【正文】 2O)溶解離子化合物時(shí)，它們通過克服離子間離子鍵使離子分離，然后包圍離子，最后擴(kuò)散到液體中。6：成品率/失效分析技師：從事與缺陷分析相關(guān)的工作，如準(zhǔn)備待分析的材料并操作分析設(shè)備以確定在硅片制造過程中引起問題的根源。 Fablite。集成電路 芯片/元件數(shù) 產(chǎn)業(yè)周期無(wú)集成 1 1960年前 小規(guī)模(SSI) 2到50 20世紀(jì)60年代前期 中規(guī)模(MSI) 50到5000 20世紀(jì)60年代到70年代前期大規(guī)模(LSI) 5000到10萬(wàn) 20世紀(jì)70年代前期到后期 超大規(guī)模(VLSI) 10萬(wàn)到100萬(wàn) 20世紀(jì)70年代后期到80年代后期甚大規(guī)模(ULSI) 大于100萬(wàn) 20世紀(jì)90年代后期到現(xiàn)在2. 寫出IC 制造的５個(gè)步驟？(15分) Wafer preparation(硅片準(zhǔn)備) Wafer fabrication (硅片制造) Wafer test/sort (硅片測(cè)試和揀選) Assembly and packaging (裝配和封裝) Final test(終測(cè))3. 寫出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向？什么是摩爾定律？(15分)發(fā)展方向：提高芯片性能——提升速度(關(guān)鍵尺寸降低,集成度提高,研發(fā)采用新材料)，降低功耗。Chipless(20分)highk：高介電常數(shù)。第二章 半導(dǎo)體材料特性 第五章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第六章 硅片制造中的玷污控制？該材料使用最普遍的原因是什么？（第二章）（10分）答：最通常的半導(dǎo)體材料是硅。（第六章）（10分）答：凈化間是硅片制造設(shè)備與外部環(huán)境隔離，免受諸如顆粒、金屬、有機(jī)分子和靜電釋放（ESD)的玷污。（第六章）（10分）答：凈化間的舞廳式布局為大的制造間具有10000級(jí)的級(jí)別，層流工作臺(tái)則提供一個(gè)100級(jí)的生產(chǎn)環(huán)境。什么是有源元件？例舉出兩個(gè)有源元件的例子。第七章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第八章 工藝腔中的氣體控制 第十九章 硅片測(cè)試 第二十章 裝配與封裝1..給出半導(dǎo)體質(zhì)量測(cè)量的定義。在硅片制造過程中進(jìn)行。（3）測(cè)試儀器:高級(jí)集成電路需要能夠在測(cè)試結(jié)構(gòu)上快速、準(zhǔn)確、重復(fù)地測(cè)量亞微安級(jí)電流和微法級(jí)電容的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備，它控制測(cè)試過程（4）作為網(wǎng)絡(luò)主機(jī)或客戶機(jī)的計(jì)算機(jī):指導(dǎo)測(cè)試系統(tǒng)操作的計(jì)算機(jī)包括測(cè)試軟件算法、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備、用于硅片定位的探查控制軟件、測(cè)試數(shù)據(jù)的保存和控制、系統(tǒng)校準(zhǔn)和故障診斷。（5）具有J性管腳的塑封電極芯片載體（PLCC）（6）無(wú)引線芯片載體（LCC）:是一種電極被管殼周圍包起來(lái)以保持低刨面的封裝形式15．例舉出7種先進(jìn)封裝技術(shù)。輕摻雜漏注入使砷和BF2這些較大質(zhì)量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶態(tài)。工藝腔是對(duì)硅片加熱的場(chǎng)所，由垂直的石英罩鐘、多區(qū)加熱電阻絲和加熱管對(duì)于ULSI集成電路而言，特征尺寸的范圍在形成柵的多晶硅、柵氧以及距離硅片表面最近的金屬層。CVD)、PECVD(Plasma氣體分子擴(kuò)散研究較多的幾種無(wú)機(jī)低介電常數(shù)（4）VPE氣相外延：硅片制造中最常用的硅外延方法是氣相外延，屬于CVD范疇。采用LPCVD TEOS淀積的是什么膜？這層膜的優(yōu)點(diǎn)是什么？（10分）多晶硅薄膜用TEOS(正硅酸乙酯）臭氧方法淀積SiO2能夠?yàn)榇篑R士革金屬化工藝淀積具有高深寬比的間隙。腔體和電極的作用像一個(gè)二極管產(chǎn)生大量的電子流，導(dǎo)致負(fù)電荷堆積在靶電極上。（7）淀積阻擋層金屬:在槽和通孔的底部及側(cè)壁用離子化的PCVD淀積鉭和氮化鉭擴(kuò)散層。第八步：顯影后檢查，檢查光刻膠圖形的質(zhì)量，找出有質(zhì)量問題的硅片，描述光刻膠工藝性能以滿足規(guī)范要求？（第十三章）（5分）一，將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中圖像就越精確（第十四章）（5分）汞燈，高壓汞燈，電流通過裝有氙汞氣體的管子產(chǎn)生電弧放電，這個(gè)電弧發(fā)射出一個(gè)特征光譜，包括240納米到500納米之間有用的紫外輻射準(zhǔn)分子激光，準(zhǔn)分子是不穩(wěn)定分子干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口，與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)（或這兩種反應(yīng)），從而去掉曝露的表面材料，一般用于亞微米尺寸。