【摘要】通信與電子工程學院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動力學v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-02-28 12:01
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費克第二定律的解及其特點?特征擴散長度?預(yù)淀積+退火。預(yù)淀積:氣固相預(yù)淀積擴散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導(dǎo)體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴散入硅
2025-03-03 14:53
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質(zhì) 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設(shè)備 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導(dǎo)體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構(gòu)致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
2025-03-01 04:30
【摘要】Chapter?8離子注入1目標?至少列出三種最常使用的摻雜物?辨認出至少三種摻雜區(qū)域?描述離子注入的優(yōu)點?描述離子注入機的主要部分?解釋通道效應(yīng)?離子種類和離子能量的關(guān)系?解釋后注入退火?辨認安全上的危害2離子注入?簡介?安全性?硬件?制程?概要3材料設(shè)計光罩IC生產(chǎn)
2025-03-01 12:19
【摘要】nn半導(dǎo)體銅線工藝流程時間:2010-09-03剩余:0天瀏覽:37次收藏該信息 一、銅線鍵合工藝
2025-06-24 14:13
【摘要】半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝流程???????????半導(dǎo)體制程--------------------------------------------------------------------------------????&
2025-06-26 11:58
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝半導(dǎo)體制造工藝l微電子學:Microelectronicsl微電子學——微型電子學l核心——半導(dǎo)體器件l半導(dǎo)體器件設(shè)計與制造的主要流程框架設(shè)計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試物理原理—制造業(yè)—芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕
2025-03-01 12:21
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問題:?選擇性?方向性:各向同性/各向異性待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移=光刻+刻蝕1半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理刻蝕速率R(etchrate)單位時間刻蝕的薄膜厚度。對產(chǎn)
2025-03-01 12:23
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第七章離子注入原理(上)有關(guān)擴散方面的主要內(nèi)容?費克第二定律的運用和特殊解?特征擴散長度的物理含義?非本征擴散?常用雜質(zhì)的擴散特性及與點缺陷的相互作用?常用擴散摻雜方法?常用擴散摻雜層的質(zhì)量測量Distributionaccordingtoerrorfunction???
2025-03-04 15:32
2025-03-01 04:27
【摘要】半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長1半導(dǎo)體器件與工藝半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長2一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體Si、Ge….2.化合物半導(dǎo)體GaAs、SiC、GaN…半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長3二、對襯底材料的要求?導(dǎo)電
【摘要】UMCConfidential,NoDisclosureDataPreparedbyMorrisIntroductiononFabflowandsemiconductorindustryforITrelatedemployeeMorrisL.YehUMCConfidenti
2025-02-26 01:36
【摘要】nn半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝流程,做工藝 一、潔凈室一般的機械加工是不需要潔凈室(cleanroom)的,因為加工分辨率在數(shù)十微米以上,遠比日常環(huán)境的微塵顆粒為大。但進入半導(dǎo)體組件或微細加工的世界,空間單位都是以微米計算,因此微塵顆粒沾附在制作半導(dǎo)體組件的晶圓上,便有可能影響到其上精密導(dǎo)線布局的樣式,造成電性短路或斷路的
2025-06-23 16:32
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第6章 金 屬 化第6章 金 屬 化 概述 金屬化類型 金屬淀積 金屬化流程 金屬化質(zhì)量控制 金屬淀積的工藝模擬 概述 金屬化的概念 在硅片上制造芯片可以分為兩部分:第一,在硅片上利用各種工藝(如氧化、CVD、摻雜、光刻等)在硅片表面制造出各種有源器件和無源元件。第二,利用金屬互連線將這些元器件連接起來形成完整電路系統(tǒng)
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第七章?離子注入原理(上)有關(guān)擴散方面的主要內(nèi)容?費克第二定律的運用和特殊解?特征擴散長度的物理含義?非本征擴散?常用雜質(zhì)的擴散特性及與點缺陷的相互作用?常用擴散摻雜方法?常用擴散摻雜層的質(zhì)量測量Distribution?according?
2025-03-01 12:18