comsic制造工藝流程-免費(fèi)閱讀
【正文】 31 一月 20236:29:25 下午 18:29:25一月 21? 1最具挑 戰(zhàn) 性的挑 戰(zhàn) 莫 過 于提升自我。 2023/1/31 18:29:2518:29:2531 January 2023? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023? 很多事情努力了未必有 結(jié) 果，但是不努力卻什么改 變 也沒有。 一月 2118:29:2518:29Jan2131Jan21? 1故人江海 別 ，幾度隔山川。由于所刻印的結(jié)構(gòu)比先前工藝中形成的 很多，所以這一層介質(zhì)不需要化學(xué)機(jī)械拋光。 Figure 7 CMOS工藝流程中的主要制造步驟Oxidation(Field oxide)Silicon substrateSilicon dioxideoxygenPhotoresistDevelopoxidePhotoresistCoatingphotoresistMaskWaferAlignment and ExposureMaskUV lightExposed PhotoresistexposedphotoresistGS DActive Regionstop nitrideS DGsilicon nitrideNitrideDepositionContact holesS DGContactEtchIon Implantationresistox DGScanning ion beamSMetal Deposition and EtchdrainS DGMetal contacts PolysiliconDepositionpolysiliconSilane gasDopant gasOxidation(Gate oxide)gate oxideoxygenPhotoresistStripoxideRF PowerIonized oxygen gasOxideEtchphotoresistoxideRF Power Ionized CF4 gasPolysiliconMask and EtchRF PoweroxideIonized CCl4 gaspoly gateFigure 7 1. 雙井工藝2. 淺槽隔離工藝 3. 多晶硅柵結(jié)構(gòu)工藝4. 輕摻雜漏 (LDD)注入工藝5. 側(cè)墻的形成 6. 源 /漏（ S/D）注入工藝7. 接觸孔的形成8. 局部互連工藝9. 通孔 1和金屬塞 1的形成 1互連的形成 2和金屬 2的形成 2互連的形成 壓點(diǎn)及合金
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