【正文】 于芯片上器件和器件整個封裝之間的金屬連接。優(yōu)點：a、低溫淀積；可以通過加溫、加壓提高反應速度。這是一種摻硼的SiO2玻璃。（5）BPSG：氣到常壓，取出硅片。PaPa物質(zhì)的工藝過程。Vapork介質(zhì)，在相同電容（或儲能密度）可以增加（10分）（1）低k介質(zhì)須具備7)5)3)1)（2） 蒸發(fā)(含MBE)PlasmaVapor。層間介質(zhì)（ILD）形成(Si)島，且島不斷長大（10分）（1）晶核形成(15分)薄膜：指某一維尺寸遠小于另外兩維上的尺寸的固體物質(zhì)。？例舉并簡單描述(20分)工藝腔、硅片傳輸系統(tǒng)、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)第十章 氧化1． 二氧化硅薄膜在集成電路中具有怎樣的應用？（15分）①器件保護（避免劃傷和污染），因sio2致密；②表面鈍化（飽和懸掛鍵，降低界面態(tài)；需一定厚度，降低漏電流等）；③用作絕緣介質(zhì)和隔離（LOCOS,STI）如：隔離（如場氧，需要一定的厚度）、④絕緣柵（膜厚均勻，無電荷和雜質(zhì)，需干氧氧化）、多層布線絕緣層、電容介質(zhì)等；⑤選擇性擴散摻雜的掩膜多晶硅柵的寬度通常是整個硅片上最關(guān)鍵的CD線寬。5．為什么要采用LDD工藝？它是如何減小溝道漏電流的？（10分）答：溝道長度的縮短增加了源漏穿通的可能性，將引起不需要的漏電流，所以需要采用LDD工藝。2．離子注入前一般需要先生長氧化層，其目的是什么？（10分）答：氧化層保護表面免污染，免注入損傷，控制注入溫度。（7）圓片級封裝:是第一級互聯(lián)和在劃片前硅片上的封裝I/O端得形成。（3）板上芯片（COB）:被開發(fā)以集成電路芯片直接固定到具有其它SMT和PIH組件的基座上，又被稱為直接芯片粘貼。（4）西邊形扁平封裝（QFP）:是一種在外殼四邊都有高密度分布的管腳表面貼裝組件。（第二十章）（5分）兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料是塑料封裝和陶瓷封裝。（第二十章）（5分）印刷電路板（PCB）又稱為底板或載體，用焊料將載有芯片的集成電路塊粘貼在板上的電路互連，同時使用連接作為其余產(chǎn)品的電子子系統(tǒng)的接口。（2）輸出檢查:硅片挑選測試用來測試輸出信號以檢驗芯片性能。（2）硅片定位:為測試硅片，首先要確與探針接觸的硅片的探針儀位置。（4）特殊測試:在需要的時候評估特殊性能參數(shù)（如特殊客戶需求）。（4）可靠性:集成電路加電并在高溫下測試，以發(fā)現(xiàn)早期失效（有時候，也在在線參數(shù)測試中進行硅片級的可靠性測試）。（2）在線參數(shù)測試:為了監(jiān)控工藝，在制作過程的早期（前端）進行的產(chǎn)品工藝檢驗測試。（第八章）（5分）答：當真空里的壓強減低時，氣體分子間的空間加大了，這成為氣體流過系統(tǒng)及在工藝腔內(nèi)產(chǎn)生等離子體的重要因素。（2）中級真空:范圍是1托到10e3托。外延層還可以減少CMOS器件中的閂鎖效應。3. 什么是CMOS技術(shù)？什么是 ASIC？（30分答：CMOS（互補型金屬氧化物半導體）技術(shù)：將成對的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）集成在一塊硅片上。如電阻，電容。2. 什么是無源元件？例舉出兩個無源元件的例子。雙極集成電路：采用的有源器件是雙極晶體管，特點：速度高，驅(qū)動能力強，但功耗大，集成能力低。SC1的化學配料為NH4OH/H2O2/H2O這三種化學物按1:1:5到1：2：7的配比混合，它是堿性溶液，能去除顆粒和有機物質(zhì)，SC1濕法清洗主要通過氧化顆?；螂妼W排斥起作用。18MΩcm電阻率級別下水被認為已經(jīng)去離子化。②另一個問題在于金屬導體的接觸區(qū)，如果有氧化層的存在，將增加接觸電阻，減少甚至可能阻止電流流過。？由自然氧化層引起的三種問題是什么？（第六章）（10分）答：自然氧化層:如果曝露于室溫下的空氣或含溶解氧的去離子水中，硅片的表面將被氧化。（第五章）（5分）答：氧氣（O2)、氬氣（Ar)、氮氣（N2）、氫氣（H2）和氦氣（He)。Water的PH值為7，既不是酸也不是堿，是中性的。砷化鎵的材料電阻率更大，這使得砷化鎵襯底上制造的半導體器件之間很容易實現(xiàn)隔離，不會產(chǎn)生電學性能的損失。砷化鎵也有減小寄生電容和信號損耗的特性。：為硅片制造廠的化學材料、凈化空氣及常用設(shè)備的基礎(chǔ)設(shè)施提供工程設(shè)計支持。：分析制造工藝和設(shè)備的性能以確定優(yōu)化參數(shù)設(shè)置。7. 例舉出半導體產(chǎn)業(yè)的8種 不同職業(yè) 并簡要描述. (15分)：負責操作硅片制造設(shè)備。Fablite：輕晶片廠，有少量晶圓制造廠的IC公司。 Foundry。 lowk。從幾何學角度指的是為了提高密度、性能和可靠性在晶圓水平和垂直方向上的特征尺寸的繼續(xù)縮小。摩爾定律指：IC 的集成度將每隔一年翻一番。常用術(shù)語翻譯active region 有源區(qū)2. active ponent有源器件 3. Anneal退火4. atmospheric pressure CVD (APCVD) 常壓化學氣相淀積5. BEOL（生產(chǎn)線）后端工序 6. BiCMOS雙極CMOS wire 焊線，引線 硼磷硅玻璃 length溝道長度 vapor deposition (CVD) 化學氣相淀積 mechanical planarization (CMP)化學機械平坦化 大馬士革工藝 擴散 concentration摻雜濃度 oxidation 干法氧化 layer 外延層 rate 刻蝕速率 oxide 柵氧化硅 reliability 集成電路可靠性 dielectric 層間介質(zhì)（ILD） implanter 離子注入機 sputtering 磁控濺射 CVD(MOCVD)金屬有機化學氣相淀積 board 印刷電路板 enhanced CVD(PECVD) 等離子體增強CVD 拋光 sputtering 射頻濺射 on insulator絕緣體上硅（SOI）第一章 半導體產(chǎn)業(yè)介紹1. 什么叫集成電路？寫出集成電路發(fā)展的五個時代及晶體管的數(shù)量？(15分)集成電路：將多個電子元件集成在一塊襯底上，完成一定的電路或系統(tǒng)功能。降低成本——線寬降低、晶片直徑增加。 5. 什么是More moore定律和More than Moore定律？(10分)“More Moore”指的是芯片特征尺寸的不斷縮小。 6. 名詞解釋：highk。 IDM。Fabless：IC 設(shè)計公司，只設(shè)計不生產(chǎn)。Chipless：既不生產(chǎn)也不設(shè)計芯片，而是設(shè)計IP內(nèi)核，授權(quán)給半導體公司使用。：從事確定設(shè)備設(shè)計參數(shù)和優(yōu)化硅片生產(chǎn)的設(shè)備性能。：收集并分析成品率及測試數(shù)據(jù)以提高硅片制造性能。.？（第二章）（5分）答：砷化鎵具有比硅更高的電子遷移率，因此多數(shù)載流子也移動得比硅中的更快。硅基半導體速度太慢以至于不能響應微波頻率。DI。凈化間還意味著遵循廣泛的規(guī)程和實踐，以確保用于半導體制造的硅片生產(chǎn)設(shè)施免受玷污。自然氧化層引起的問題是：①將妨礙其他工藝步驟，如硅片上單晶薄膜的生長和超薄氧化層的生長。去離子水是硅片生產(chǎn)中用得最多的化學品（5）工藝用化學品:為了保證成功的器件成品率和性能，半導體工藝所用的液態(tài)化學品必須不含沾污；（6）工藝氣體:氣體流經(jīng)提純器和氣體過濾器以去除雜質(zhì)和顆粒；（7）生產(chǎn)設(shè)備:用來制造半導體硅片的生產(chǎn)設(shè)備是硅片生產(chǎn)中最大的顆粒來源。例如1級凈化間。在什么電阻率級別下水被認為已經(jīng)去離子化？（第六章）（10分）答：用以制造去離子水的去離子化過程是指，用特制的離子交換樹脂去除電活性鹽類的離子。RCA濕法清洗由一系列有序的浸入兩種不同的化學溶液組成：1號標準清洗液（SC1）和2號標準清洗液（SC2）。（第六章）（10分）硅片清洗步驟：(1)H2SO4/H2O2(piranha):有機物和金屬；(2)UPW清洗（超純水）:清洗；(3)HF/H2O（稀HF）:自然氧化層；(4)UPW清洗:清洗；(5)NH4OH/H2O2/H2O(SC1):顆粒；(6)UPW清洗:清洗；(7)HF/H2O:自然氧化層；(8)UPW清洗:清洗；(9)HCL/H2O2/H2O(SC2):金屬；(10)UPW清洗:清洗；(11)HF/H2O:自然氧化層；(12)UPW清洗:清洗；(13)干燥:干燥第三章 器件技術(shù)基