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【正文】 OxideEtchphotoresistoxideRF Power Ionized CF4 gasPolysiliconMask and EtchRF PoweroxideIonized CCl4 gaspoly gateFigure 7 1. 雙井工藝2. 淺槽隔離工藝 3. 多晶硅柵結(jié)構(gòu)工藝4. 輕摻雜漏 (LDD)注入工藝5. 側(cè)墻的形成 6. 源 /漏（ S/D）注入工藝7. 接觸孔的形成8. 局部互連工藝9. 通孔 1和金屬塞 1的形成 1互連的形成 2和金屬 2的形成 2互連的形成 壓點(diǎn)及合金Passivation layer Bonding pad metalp+ Silicon substrateLI oxideSTInwell pwellILD1ILD2ILD3ILD4ILD5M1M2M3 M4Poly gatep Epitaxial layerp+ILD6LI metalViap+ p+ n+n+n+ 2314567891011121314CMOS 制作步驟 Figure 7 一、雙井工藝nwell Formation 1）外延生長2）厚氧化生長 保護(hù)外延層免受污染；阻止了在注入過程中對硅片的過渡損傷；作為氧化物屏蔽層，有助于控制注入過程中雜質(zhì)的注入深度。這就增加源漏間電荷穿通的可能性，并引起不希望的溝道漏電流。由于所刻印的結(jié)構(gòu)比先前工藝中形成的 很多，所以這一層介質(zhì)不需要化學(xué)機(jī)械拋光。十四、參數(shù)測試Figure 7 十四、參數(shù)測試 硅片要進(jìn)行兩次測試以確定產(chǎn)品的功能可靠性：第一次測試在首層金屬刻蝕完成后進(jìn)行，第二次是在完成芯片制造的最后一步工藝后進(jìn)行。 一月 2118:29:2518:29Jan2131Jan21? 1故人江海 別 ，幾度隔山川。 。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023? 很多事情努力了未必有 結(jié) 果，但是不努力卻什么改 變 也沒有。 一月 21一月 2118:29:2518:29:25January 31, 2023? 1意志 堅 強(qiáng) 的人能把世界放在手中像泥 塊 一 樣 任意揉捏。 2023/1/31 18:29:2518:29:2531 January 2023? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 一月 2118:29:2518:29Jan2131Jan21? 1越是無能的人，越喜 歡 挑剔 別 人的 錯 兒。 31 一月 20236:29:25 下午 18:29:25一月 21? 1最具挑 戰(zhàn) 性的挑 戰(zhàn) 莫 過 于提
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