【正文】 ）（10分）掃描投影光刻機(jī)的概念是利用反射鏡系統(tǒng)把有1:1圖像的整個(gè)掩膜圖形投影到硅片表面，其原理是，紫外光線通過(guò)一個(gè)狹縫聚焦在硅片上，能夠獲得均勻的光源，掩膜版和帶膠硅片被放置在掃描架上，并且一致的通過(guò)窄紫外光束對(duì)硅片上的光刻膠曝光要求的比例是高還是低？（第十五章）(5分)光刻膠選擇比是指顯影液與曝光的光刻膠反應(yīng)的速度快慢，選擇比越高，反應(yīng)速度越快，所以要比例高。t=刻蝕所用的時(shí)間干法刻蝕的不足之處是什么？（10分）干法刻蝕的主要目的是完整地把掩膜圖形復(fù)制到硅片表面上。這些反應(yīng)離子朝硅片表面運(yùn)動(dòng)并與表面層反應(yīng)而引起刻蝕反應(yīng)。C左右并對(duì)露出的氧化硅具有所希望的高選擇比。（3）對(duì)雜質(zhì)穿透深度有很好的控制（7）無(wú)固溶度極限。（4）掃描系統(tǒng)掃描在劑量的統(tǒng)一性和重復(fù)性方面起著關(guān)鍵租用。（3）加速管：為了獲得更高的速度，出了分析器磁鐵，正離子還要再加速管中的電場(chǎng)下進(jìn)行加速（6）注入的離子能穿透薄膜（2）很好的雜質(zhì)均勻性(3)激活:這時(shí)的溫度要稍微提升一點(diǎn)，使雜質(zhì)原子與晶格中的硅原子鍵合形成替位式雜質(zhì)。？（10分）硅片中p型雜質(zhì)和n型雜質(zhì)相遇的深度被稱(chēng)為結(jié)深。當(dāng)電子的回旋頻率等于所加的微波電場(chǎng)頻率時(shí)，能有效地把電能轉(zhuǎn)移到等離子體中的電子上。（15分）在純化學(xué)機(jī)理中，等離子體產(chǎn)生的反應(yīng)元素（自由基和反應(yīng)原子）與硅片表面的物質(zhì)發(fā)生應(yīng)。、片間、批次間的刻蝕均勻性投影掩膜版只包括硅片上一部分圖形，而光掩膜版包含了整個(gè)硅片的芯片陣列并且通過(guò)單一曝光轉(zhuǎn)印圖形。是有惰性氣體原子和鹵素構(gòu)成第五步：曝光后烘培，將光刻膠在100到110的熱板上進(jìn)行曝光后烘培硅片和拋光墊之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)由設(shè)備制造商進(jìn)行不同的控制。（8）淀積銅種子層:用CVD淀積連續(xù)的銅種子層，種子層必須是均勻的并且沒(méi)有針孔。（第十二章）（10分）答：（1）SiO2淀積:用PECVD淀積內(nèi)層氧化硅到希望的厚度。這些負(fù)電荷（自由偏置產(chǎn)生）吸引正的氬離子引起對(duì)絕緣或非絕緣靶材料的濺射。？難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么？（第十二章）（10分）答：硅化物是難熔金屬與硅反應(yīng)形成的金屬化合物，是一種具有熱穩(wěn)定性的金屬化合物，并且在硅/難熔金屬的分界面具有低的電阻率。在20℃時(shí)，㎝㎝，減少RC延遲，增加芯片速度；。：為刻蝕過(guò)程中不刻蝕下層介質(zhì)的傳統(tǒng)鋁金屬化工藝提供具有高分辨率的光刻圖形；大馬士革金屬化易于平坦化。（3）通孔:穿過(guò)各種介質(zhì)從某一金屬層到毗鄰金屬層形成電通路的開(kāi)口。Si（C2H5O4）＋8O3BPSG與PSG（磷硅玻璃）一樣，在高溫下的流動(dòng)性較好，廣泛用作為半導(dǎo)體芯片表面平坦性好的層間絕緣膜質(zhì)量輸運(yùn)限制CVD和反應(yīng)速度限制CVD工藝的區(qū)別？（10分）質(zhì)量傳輸限制淀積速率在溫度為8001150℃的硅片表面通過(guò)含有所需化學(xué)物質(zhì)的氣體化合物，就可以實(shí)現(xiàn)氣相外延。Pa（2）低壓CVD（LPCVD）裝片；(BaSr)TiO3.