形成，而后者是整個(gè)集成電路工藝中物理尺度最小的結(jié)構(gòu)。這一層氮化硅稱為鈍化層。 一月 21一月 2118:29:2518:29:25January 31, 2023? 1他 鄉(xiāng) 生白 發(fā) ，舊國(guó) 見 青山。 一月 2118:29:2518:29Jan2131Jan21? 1世 間 成事，不求其 絕對(duì)圓滿 ，留一份不足，可得無(wú)限完美。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023? 閱讀 一切好 書 如同和 過(guò) 去最杰出的人 談話 。 2023/1/31 18:29:2518:29:2531 January 2023? 1一個(gè)人即使已登上 頂 峰，也仍要自 強(qiáng) 不息。 勝 人者有力，自 勝 者 強(qiáng) 。 。 2023/1/31 18:29:2518:29:2531 January 2023? 1做前，能 夠環(huán)視 四周；做 時(shí) ，你只能或者最好沿著以腳 為 起點(diǎn)的射 線 向前。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023? 雨中黃葉 樹 ，燈下白 頭 人。 n LDD Implant1）第五層 掩膜2） nLDD注入（低能量，淺結(jié)）Figure 7 p LDD Implant1）第六層掩膜2） P 輕摻雜漏注入（低能量，淺結(jié)）Figure 7 五、側(cè)墻的形成 側(cè)墻用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏（ S/D）注入過(guò)于接近溝道以致可能發(fā)生的源漏穿通。第七章 COMS IC 制造工藝流程 主要內(nèi)容1. 典型的亞微米 CMOS IC 制造流程圖；2. 描述 CMOS 制造工藝 14個(gè)步驟的主要目的；4. 討論每一步 CMOS 制造流程的關(guān)鍵工藝。1）淀積二氧化
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