高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料，一個(gè)高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕?？涛g多晶硅的三步工藝：，用于去除自然氧化層、硬的掩蔽層和表面污染物來(lái)獲得均勻的刻蝕。常用的摻雜雜質(zhì)：硼（p型）、磷（n型）、銻（n型）、砷（n型）。（1）高能雜質(zhì)離子轟擊硅原子將對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生損傷（20分）離子注入的優(yōu)點(diǎn)：用熱磷酸去除氮化硅是難以控制的，通過使用檢控樣片來(lái)進(jìn)行定時(shí)操作。？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。干法刻蝕的選擇比低高的刻蝕速率，可以通過精確控制刻蝕時(shí)間來(lái)控制刻蝕的厚度。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。4，溶劑揮發(fā)，以固定轉(zhuǎn)速繼續(xù)旋轉(zhuǎn)已涂膠的硅片，直至溶劑揮發(fā)，光刻膠膠膜幾乎干燥（第十三章）（5分）暗場(chǎng)掩膜版是指一個(gè)掩膜版，它的石英版上大部分被鉻覆蓋，并且不透光，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。（3）確定通孔圖形和刻蝕:光刻確定圖形、干法刻蝕通孔窗口進(jìn)入SiN中，刻蝕完成后去掉光刻（4）淀積保留介質(zhì)的SiO2:為保留層間介質(zhì)，PECVD氧化硅淀積。銅不需要考慮電遷徙問題。：能夠粘附下層襯底，容易與外電路實(shí)現(xiàn)電連接。反應(yīng)速度限制淀積速率Deposition）是指利用熱低泄漏電流、低吸水性、低應(yīng)力、高附著力、高硬度、質(zhì)量傳輸Deposition) （3）連續(xù)成膜。3．離子注入后為什么要進(jìn)行退火？（10分）答：推進(jìn)，激活雜質(zhì)，修復(fù)損傷。陶瓷封裝的兩種主要封裝方法是什么？（第二十章）（10分）答：6種不同的塑料封裝形式：（1）雙列直插封裝（DIP）:典型有兩列插孔式管腳向下彎，穿過電路板上的孔。（5）硅片級(jí)可靠性:需要確定可靠性與工藝條件的聯(lián)系時(shí)，進(jìn)行隨機(jī)的硅片級(jí)可靠性測(cè)試？什么是老化測(cè)試？（第十九章）（10分）IC可靠性是指器件在其預(yù)期壽命內(nèi)，在其使用環(huán)境中正常工作的概率，換句話說(shuō)就是集成電路能正常使用多長(zhǎng)時(shí)間。%的原始空氣或其他成分，高級(jí)真空泵用來(lái)獲得壓力范圍10e3托到10e9托的高級(jí)和超高級(jí)真空。第四章 硅和硅片制備。MOS集成電路：采用的有源器件是MOS晶體管，特點(diǎn)：輸入阻抗高，抗干擾能力強(qiáng)，功耗小，集成度高。（第六章）（5分）答：凈化級(jí)別標(biāo)定了凈化間的空氣質(zhì)量級(jí)別，它是由凈化室空氣中的顆粒尺寸和密度表征的。它能夠溶解其他物質(zhì)，包括許多離子化合物和供價(jià)化合物。：從事開發(fā)實(shí)驗(yàn)室工作，建立并進(jìn)行試驗(yàn)。 Fabless。提高芯片可靠性——嚴(yán)格控制污染。lowk：低介電常數(shù)。原因：。一般來(lái)講，那意味著這些玷污在最先進(jìn)測(cè)試儀器的檢測(cè)水平范圍內(nèi)都檢測(cè)不到。（30分）答：無(wú)源元件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。例出在集成電路制造中12種不同的質(zhì)量測(cè)量（第七章）（10分）半導(dǎo)體質(zhì)量測(cè)量定義了硅片制造的規(guī)范要求，以確保滿足器件的性能和可靠性。（3）硅片揀選測(cè)試（探針）:產(chǎn)品功能測(cè)試，驗(yàn)證每一個(gè)芯片是否符合產(chǎn)品規(guī)格。（第十九章）（5分）硅片揀選測(cè)試中的三種典型電學(xué)測(cè)試：（1）DC測(cè)試:第一電學(xué)測(cè)試是確保探針和壓焊點(diǎn)之間良好電學(xué)接觸的連接性檢查。（第二十章）（10分）7種先進(jìn)封裝技術(shù)包括：（1）倒裝芯片:將芯片的有源面（具有表面鍵合壓點(diǎn)）面向基座的粘貼封裝技術(shù)。大質(zhì)量材料和表面非晶態(tài)的結(jié)合有助于維持淺結(jié)，從而減少源漏間的溝道漏電流效應(yīng)。套組成硅片傳輸系統(tǒng)在工藝腔中裝卸硅片，自動(dòng)機(jī)械在片架臺(tái)、爐臺(tái)、裝片臺(tái)、冷卻臺(tái)之間移動(dòng)氣體分配系統(tǒng)通過將正確的氣體通到爐管中來(lái)維持爐中氣氛enhanced4)（二）高k介質(zhì)（2）低壓CVD（LPCVD）裝片；在溫度為8001150℃的硅片表面通過含有所需化學(xué)物質(zhì)的氣體化合物，就可以實(shí)現(xiàn)氣相外延。Si（C2H5O4）＋8O3：為刻蝕過程中不刻蝕下層介質(zhì)的傳統(tǒng)鋁金屬化工藝提供具有高分辨率的光刻圖形；大馬士革金屬化易于平坦化。這些負(fù)電荷（自由偏置產(chǎn)生）吸引正的氬離子引起對(duì)絕緣或非絕緣靶材料的濺射。（8）淀積銅種子層: