【正文】 上，而刻蝕的目的是在硅片上無光刻膠保護的地方留下永久的圖形。大質(zhì)量材料和表面非晶態(tài)的結(jié)合有助于維持淺結(jié)，從而減少源漏間的溝道漏電流效應(yīng)。晶體管中溝道長度的減少增加了源漏間電荷穿通的可能性，并引起了不希望的溝道漏電流。水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因為水蒸氣比氧氣在二氧化硅中擴散更（20分）①干氧：Si＋O2 SiO2氧化速度慢，氧化層干燥、致密，均勻性、重復(fù)性好，與光刻膠的粘附性好②水汽氧化：Si+H2O SiO2（固）+H2(氣)氧化速度快，氧化層疏松，均勻性差，與光刻膠的粘附性差③濕氧：氧氣攜帶水汽，故既有Si與氧氣反應(yīng)，又有與水汽反應(yīng)氧化速度、氧化質(zhì)量介于以上兩種方法之間？(15分)套組成硅片傳輸系統(tǒng)在工藝腔中裝卸硅片，自動機械在片架臺、爐臺、裝片臺、冷卻臺之間移動氣體分配系統(tǒng)通過將正確的氣體通到爐管中來維持爐中氣氛、高的深寬比填隙能力(3:1)厚度均勻(避免針孔、缺陷）、高純度和高密度、受控的化學劑量島束匯合并形成固態(tài)的連續(xù)的薄膜Pressureenhanced物理方法：SOG,2)4)6)8)高穩(wěn)定性、好的填隙能力，便于圖形制作和平坦化、耐（二）高k介質(zhì)柵漏電流。(BaSr)TiO3.名詞解釋：CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。能、輝光放電等離子體或其它形式的能源，使氣態(tài)物質(zhì)在固體（2）低壓CVD（LPCVD）裝片；氣或Pa（3）等離子體增強CVD（PECVD）淀積溫度低，冷壁等離子體反應(yīng)，產(chǎn)生顆粒少，需要在溫度為8001150℃的硅片表面通過含有所需化學物質(zhì)的氣體化合物，就可以實現(xiàn)氣相外延。BPSG與PSG（磷硅玻璃）一樣，在高溫下的流動性較好，廣泛用作為半導體芯片表面平坦性好的層間絕緣膜質(zhì)量輸運限制CVD和反應(yīng)速度限制CVD工藝的區(qū)別？（10分）質(zhì)量傳輸限制淀積速率淀積速率受反應(yīng)速度限制，這是由于反應(yīng)溫度或壓力過低(傳輸速率快)，提供驅(qū)動反應(yīng)的能量不足，反應(yīng)速率低于反應(yīng)物傳輸速度。Si（C2H5O4）＋8O3c、避免硅片表面和邊角損傷；（3）通孔:穿過各種介質(zhì)從某一金屬層到毗鄰金屬層形成電通路的開口。與半導體和金屬表面連接時接觸電阻低。：為刻蝕過程中不刻蝕下層介質(zhì)的傳統(tǒng)鋁金屬化工藝提供具有高分辨率的光刻圖形；大馬士革金屬化易于平坦化。（第十二章）（10分）答：（1）鋁與P型硅及高濃度N型硅均能形成低歐姆接觸；（2）電阻率低在20℃時，㎝㎝，減少RC延遲，增加芯片速度；。用大馬士革方法處理銅具有減少工藝步驟20%到30%的潛力。通常用作阻擋層的金屬是一類具有高熔點且被認為是難熔的金屬。？難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么？（第十二章）（10分）答：硅化物是難熔金屬與硅反應(yīng)形成的金屬化合物，是一種具有熱穩(wěn)定性的金屬化合物，并且在硅/難熔金屬的分界面具有低的電阻率。（第十二章）（15分）答：在RF濺射系統(tǒng)中，等離子體是由RF場而非DC場產(chǎn)生的。這些負電荷（自由偏置產(chǎn)生）吸引正的氬離子引起對絕緣或非絕緣靶材料的濺射。實際上，由于RF濺射系統(tǒng)的濺射產(chǎn)額不高，導致它的淀積速率低，因此應(yīng)用受到限制。（第十二章）（10分）答：（1）SiO2淀積:用PECVD淀積內(nèi)層氧化硅到希望的厚度。（5）確定互連圖形:光刻確定氧化硅槽圖形，帶膠。（8）淀積銅種子層:用CVD淀積連續(xù)的銅種子層，種子層必須是均勻的并且沒有針孔。（第十八章）（10分）CMP：通過比去除低處圖形更快的速率去除高處圖形以獲得均勻表面，是一種化學和機械作用結(jié)合的平坦化過程。硅片和拋光墊之間的相對運動由設(shè)備制造商進行不同的控制。（第十三章）（15分）第一步：氣相成底膜處理，其目的是增強硅片和光刻膠之間的粘附性。第五步：曝光后烘培，將光刻膠在100到110的熱板上進行曝光后烘培第六步：顯影，在硅片表面光刻膠中產(chǎn)生圖形（第十四章）（5分）是有惰性氣體原子和鹵素構(gòu)成投影掩膜版只包括硅片上一部分圖形，而光掩膜版包含了整個硅片的芯片陣列并且通過單一曝光轉(zhuǎn)印圖形。（第十五章）（10分）連續(xù)噴霧顯影，旋覆浸沒顯影。EF=被刻蝕材料的速率干法刻蝕的優(yōu)點：，具有非常好的側(cè)壁剖面控制、片間、批次間的刻蝕均勻性（15分）在純化學機理中，等離子體產(chǎn)生的反應(yīng)元素（自由基和反應(yīng)原子）與硅片表面的物質(zhì)發(fā)生應(yīng)。當電子的回旋頻率等于所加的微波電場頻率時，能有效地把電能轉(zhuǎn)移到等離子體中的電子上。（10分）多晶硅等離子刻蝕用的化學氣體通常是氯氣、溴氣或二者混合氣體。這一步應(yīng)避免在多晶硅周圍的柵氧化層形成微槽。在曝露的氮化硅上常常會形成一層氮氧化硅，因此在去除氮化硅前，需要再HF酸中進行短時間處理。？（10分）硅片中p型雜質(zhì)和n型雜質(zhì)相遇的深度被稱為結(jié)深。這種梯度使雜質(zhì)剖面得以建立(3)激活:這時的溫度要稍微提升一點，使雜質(zhì)原子與晶格中的硅原子鍵合形成替位式雜質(zhì)。（2）很好的雜質(zhì)均勻性（4）產(chǎn)生單一離子束（6）注入的離子能穿透薄膜注入離子在離子源中產(chǎn)生（3）加速管：為了獲得更高的速度，出了分析器磁鐵，正離子還要再加速管中的電場下進行加速離子束可以用二次電子中和離子的方法緩解，被稱為空間電荷中和。？最常用的離子源是什么？（15分）目的：使待注入的物質(zhì)以帶電粒子束的形式存在（4）掃描系統(tǒng)掃描在劑量的統(tǒng)一性和重復(fù)性方面起著關(guān)鍵租用。（7）無固溶度極限（5）低溫工藝（3）對雜質(zhì)穿透深度有很好的控制(1)精確控制雜質(zhì)含量和分布。（15分）摻雜是把雜質(zhì)引半導體材料的近體結(jié)構(gòu)中，以改變它的電學性質(zhì)（如電阻率）,并使摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況都滿足要求。C左右并對露出的氧化硅具有所希望的高選擇比。（10分）去除氮化硅使用熱磷酸進行濕法化學剝離掉的。這些反應(yīng)離子朝硅片表面運動并與表面層反應(yīng)而引起刻蝕反應(yīng)。（ECR）（10分）ECR反應(yīng)器在1~10毫托的工作壓力下產(chǎn)生很密的等離子體。缺點：對層材料的差的刻蝕選擇比、等離子體帶來的器件損傷和昂貴的設(shè)備干法刻蝕的不足之處是什么？（10分）干法刻蝕的主要目的是完整地把掩膜圖形復(fù)制到硅片表面上。Er=掩蔽層材的刻蝕速率t=刻蝕所用的時間△T=去掉材料的厚度。顯影溫度，顯影時間，顯影液量，硅片洗盤，當量濃度，清洗，排風第十六章 刻蝕？簡單描述各類刻蝕工藝（10分）刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法刻蝕。要求的比例是高還是低？（第十五章）(5分)光刻膠選擇比是指顯影液與曝光的光刻膠反應(yīng)的速度快慢，選擇比越高，反應(yīng)速度越快，所以要比例高。 ？掃描投影光刻機努力解決什么問題？（第十四章）（10分）掃描投影光刻機的概念是利用反射鏡系統(tǒng)把有1:1圖像的整個掩膜圖形投影到硅片表面，其原理是，紫外光線通過一個狹縫聚焦在硅片上，能夠獲得均勻的光源，掩膜版和帶膠硅片被放置在掃描架上，并且一致的通過窄紫外光束對硅片上的光刻膠曝光圖像的分辨率就越高第七步：堅膜烘培，揮發(fā)掉存留的光刻膠溶劑，提高光刻膠對硅片表面的粘附性正刻膠在進行曝光后留下來的的光刻膠在曝光前已被硬化，它將留在硅片表面，作為后步工藝的保護層，不需要改變掩膜版的極性，并且負性光刻膠在顯影時會變形和膨脹，所以正膠是普遍使用的光刻膠傳統(tǒng)的I線光刻膠，深紫外光刻膠。CMP設(shè)備也常稱為拋光機。（10）用CMP清除額外的銅：用化學機械平坦清除額外的銅。（6）刻蝕互連槽和通孔。SiN需要致密，沒有針孔，因此使用HDPCVD。如果這些電子被限制與離子碰撞，導致更多的離子產(chǎn)生以轟擊靶，那么它的濺射率將高得多。加在硅片上的偏置引起氬原子直接轟擊硅片。等離子體中的電子和離子都處在RF場得作用之下，但由于高頻的緣故，電子的響應(yīng)最強烈。高溫穩(wěn)定性好，抗電遷移性能好可直接在多晶硅上淀積難熔金屬，經(jīng)加溫處理形成硅化物，工藝與現(xiàn)有硅柵工藝兼容。難溶金屬已經(jīng)被用于硅片制造業(yè)，如雙極工藝的肖特基勢壘二極管的形成。更窄的線寬，允許更高密度的電路集成，這意味著需要更少的金屬層。綜上所述，在硅IC制造業(yè)中，鋁和它的主要過程是兼容的，電阻低，可不加接觸層、粘附層和阻擋層等，工藝簡單，產(chǎn)品價格低廉。：很好的抗腐蝕性，在層與層之間以及下層器件區(qū)具有最小的化學反應(yīng)。：易于淀積并經(jīng)相對的低溫處理后具有均勻的結(jié)構(gòu)和組分（對于合金）。（第十二章）（10分）答：金屬用于硅片制造的七個要求：：為維持電性能的完整性，必須具有高電導率，能夠傳導高電流密度?；ミB也被用