名詞解釋?zhuān)篊VD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。（二）高k介質(zhì)8)4)SOG,enhancedPressure套組成硅片傳輸系統(tǒng)在工藝腔中裝卸硅片，自動(dòng)機(jī)械在片架臺(tái)、爐臺(tái)、裝片臺(tái)、冷卻臺(tái)之間移動(dòng)氣體分配系統(tǒng)通過(guò)將正確的氣體通到爐管中來(lái)維持爐中氣氛水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因?yàn)樗魵獗妊鯕庠诙趸柚袛U(kuò)散更大質(zhì)量材料和表面非晶態(tài)的結(jié)合有助于維持淺結(jié)，從而減少源漏間的溝道漏電流效應(yīng)。（20分）答：芯片廠中通常分為擴(kuò)散區(qū)、光刻區(qū)、刻蝕區(qū)、離子注入?yún)^(qū)、薄膜生長(zhǎng)區(qū)和拋光區(qū)6個(gè)生產(chǎn)區(qū)域：?擴(kuò)散區(qū)是進(jìn)行高溫工藝及薄膜積淀的區(qū)域，主要設(shè)備是高溫爐和濕法清洗設(shè)備；②光刻區(qū)是芯片制造的心臟區(qū)域，使用黃色熒光管照明，目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上； ③刻蝕工藝是在硅片上沒(méi)有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形；④離子注入是用高壓和磁場(chǎng)來(lái)控制和加速帶著要摻雜的雜質(zhì)的氣體；高能雜質(zhì)離子穿透涂膠硅片的表面，形成目標(biāo)硅片；⑤薄膜生長(zhǎng)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)各個(gè)步驟中的介質(zhì)層與金屬層的淀積。（第二十章）（10分）7種先進(jìn)封裝技術(shù)包括：（1）倒裝芯片:將芯片的有源面（具有表面鍵合壓點(diǎn)）面向基座的粘貼封裝技術(shù)。（第二十章）（5分）傳統(tǒng)裝配的4個(gè)步驟：。（第十九章）（5分）硅片揀選測(cè)試中的三種典型電學(xué)測(cè)試：（1）DC測(cè)試:第一電學(xué)測(cè)試是確保探針和壓焊點(diǎn)之間良好電學(xué)接觸的連接性檢查。（2）通過(guò)/失效標(biāo)準(zhǔn):依據(jù)通過(guò)/失效標(biāo)準(zhǔn)決定硅片是否繼續(xù)后面的制造程序。（3）硅片揀選測(cè)試（探針）:產(chǎn)品功能測(cè)試，驗(yàn)證每一個(gè)芯片是否符合產(chǎn)品規(guī)格。（4）超高級(jí)真空:是高級(jí)真空的延伸，通過(guò)對(duì)真空腔的設(shè)計(jì)和材料的嚴(yán)格控制盡量減少不需要的氣體成分。例出在集成電路制造中12種不同的質(zhì)量測(cè)量（第七章）（10分）半導(dǎo)體質(zhì)量測(cè)量定義了硅片制造的規(guī)范要求，以確保滿足器件的性能和可靠性。ASIC：（Application Specific Integrated Circuits）專(zhuān)用集成電路，是指應(yīng)特定用戶要求或特定電子系統(tǒng)的需要而設(shè)計(jì)、制造的集成電路。（30分）答：無(wú)源元件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。改進(jìn)后的RCA清洗可在低溫下進(jìn)行，甚至低到45攝氏度。（第六章）（10分）答：硅片制造廠房中的七中沾污源：（1）空氣:凈化級(jí)別標(biāo)定了凈化間的空氣質(zhì)量級(jí)別，它是由凈化室空氣中的顆粒尺寸和密度表征的；（2）人:人是顆粒的產(chǎn)生者，人員持續(xù)不斷的進(jìn)出凈化間，是凈化間沾污的最大來(lái)源；（3）廠房:為了是半導(dǎo)體制造在一個(gè)超潔凈的環(huán)境中進(jìn)行，有必要采用系統(tǒng)方法來(lái)控制凈化間區(qū)域的輸入和輸出；（4）水:需要大量高質(zhì)量、超純?nèi)ルx子水，城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生產(chǎn)。一般來(lái)講，那意味著這些玷污在最先進(jìn)測(cè)試儀器的檢測(cè)水平范圍內(nèi)都檢測(cè)不到。（第五章）（5分）答：去離子水:在半導(dǎo)體制造過(guò)程中廣泛使用的溶劑，在它里面沒(méi)有任何導(dǎo)電的離子。原因：。：查詢(xún)故障并維護(hù)先進(jìn)設(shè)備系統(tǒng)，保證在硅片制造過(guò)程中設(shè)備能正確運(yùn)行。lowk：低介電常數(shù)?！癕ore Than Moore”指的是用各種方法給最終用戶提供附加價(jià)值，不一定要縮小特征尺寸如從系統(tǒng)組件級(jí)向3D集成或精確的封裝級(jí)(SiP)或芯片級(jí)(SoC)轉(zhuǎn)移。提高芯片可靠性——嚴(yán)格控制污染。1975年被修改為： IC 的集成度將每隔一年半翻一番。 Fabless。IDM：集成器件制造商 (IDMIntegrated Device Manufactory Co.)，從晶圓之設(shè)計(jì)、制造到以自有品牌行銷(xiāo)全球皆一手包辦。：從事開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)室工作，建立并進(jìn)行試驗(yàn)。這些特性使得集成電路的速度比由硅制成的電路更快。它能夠溶解其他物質(zhì)，包括許多離子化合物和供價(jià)化合物。這一薄氧化層稱(chēng)為自然氧化層。（第六章）（5分）答：凈化級(jí)別標(biāo)定了凈化間的空氣質(zhì)量級(jí)別，它是由凈化室空氣中的顆粒尺寸和密度表征的。MOS集成電路：采用的有源器件是MOS晶體管，特點(diǎn)：輸入阻抗高，抗干擾能力強(qiáng)，功耗小，集成度高。有源元件：內(nèi)部有電源存在，不需要能量的來(lái)源而實(shí)行它特定的功能，而且可以控制電流方向，可放大信號(hào)。第四章 硅和硅片制備。（第七章）（10分）TEM把加速和聚集的電子束投射到非常薄的樣品上，電子與樣品中的電子碰撞而電子與樣品中的原子的碰撞而改變方向，從而產(chǎn)生立體角散射，散射角的大小與樣品的密度、厚度有關(guān)，因此可以形成明暗不同的影像。%的原始空氣或其他成分，高級(jí)真空泵用來(lái)獲得壓力范圍10e3托到10e9托的高級(jí)和超高級(jí)真空。在封裝的IC進(jìn)行。（5）硅片級(jí)可靠性:需要確定可靠性與工藝條件的聯(lián)系時(shí)，進(jìn)行隨機(jī)的硅片級(jí)可靠性測(cè)試？什么是老化測(cè)試？（第十九章）（10分）IC可靠性是指器件在其預(yù)期壽命內(nèi)，在其使用環(huán)境中正常工作的概率，換句話說(shuō)就是集成電路能正常使用多長(zhǎng)時(shí)間。主要驗(yàn)證輸出顯示的位電平（邏輯“1”或高電平，邏輯“0”或低電平），是否和預(yù)期的一致。陶瓷封裝的兩種主要封裝方法是什么？（第二十章）（10分）答：6種不同的塑料封裝形式：（1）雙列直插封裝（DIP）:典型有兩列插孔式管腳向下彎，穿過(guò)電路板上的孔。（4）卷帶式自動(dòng)鍵合（TAB）:是一種I/O封裝方式，它使用塑料袋作為新片載體。3．離子注入后為什么要進(jìn)行退火？（10分）答：推進(jìn)，激活雜質(zhì)，修復(fù)損傷。隨著柵的寬度不斷減少，柵結(jié)構(gòu)（源漏間的硅區(qū)域）下的溝道長(zhǎng)度也不斷減